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HM6268系列

4096-word

×

4位高速CMOS静态RAM

仅维修

特点

5 V单电源，高密度20针

包

高速：快速的存取时间25/35/45毫微秒（最大）

低功耗

- 活动： 250毫瓦（典型值）

- 待机： 100 μW （典型值）， 5 μW （典型值）

（L-版本）

完全静态存储器：无时钟或定时

频闪要求

平等接入和周期时间

直接TTL兼容的，所有的输入和输出

电池备份操作能力

（L-版本）

管脚配置

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

A11

CS

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

V

CC

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

WE

（ TOP VIEW ）

订购信息

型号

HM6268P-25

HM6268P-35

HM6268P-45

HM6268LP-25

HM6268LP-35

HM6268LP-45

存取时间

25纳秒

35纳秒

45纳秒

25纳秒

35纳秒

45纳秒

包

300万的20引脚塑料DIP

(DP-20N)

注意：此设备是不可用于新的应用程序。

1

HM6268系列

框图

HM6268系列

A10

A4

A5

A6

A7

A8

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

A0 A1 A2 A3 A11 A9

输入

数据

控制

ROW

解码器

存储阵列

64

×

256

V

CC

V

SS

列I / O

列解码器

CS

WE

真值表

CS

H

L

WE

x

H

L

模式

未选择

读

写

V

CC

当前

I

SB

, I

SB1

I

CC

I

CC

I / O引脚

高-Z

DOUT

DIN

周期

—

读周期

写周期

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于V电压

SS

功耗

工作温度

储存温度

在偏置温度

注意：

符号

V

T

P

T

TOPR

TSTG

Tbias

等级

–0.5

*1

到+7.0

1.0

0至+ 70

-55到+125

-10至+ 85

单位

V

W

°C

1. -3.5 V的脉冲宽度

≤

10纳秒。

2

HM6268系列

建议的直流工作条件

（大= 0至+ 70 ° C）

参数

电源电压

符号

V

CC

V

SS

输入高电平（逻辑1 ）电压

输入低电平（逻辑0 ）电压

注意：

V

IH

V

IL

民

4.5

0

2.2

–0.5

*1

典型值

5.0

0

—

最大

5.5

0

6.0

0.8

单位

V

HM6268系列

1. -3.0 V的脉冲宽度

≤

10纳秒。

DC特性

(V

CC

= 5 V ± 10%, V

SS

= 0 V ，TA = 0 + 70 ° C）

参数

输入漏电流

符号

| I

LI

|

民

—

典型值

*1

—

最大

2.0

单位

A

测试条件

V

CC

= 5.5 V,

VIN = V

SS

到V

CC

CS

= V

IH

,

V

I / O

= V

SS

到V

CC

CS

= V

IL

, I

I / O

= 0 mA时，

分钟。周期

CS

= V

IH

，分钟。周期

CS

≥

V

CC

– 0.2 V,

0 V

≤

V

IN

≤

0.2 V或

V

CC

– 0.2 V

≤

V

IN

I

OL

= 8毫安

I

OH

= -4.0毫安

输出漏电流

| I

LO

|

2.0

A

工作电源电流

I

CC

—

50

*3

90

mA

待机电源电流

I

SB

—

15

0.02

1

*2

25

2.0

50

*2

mA

A

备用电源的电流（1）予

SB1

输出低电压

输出高电压

V

OL

V

OH

—

2.4

—

0.4

—

V

注：1。典型的限制是在V

CC

= 5.0 V ，TA = + 25°C ，并指定加载

2.该特性只对L-版本保证。

3. 40毫安典型的45 ns的版本。

电容

（ TA = 25 ° C，F = 1.0兆赫）

*1

参数

输入电容

输入/输出电容

注意：

符号测试条件

CIN

C

I / O

VIN = 0 V

V

I / O

= 0 V

民

—

最大

6

9

单位

pF

1.这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

3

HM6268系列

AC测试条件：

输入脉冲电平： V

SS

到3.0V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出的定时参考水平： 1.5伏

输出负载：见图

HM6268系列

AC特性

(V

CC

= 5 + 10 ％以下，Ta = 0至+ 70 ℃，除非另有说明）

输出负载

5V

480

5V

480

DOUT

255

DOUT

255

30 pF的

*1

5 pF的

*1

输出负载（ A）

输出负载（ B）

(t

HZ

, t

LZ

, t

WZ ，

和T

OW

)

