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EO
描述
特点
HM538253B系列
HM538254B系列
2M的VRAM ( 256千字
×
8-bit)
超页模式( HM538254B )
该HM538253B / HM538254B是2兆位多端视频RAM配备有256千字
×
8位的动态
RAM和一个512字
×
8位的SAM (全尺寸,SAM) 。它的RAM和SAM独立运作,
异步。该HM538253B / HM538254B与HM534253B / HM538123B向上兼容
除了伪写传输周期被替换为掩蔽写传输周期,这已
经JEDEC 。此外,一些新的功能已被添加到HM538253B / HM538254B
不与常规的功能相冲突。停止栏功能可以实现更大
灵活拆分SAM寄存器的长度。持久性掩模根据TMS34020还安装
功能。该HM538254B拥有超页模式,实现了快速页面周期。
多端口企业: RAM和SAM可以异步和同步操作:
RAM : 256千字
×
8-bit
SAM : 512字
×
8-bit
存取时间
RAM : 70纳秒/ 80纳秒/ 100 ns(最大值)
SAM : 20纳秒/ 23纳秒/ 25 ns(最大值)
周期
RAM : 130纳秒/ 150纳秒/ 180 ns(最小值)
SAM : 25纳秒/ 28纳秒/ 30 ns(最小值)
低功耗
活跃
RAM : 605毫瓦/ 550毫瓦/ 495毫瓦
SAM : 358毫瓦/ 330毫瓦/ 303毫瓦
待机38.5毫瓦最大
蒙面写传输周期能力
停车列功能的能力
持续的屏蔽能力
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
LP
E0163H10 (版本1.0 )
(上ADE - 203-264A / 265 ( Z) )
2001年7月6日( K)
ro
du
ct
HM538253B / HM538254B系列
快页模式功能( HM538253B )
周期时间:
电源RAM :
周期时间:
电源RAM :
45纳秒/ 50纳秒/ 55纳秒
605毫瓦/ 578毫瓦/ 550毫瓦
35纳秒/ 40纳秒/ 45纳秒
715毫瓦/ 660毫瓦/ 605毫瓦
EO
TTL兼容
型号
HM538253BJ-7
HM538253BJ-8
HM538253BJ-10
HM538254BJ-7
HM538254BJ-8
HM538254BJ-10
HM538253BTT-7
HM538253BTT-8
HM538253BTT-10
HM538254BTT-7
HM538254BTT-8
HM538254BTT-10
2
超页模式功能( HM538254B )
面膜写模式功能
RAM和SAM能力之间的双向数据传输周期
分割传输周期能力
块写入模式功能
Flash写模式功能
刷新3变化( 8毫秒/ 512次)
RAS-只
刷新
CAS先于RAS
刷新
隐藏刷新
订购信息
LP
存取时间
70纳秒
80纳秒
100纳秒
70纳秒
80纳秒
100纳秒
70纳秒
80纳秒
100纳秒
70纳秒
80纳秒
100纳秒
数据表E0163H10
ro
包
400万, 40引脚塑料SOJ ( CP- 40D )
44引脚薄型小尺寸封装( TTP - 44 / 40DA )
du
ct