HM628128DI系列
1M的SRAM ( 128千字
×
8-bit)
ADE - 203-999A ( Z)
初步
修订版0.1
1999年7月8日
描述
日立HM628128DI系列1 - Mbit的静态RAM举办的131,072 -千字
×
8位。 HM628128DI
系列已经通过使用高保真的CMOS实现更高密度,更高的性能和低功耗
工艺技术。该HM628128DI系列提供低功耗待机功耗;因此,它是
适用于电池备份系统。它有标准的32引脚塑料DIP封装结构的变化,标准的32针
塑料SOP 。
特点
采用5 V单电源: 5 V
±
10%
访问时间: 70纳秒(最大)
功耗
主动: 30毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 10
W
(典型值)
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出
三态输出
直接TTL兼容所有输入
电池备份操作
2芯片选择备用电池
温度范围: -40 + 85°C
初步:该设备的规格如有变更,恕不另行通知。请联系您
最近日立的销售部关于规范。
HM628128DI系列
订购信息
型号
HM628128DLPI-7
HM628128DLFPI-7
存取时间
70纳秒
70纳秒
包
600万的32引脚塑料DIP ( DP- 32 )
525万的32引脚塑料SOP ( FP- 32D )
2
HM628128DI系列
框图
最低位
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A10
最高位
ROW
解码器
V
CC
V
SS
存储矩阵
512 x 2,048
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
最低位
A14 A16 A15 A13 A8 A9 A11
最高位
CS1
CS2
WE
OE
定时脉冲发生器
读/写控制
4
HM628128DI系列
1M的SRAM ( 128千字
×
8-bit)
ADE - 203-999A ( Z)
初步
修订版0.1
1999年7月8日
描述
日立HM628128DI系列1 - Mbit的静态RAM举办的131,072 -千字
×
8位。 HM628128DI
系列已经通过使用高保真的CMOS实现更高密度,更高的性能和低功耗
工艺技术。该HM628128DI系列提供低功耗待机功耗;因此,它是
适用于电池备份系统。它有标准的32引脚塑料DIP封装结构的变化,标准的32针
塑料SOP 。
特点
采用5 V单电源: 5 V
±
10%
访问时间: 70纳秒(最大)
功耗
主动: 30毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 10
W
(典型值)
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出
三态输出
直接TTL兼容所有输入
电池备份操作
2芯片选择备用电池
温度范围: -40 + 85°C
初步:该设备的规格如有变更,恕不另行通知。请联系您
最近日立的销售部关于规范。
HM628128DI系列
订购信息
型号
HM628128DLPI-7
HM628128DLFPI-7
存取时间
70纳秒
70纳秒
包
600万的32引脚塑料DIP ( DP- 32 )
525万的32引脚塑料SOP ( FP- 32D )
2
HM628128DI系列
框图
最低位
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A10
最高位
ROW
解码器
V
CC
V
SS
存储矩阵
512 x 2,048
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
最低位
A14 A16 A15 A13 A8 A9 A11
最高位
CS1
CS2
WE
OE
定时脉冲发生器
读/写控制
4