HM6264BI系列
64K SRAM ( 8千字
×
8-bit)
工作温度范围宽版
ADE - 203-492C ( Z)
修订版3.0
五月。 8 , 2000
描述
日立HM6264BI是64K位静态RAM举办8千字
×
8位。它实现了更高的性能和
低功耗1.5
m
CMOS工艺技术。该装置中,封装在450密耳的SOP (脚
打印间距宽度),600密耳的塑料DIP ,可用于高密度安装。
特点
采用5 V单电源: 5 V
±
10%
访问时间: 100/120纳秒(最大)
功耗:
待机: 10
W
(典型值)
操作: 15毫瓦(典型值) ( F = 1兆赫)
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出
三态输出
直接TTL兼容
所有输入和输出
电池备份操作能力
工作温度范围: -40 ° C至+ 85°C
HM6264BI系列
订购信息
型号
HM6264BLPI-10
HM6264BLPI-12
HM6264BLFPI-10T
HM6264BLFPI-12T
存取时间
100纳秒
120纳秒
100纳秒
120纳秒
包
600万, 28引脚塑料DIP ( DP- 28 )
450万, 28引脚塑料SOP ( FP- 28DA )
管脚配置
HM6264BLPI / BLFPI系列
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CS2
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
( TOP VIEW )
2
HM6264BI系列
DC特性
( TA = -40 + 85℃ ,V
CC
= 5 V
±10%,
V
SS
= 0 V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
当前
符号最小值
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CCDC
—
—
—
—
典型*
1
最大单位测试条件
—
—
7
30
2
2
20
50
A
A
mA
mA
VIN = V
SS
到V
CC
CS1
= V
IH
或CS2 = V
IL
or
OE
= V
IH
or
WE
= V
IL
, V
I / O
= V
SS
到V
CC
CS1
= V
IL
, CS2 = V
IH
, I
I / O
= 0毫安
其他= V
IH
/V
IL
闵周期,占空比= 100 % ,
CS1
= V
IL
, CS2 = V
IH
, I
I / O
= 0毫安
其他= V
IH
/V
IL
循环时间= 1
s,
占空比= 100% ,余
I / O
= 0毫安
CS1
≤
0.2 V , CS2
≥
V
CC
– 0.2 V,
V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V, V
IL
≤
0.2 V
CS1
= V
IH
, CS2 = V
IL
CS1
≥
V
CC
- 0.2 V , CS2
≥
V
CC
- 0.2 V或
0 V
≤
CS2
≤
0.2 V, 0 V
≤
VIN
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
平均工作功率I
CC1
电源电流
I
CC2
—
3
8
mA
备用电源
当前
I
SB
I
SB1
*
2
—
—
—
2.4
1
2
—
—
3
200
0.4
—
mA
A
V
V
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
注:1。典型值是在V
CC
= 5.0 V ,TA = + 25°C ,并不能保证。
2. V
IL
分= -0.3V
电容
( TA = 25 ° C,F = 1.0兆赫)
参数
输入电容*
1
输入/输出电容*
1
注意:
符号
CIN
C
I / O
民
—
—
典型值
—
—
最大
5
7
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
V
I / O
= 0 V
1,这个参数进行采样,而不是100 %测试。
5