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日期： 2002年10月4日
日立半导体技术更新
分类
生产
内存
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分类
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TN-M62-112A/E
规格变化
文件的补充
使用限制
变化面膜
改变生产线
转
1
主题
SRAM ：使用注意事项
LOT号
产品
名字
所有的4 - Mbit的速度快
SRAM C-面膜
制品
所有批次
参考
文件
日立IC存储器数据表
ADE-203-1196B(Z)/1198B(Z)/1199B(Z)/
1200C(Z)/1294D(Z)/1202C(Z)/1263A(Z)
/1283A(Z)/1304A(Z)/1305A(Z)
生效日期
永久
由于SRAM产品崛起的运行速度，保证了各种设计裕度越来越
难。因此，存在噪声的从输入信号或电源的可能性增加
线作为一个障碍的SRAM产品的正常运行。为了避免故障的4兆位
快速SRAM （C面罩）产品时，请注意以下几点。
1.公告
在执行写与 - 验证与一个4M比特的快速SRAM （C-掩模）的产品操作，不正确的数据
由于噪声可以被读等，即使当数据已经被正确写入（参见图1和注
1） 。不会出现这个问题有进一步的读操作。如果您有类型的问题
描述或您的项目可能会受到此类问题，请点下面的相应
对策。
2.对策
请申请对策（ 1 ）和（ 2 ）根据您的具体情况如下。
（ 1）避免在同一周期中，因为下面的写操作执行所读取的验证。验证
输入地址或开关/ CS信号后写入的数据。
（2 ）请确认您的设计不会受到因变形或倾斜的不良影响
嚣的输入波形（图2）。确定在DIN数据后，驱动器/ WE低（写） （见图3 ） 。
添加
/ CS
/ OE
/ WE
DIN
STRB
读操作
电压
/D
D
固定到一个低电平
*1:
写校验：当数据写入在同
地址周期中，执行数据读取操作。
输入阈值电压
图1.写时序验证
/ WE
DIN
/D
D
经过DIN数据
确定，驱动/ WE低。
输入波形的失真
图3写校验时序（应用对策）
喧嚣的波形偏斜
时间
图2锭输入波形
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