注： 1.包括范围和夹具

读周期

HM6268-25 HM6268-35 HM6268-45

—————— —————— ——————

符号最小值

最大最小

最大单位

t

RC

t

AA

t

ACS

t

OH

t

LZ * 1

t

HZ * 1

25

—

5

—

25

—

35

—

5

—

35

—

45

—

5

—

45

—

ns

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片选择访问时间

从地址输出保持

变化

片选输出在低Z

芯片取消选择到输出的

高-Z

芯片的选择上电时间

芯片取消选择断电

时间

注意：

10

0

—

15

10

0

—

20

10

0

—

20

ns

t

PU

t

PD

0

—

25

0

—

25

0

—

30

ns

1.过渡时测得的200毫伏从稳态电压与负载（B）中。

这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

4

HM6268系列

读时序波形（ 1 ）

t

RC

地址

t

AA

t

OH

DOUT

有效数据

t

OH

HM6268系列

注：1 。

WE

为高的读周期。

2.设备被连续地选择

CS

= V

IL

读时序波形（ 2 ）

t

RC

CS

t

LZ

t

ACS

t

HZ

有效数据

t

PD

50%

高

阻抗

DOUT

V

CC

供应

当前

高阻抗

t

PU

I

CC

I

SB

50%

注：1 。

WE

为高的读周期。

2.地址有效之前或与重合

CS

transistion低。

5

HM6268系列

4096-word

×

4位高速CMOS静态RAM

仅维修

特点

5 V单电源，高密度20针

包

高速：快速的存取时间25/35/45毫微秒（最大）

低功耗

- 活动： 250毫瓦（典型值）

- 待机： 100 μW （典型值）， 5 μW （典型值）

（L-版本）

完全静态存储器：无时钟或定时

频闪要求

平等接入和周期时间

直接TTL兼容的，所有的输入和输出

电池备份操作能力

（L-版本）

管脚配置

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

A11

CS

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

V

CC

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

WE

（ TOP VIEW ）

订购信息

型号

HM6268P-25

HM6268P-35

HM6268P-45

HM6268LP-25

HM6268LP-35

HM6268LP-45

存取时间

25纳秒

35纳秒

45纳秒

25纳秒

35纳秒

45纳秒

包

300万的20引脚塑料DIP

(DP-20N)

注意：此设备是不可用于新的应用程序。

1

HM6268系列

框图

HM6268系列

A10

A4

A5

A6

A7

A8

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

A0 A1 A2 A3 A11 A9

输入

数据

控制

ROW

解码器

存储阵列

64

×

256

V

CC

V

SS

列I / O

列解码器

CS

WE

真值表

CS

H

L

WE

x

H

L

模式

未选择

读

写

V

CC

当前

I

SB

, I

SB1

I

CC

I

CC

I / O引脚

高-Z

DOUT

DIN

周期

—

读周期

写周期

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于V电压

SS

功耗

工作温度

储存温度

在偏置温度

注意：

符号

V

T

P

T

TOPR

TSTG

Tbias

等级

–0.5

*1

到+7.0

1.0

0至+ 70

-55到+125

-10至+ 85

单位

V

W

°C

1. -3.5 V的脉冲宽度

≤

10纳秒。

2

HM6268系列

建议的直流工作条件

（大= 0至+ 70 ° C）

参数

电源电压

符号

V

CC

V

SS

输入高电平（逻辑1 ）电压

输入低电平（逻辑0 ）电压

注意：

V

IH

V

IL

民

4.5

0

2.2

–0.5

*1

典型值

5.0

0

—

最大

5.5

0

6.0

0.8

单位

V

HM6268系列

1. -3.0 V的脉冲宽度

≤

10纳秒。

DC特性

(V

CC

= 5 V ± 10%, V

SS

= 0 V ，TA = 0 + 70 ° C）

参数

输入漏电流

符号

| I

LI

|

民

—

典型值

*1

—

最大

2.0

单位

A

测试条件

V

CC

= 5.5 V,

VIN = V

SS

到V

CC

CS

= V

IH

,

V

I / O

= V

SS

到V

CC

CS

= V

IL

, I

I / O

= 0 mA时，

分钟。周期

CS

= V

IH

，分钟。周期

CS

≥

V

CC

– 0.2 V,

0 V

≤

V

IN

≤

0.2 V或

V

CC

– 0.2 V

≤

V

IN

I

OL

= 8毫安

I

OH

= -4.0毫安

输出漏电流

| I

LO

|

2.0

A

工作电源电流

I

CC

—

50

*3

90

mA

待机电源电流

I

SB

—

15

0.02

1

*2

25

2.0

50

*2

mA

A

备用电源的电流（1）予

SB1

输出低电压

输出高电压

V

OL

V

OH

—

2.4

—

0.4

—

V

注：1。典型的限制是在V

CC

= 5.0 V ，TA = + 25°C ，并指定加载

2.该特性只对L-版本保证。

3. 40毫安典型的45 ns的版本。

电容

（ TA = 25 ° C，F = 1.0兆赫）

*1

参数

输入电容

输入/输出电容

注意：

符号测试条件

CIN

C

I / O

VIN = 0 V

V

I / O

= 0 V

民

—

最大

6

9

单位

pF

1.这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

3

HM6268系列

AC测试条件：

输入脉冲电平： V

SS

到3.0V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出的定时参考水平： 1.5伏

输出负载：见图

HM6268系列

AC特性

(V

CC

= 5 + 10 ％以下，Ta = 0至+ 70 ℃，除非另有说明）

输出负载

5V

480

5V

480

DOUT

255

DOUT

255

30 pF的

*1

5 pF的

*1

输出负载（ A）

输出负载（ B）

(t

HZ

, t

LZ

, t

WZ ，

和T

OW

)

注： 1.包括范围和夹具

读周期

HM6268-25 HM6268-35 HM6268-45

—————— —————— ——————

符号最小值

最大最小

最大单位

t

RC

t

AA

t

ACS

t

OH

t

LZ * 1

t

HZ * 1

25

—

5

—

25

—

35

—

5

—

35

—

45

—

5

—

45

—

ns

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片选择访问时间

从地址输出保持

变化

片选输出在低Z

芯片取消选择到输出的

高-Z

芯片的选择上电时间

芯片取消选择断电

时间

注意：

10

0

—

15

10

0

—

20

10

0

—

20

ns

t

PU

t

PD

0

—

25

0

—

25

0

—

30

ns

1.过渡时测得的200毫伏从稳态电压与负载（B）中。

这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

4

HM6268系列

读时序波形（ 1 ）

t

RC

地址

t

AA

t

OH

DOUT

有效数据

t

OH

HM6268系列

注：1 。

WE

为高的读周期。

2.设备被连续地选择

CS

= V

IL

读时序波形（ 2 ）

t

RC

CS

t

LZ

t

ACS

t

HZ

有效数据

t

PD

50%

高

阻抗

DOUT

V

CC

供应

当前

高阻抗

t

PU

I

CC

I

SB

50%

注：1 。

WE

为高的读周期。

2.地址有效之前或与重合

CS

transistion低。

5