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HM628128DI系列
1M的SRAM ( 128千字
×
8-bit)
ADE - 203-999A ( Z)
初步
修订版0.1
1999年7月8日
描述
日立HM628128DI系列1 - Mbit的静态RAM举办的131,072 -千字
×
8位。 HM628128DI
系列已经通过使用高保真的CMOS实现更高密度,更高的性能和低功耗
工艺技术。该HM628128DI系列提供低功耗待机功耗;因此,它是
适用于电池备份系统。它有标准的32引脚塑料DIP封装结构的变化,标准的32针
塑料SOP 。
特点
采用5 V单电源: 5 V
±
10%
访问时间: 70纳秒(最大)
功耗
主动: 30毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 10
W
(典型值)
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出
三态输出
直接TTL兼容所有输入
电池备份操作
2芯片选择备用电池
温度范围: -40 + 85°C
初步:该设备的规格如有变更,恕不另行通知。请联系您
最近日立的销售部关于规范。
HM628128DI系列
订购信息
型号
HM628128DLPI-7
HM628128DLFPI-7
存取时间
70纳秒
70纳秒
600万的32引脚塑料DIP ( DP- 32 )
525万的32引脚塑料SOP ( FP- 32D )
2
HM628128DI系列
管脚配置
32引脚DIP / SOP
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
( TOP VIEW )
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O7
CS1
CS2
WE
OE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
无连接
3
HM628128DI系列
框图
最低位
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A10
最高位
ROW
解码器
V
CC
V
SS
存储矩阵
512 x 2,048
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
最低位
A14 A16 A15 A13 A8 A9 A11
最高位
CS1
CS2
WE
OE
定时脉冲发生器
读/写控制
4
HM628128DI系列
手术床
CS1
H
×
L
L
L
L
CS2
×
L
H
H
H
H
WE
×
×
H
L
L
H
OE
×
×
L
H
L
H
I / O
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
高-Z
手术
待机
待机
输出禁用
注: H: V
IH
, L: V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
任何引脚相对于V端子电压
SS
功耗
存储温度范围
下偏置存储温度范围
符号
V
CC
V
T
P
T
TSTG
Tbias
价值
-0.5到+7.0
–0.5*
1
到V
CC
+ 0.3*
2
1.0
-55到+125
-40至+85
单位
V
V
W
°C
°C
注意事项: 1, V
T
分: -1.5 V脉冲半宽度
30纳秒
2.最大电压为7.0 V
直流工作条件
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
环境温度范围
注意:
V
IH
V
IL
Ta
4.5
0
2.4
–0.3
–40
典型值
5.0
0
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.3
0.6
85
单位
V
V
V
V
°C
1
1. V
IL
分: -1.5 V脉冲半宽度
30纳秒
5
HM628128DI系列
1M的SRAM ( 128千字
×
8-bit)
ADE - 203-999A ( Z)
初步
修订版0.1
1999年7月8日
描述
日立HM628128DI系列1 - Mbit的静态RAM举办的131,072 -千字
×
8位。 HM628128DI
系列已经通过使用高保真的CMOS实现更高密度,更高的性能和低功耗
工艺技术。该HM628128DI系列提供低功耗待机功耗;因此,它是
适用于电池备份系统。它有标准的32引脚塑料DIP封装结构的变化,标准的32针
塑料SOP 。
特点
采用5 V单电源: 5 V
±
10%
访问时间: 70纳秒(最大)
功耗
主动: 30毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 10
W
(典型值)
完全静态存储器。
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出
三态输出
直接TTL兼容所有输入
电池备份操作
2芯片选择备用电池
温度范围: -40 + 85°C
初步:该设备的规格如有变更,恕不另行通知。请联系您
最近日立的销售部关于规范。
HM628128DI系列
订购信息
型号
HM628128DLPI-7
HM628128DLFPI-7
存取时间
70纳秒
70纳秒
600万的32引脚塑料DIP ( DP- 32 )
525万的32引脚塑料SOP ( FP- 32D )
2
HM628128DI系列
管脚配置
32引脚DIP / SOP
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
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11
12
13
14
15
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( TOP VIEW )
32
31
30
29
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25
24
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21
20
19
18
17
V
CC
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O7
CS1
CS2
WE
OE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
无连接
3
HM628128DI系列
框图
最低位
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A10
最高位
ROW
解码器
V
CC
V
SS
存储矩阵
512 x 2,048
I/O0
输入
数据
控制
I/O7
列I / O
列解码器
最低位
A14 A16 A15 A13 A8 A9 A11
最高位
CS1
CS2
WE
OE
定时脉冲发生器
读/写控制
4
HM628128DI系列
手术床
CS1
H
×
L
L
L
L
CS2
×
L
H
H
H
H
WE
×
×
H
L
L
H
OE
×
×
L
H
L
H
I / O
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
高-Z
手术
待机
待机
输出禁用
注: H: V
IH
, L: V
IL
,
×:
V
IH
或V
IL
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
任何引脚相对于V端子电压
SS
功耗
存储温度范围
下偏置存储温度范围
符号
V
CC
V
T
P
T
TSTG
Tbias
价值
-0.5到+7.0
–0.5*
1
到V
CC
+ 0.3*
2
1.0
-55到+125
-40至+85
单位
V
V
W
°C
°C
注意事项: 1, V
T
分: -1.5 V脉冲半宽度
30纳秒
2.最大电压为7.0 V
直流工作条件
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
环境温度范围
注意:
V
IH
V
IL
Ta
4.5
0
2.4
–0.3
–40
典型值
5.0
0
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.3
0.6
85
单位
V
V
V
V
°C
1
1. V
IL
分: -1.5 V脉冲半宽度
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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