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HM624100H系列
4M高速SRAM ( 1 - Mword
×
4-bit)
ADE - 203-789D ( Z)
1.0版
1998年9月15日
描述
该HM624100H是4兆高速静态RAM举办1 Mword
×
4位。它实现了高速
通过采用CMOS工艺( 4-晶体管+2 - 聚电阻存储单元)和高速电路的存取时间
设计技术。它最适合于需要高的速度和高密度的应用
存储器,如高速缓存和缓冲存储器中的系统。该HM624100H打包在400密耳的32引脚SOJ
对于高密度的表面安装。
特点
单5.0 V电源: 5.0 V
±
10 %
访问时间15年10月12日毫微秒(最大)
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
工作电流: 200/180/160毫安(最大)
TTL待机电流: 70/60/50毫安(最大)
CMOS待机ccurrent : 5毫安(最大)
1.2 MA(最大值) (L -版)
数据重新拉紧电流: 0.8毫安(最大值) (L-版本)
数据卷紧电压: 2.0 V(分钟) (L -版)
中心V
CC
和V
SS
引出线类型
HM624100H系列
订购信息
型号
HM624100HJP-10
HM624100HJP-12
HM624100HJP-15
HM624100HLJP-10
HM624100HLJP-12
HM624100HLJP-15
存取时间
10纳秒
12纳秒
15纳秒
10纳秒
12纳秒
15纳秒
400万的32引脚塑料SOJ ( CP- 32dB的)
管脚配置
HM624100HJP / HLJP系列
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O1
V
CC
V
SS
I/O2
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
( TOP VIEW )
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A19
A18
A17
A16
A15
OE
I/O4
V
SS
V
CC
I/O3
A14
A13
A12
A11
A10
NC
2
HM624100H系列
引脚说明
引脚名称
A0到A19
I / O1到I / O4
CS
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
无连接
框图
( LSB )
A1
A17
A7
A11
A16
A2
A6
A5
(MSB)
国内
电压
Generater
ROW
解码器
存储矩阵
256行
×
16列
×
256块
×
4位
( 4,194,304位)
V
CC
V
SS
CS
I/O1
.
.
.
I/O4
列I / O
输入
数据
控制
列解码器
CS
A10 A8 A9 A19 A12 A13 A14 A0 A18 A15 A3 A4
WE
CS
( LSB )
(MSB)
OE
CS
3
HM624100H系列
手术床
CS
H
L
L
L
L
注意:
OE
×
H
L
H
L
×:
H或L
WE
×
H
H
L
L
模式
待机
输出禁用
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
读周期( 1 )至( 3 )
写周期( 1)
写周期( 2)
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
工作温度
储存温度
在偏置存储温度
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
-0.5到+7.0
–0.5*
1
到V
CC
+0.5*
2
1.0
0至+70
-55到+125
-10至+85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注意事项: 1, V
T
(分钟)= -2.0 V脉冲宽度(下拍摄)
8纳秒
2. V
T
(MAX) = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度(过冲)
8纳秒
建议的直流工作条件
(大= 0至+ 70 ° C)
参数
电源电压
符号
V
CC
*
3
V
SS
*
4
输入电压
V
IH
V
IL
注:1 。
2.
3.
4.
4.5
0
2.2
–0.5*
1
典型值
5.0
0
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5*
2
0.8
单位
V
V
V
V
V
IL
(分钟)= -2.0 V脉冲宽度(下拍摄)
8纳秒
V
IH
(MAX) = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度(过冲)
8纳秒
与所有V电源电压
CC
销必须在同一水平上。
与所有V电源电压
SS
销必须在同一水平上。
4
HM624100H系列
DC特性
(大= 0至+ 70 ° C,V
CC
= 5.0 V
±
10 %, V
SS
= 0V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
操作电源
电源电流
符号最小值
II
LI
I
II
LO
I
10 ns的周期我
CC
典型*
1
最大
2
2
200
单位
A
A
mA
测试条件
VIN = V
SS
到V
CC
VIN = V
SS
到V
CC
闵周期
CS
= V
IL
,糊涂人= 0毫安
其它输入= V
IH
/V
IL
12 ns的周期我
CC
15 ns的周期我
CC
备用电源
当前
10 ns的周期我
SB
12 ns的周期我
SB
15 ns的周期我
SB
I
SB1
0.1
180
160
70
60
50
5
mA
F = 0兆赫
V
CC
CS
V
CC
- 0.2 V,
(1) 0 V
VIN
0.2 V或
(2) V
CC
VIN
V
CC
- 0.2 V
mA
闵周期,
CS
= V
IH
,
其它输入= V
IH
/V
IL
—*
2
输出电压
V
OL
V
OH
2.4
0.1*
2
1.2*
2
0.4
V
V
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4毫安
注:1。典型值是在V
CC
= 5.0 V ,TA = + 25°C ,并不能保证。
2.该特征仅在L-版本保证。
电容
( TA = + 25 ° C,F = 1.0兆赫)
参数
输入电容*
1
输入/输出电容*
1
注意:
符号
CIN
C
I / O
典型值
最大
6
8
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
V
I / O
= 0 V
1,这个参数进行采样,而不是100 %测试。
5
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