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HM62256B系列
256K SRAM （ 32千字
×
8-bit)
ADE - 203-135F （ Z）
修订版6.0
1997年11月13日
描述
日立HM62256B系列是CMOS静态RAM举办的32,768字
×
8位。它实现了更高的
性能和低功耗采用0.8
m
HI- CMOS工艺技术。该
设备，封装在8
×
14毫米TSOP ， 8
×
13.4毫米的TSOP用厚度为1.2毫米， 450密耳的SOP （脚
打印间距宽度），600密耳的塑料DIP或300密耳的塑料DIP ，可用于高密度安装。它
提供低功耗待机功耗;因此，它适合于电池备份系统。
特点
单5.0 V电源： 5.0 V
±
10%
访问时间： 55纳秒/ 70纳秒/ 85纳秒（最大）
功耗：
主动： 25毫瓦（典型值） （ F = 1兆赫）
待机： 1.0
W
（典型值）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出
三态输出
直接TTL兼容所有输入和输出
电池备份操作
HM62256B系列
订购信息
型号
HM62256BLP-7
HM62256BLP-7SL
HM62256BLSP-7
HM62256BLSP-7SL
HM62256BLFP-7T
HM62256BLFP-5SLT
HM62256BLFP-7SLT
HM62256BLFP-7ULT
HM62256BLT-8
HM62256BLT-7SL
HM62256BLTM-8
HM62256BLTM-5SL
HM62256BLTM-7SL
HM62256BLTM-7UL
存取时间
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
70纳秒
85纳秒
70纳秒
85纳秒
55纳秒
70纳秒
70纳秒
8 mm
×
13.4毫米28引脚TSOP （ TFP- 28DA ）
8 mm
×
14毫米32引脚TSOP （ TFP- 32DA ）
450万28引脚塑料SOP （ FP- 28DA ）
300万28引脚塑料DIP （ DP- 28NA ）
包
600万28引脚塑料DIP （ DP- 28 ）
管脚配置
HM62256BLP / BLFP / BLSP系列
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
（ TOP VIEW ）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
2
HM62256B系列
管脚配置
（续）
HM62256BLT系列
OE
A11
NC
A9
A8
A13
WE
V
CC
A14
A12
A7
A6
A5
NC
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
（ TOP VIEW ）
HM62256BLTM系列
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
CC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A10
CS
NC
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
NC
A1
A2
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
（ TOP VIEW ）
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚说明
引脚名称
A0到A14
I / O0至I / O7
CS
WE
OE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
无连接
3
HM62256B系列
框图
V
CC
V
SS
（MSB） A12
A5
A7
A6
A8
A13
A14
A4
（ LSB ） A3
存储矩阵
512
×
512
ROW
解码器
I/O0
列I / O
列解码器
输入
数据
控制
I/O7
（ LSB ）
A2 A1 A0 A10 A9 A11
（MSB）
CS
WE
OE
定时脉冲发生器
读/写控制
4
HM62256B系列
手术床
WE
×
H
H
L
L
CS
H
L
L
L
L
OE
×
H
L
H
L
模式
待机
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O引脚
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
—
—
读周期（ 1 ）至（ 3 ）
写周期（ 1）
写周期（ 2）
注意：
×:
H或L
绝对最大额定值
参数
电源电压相到V
SS
任何引脚相对于V端子电压
SS
功耗
工作温度范围
存储温度范围
下偏置存储温度范围
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
-0.5到+7.0
–0.5*
1
到V
CC
+0.3*
2
1.0
0至+70
-55到+125
-10至+85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注意事项： 1， V
T
分： -3.0 V脉冲半宽度
≤
50纳秒
2.最大电压为7.0 V
直流工作条件
（大= 0至+ 70 ° C）
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入高电压
输入低电压
注意：
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
–0.5*
1
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
笔记
1. V
IL
分： -3.0 V脉冲半宽度
≤
50纳秒
5
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