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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第38页 > HM6264BLFP-10LT
HM6264B系列
64K的SRAM （ 8千字
×
8-bit)
ADE - 203-454B （ Z）
修订版2.0
1997年11月
描述
日立HM6264B是64K位静态RAM举办8千字
×
8位。它实现了更高的性能
和低功耗1.5
m
CMOS工艺技术。该装置中，封装在450密耳
SOP （脚印间距宽） ， 600万塑料DIP ， 300密耳的塑料DIP ，可用于高密度
安装。
特点
高速
快速访问时间： 85/100 NS （最大值）
低功耗
待机： 10
W
（典型值）
操作： 15毫瓦（典型值） （ F = 1兆赫）
5 V单电源
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出
三态输出
直接TTL兼容
所有输入和输出
电池备份操作能力
HM6264B系列
订购信息
型号
HM6264BLP-8L
HM6264BLP-10L
HM6264BLSP-8L
HM6264BLSP-10L
HM6264BLFP-8LT
HM6264BLFP-10LT
存取时间
85纳秒
100纳秒
85纳秒
100纳秒
85纳秒
100纳秒
包
600万， 28引脚塑料DIP （ DP- 28 ）
300万， 28引脚塑料DIP （ DP- 28N ）
450万， 28引脚塑料SOP （ FP- 28DA ）
管脚配置
HM6264BLP / BLSP / BLFP系列
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CS2
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚名称
A0到A12
I / O1到I / O8
CS1
CS2
功能
地址输入
数据输入/输出
片选1
片选2
引脚名称
WE
OE
NC
V
CC
V
SS
功能
写使能
OUTPUT ENABLE
无连接
电源
地
HM6264B系列
框图
A11
A8
A9
A7
A12
A5
A6
A4
I/O1
输入
数据
控制
I/O8
ROW
解码器
存储阵列
256
×
256
V
CC
V
SS
列I / O
列解码器
A1 A2 A0 A10 A3
CS2
CS1
定时脉冲发生器
读，写控制
WE
OE
HM6264B系列
功能表
WE
×
×
H
H
L
L
CS1
H
×
L
L
L
L
CS2
×
L
H
H
H
H
OE
×
×
H
L
H
L
模式
没有选择（断电）
没有选择（断电）
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O引脚
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
—
—
—
读周期（ 1 ） - （ 3 ）
写周期（ 1）
写周期（ 2）
注意：
×:
H或L
绝对最大额定值
参数
电源电压
*1
端电压
*1
功耗
工作温度
储存温度
在偏置存储温度
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
-0.5到+7.0
–0.5
*2
到V
CC
+ 0.3
*3
1.0
0至+ 70
-55到+125
-10至+85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注：1。相对于V
SS
2. V
T
分： -3.0 V脉冲半宽度
≤
50纳秒
3.最大电压为7.0 V
建议的直流工作条件
（大= 0至+ 70 ° C）
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
注意：
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
–0.3
*1
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
1. V
IL
分： -3.0 V脉冲半宽度
≤
50纳秒
HM6264B系列
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 5 V
±10%,
V
SS
= 0 V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
当前
平均运行功率
电源电流
符号最小值
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CCDC
I
CC1
—
—
—
—
典型值
*1
最大
—
—
7
30
2
2
15
45
单位
A
A
mA
mA
测试条件
VIN = V
SS
到V
CC
CS1
= V
IH
或CS2 = V
IL
or
OE
= V
IH
or
WE
= V
IL
, V
I / O
= V
SS
到V
CC
CS1
= V
IL
， CS2 = V
IH
, I
I / O
= 0毫安
其他= V
IH
/V
IL
闵周期，占空比= 100 ％ ，
CS1
= V
IL
， CS2 = V
IH
, I
I / O
= 0毫安
其他= V
IH
/V
IL
循环时间= 1
s,
占空比= 100％ ，余
I / O
= 0毫安
CS1
≤
0.2 V ， CS2
≥
V
CC
– 0.2 V,
V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V, V
IL
≤
0.2 V
CS1
= V
IH
， CS2 = V
IL
CS1
≥
V
CC
- 0.2 V ， CS2
≥
V
CC
- 0.2 V或
0 V
≤
CS2
≤
0.2 V, 0 V
≤
VIN
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
CC2
—
3
5
mA
备用电源
当前
I
SB
I
SB1
—
—
—
2.4
1
2
—
—
3
50
0.4
—
mA
A
V
V
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
注：1。典型值是在V
CC
= 5.0 V ，TA = + 25°C ，并不能保证。
电容
（ TA = 25 ° C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容
*1
输入/输出电容
*1
注意：
符号
CIN
C
I / O
民
—
—
典型值
—
—
最大
5
7
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
V
I / O
= 0 V
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
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