HM538123B系列
1M的VRAM （ 128千字
×
8-bit)
ADE - 203-231D （ Z）
修订版4.0
1997年11月
描述
该HM538123B是1兆位多端口视频RAM配备有128千字
×
8位的动态RAM和一个
256-word
×
8位的SAM （串行存取存储器） 。它的RAM和SAM独立运作，
异步。它可以RAM和SAM之间传送数据。此外，它有两种模式，以实现快速
写在RAM中。块写入和闪存的写入模式明确了4个字中的数据
×
8位和1行的数据
(256-word
×
在RAM中的一个周期的8位）分别。和HM538123B使得分割传输周期
可以通过将SAM为两个分裂的缓冲区配备了128字
×
每个8位。这个周期可以
将数据传输到SAM的这是不活动的，并允许连续的串行访问。
特点
多端口企业
RAM和SAM能力异步和同步操作
RAM ： 128千字
×
8位和
SAM ： 256字
×
8-bit
存取时间
RAM ： 60纳秒/ 70纳秒/ 80纳秒/ 100 ns（最大值）
SAM ： 20纳秒/ 22纳秒/ 25纳秒/ 25 ns（最大值）
周期
RAM ： 125纳秒/ 135纳秒/ 150纳秒/ 180 ns（最小值）
SAM ： 25纳秒/ 25纳秒/ 30纳秒/ 30 ns（最小值）
低功耗
主动RAM ： 413毫瓦最大
SAM ： 275毫瓦最大
待机38.5毫瓦最大
高速页面模式的能力
面膜写模式功能
RAM和SAM能力之间的双向数据传输周期
分割传输周期能力
块写入模式功能
Flash写模式功能
HM538123B系列
刷新3变化（ 8毫秒/ 512次）
5$6
- 仅刷新
&$6
-before-
5$6
刷新
隐藏刷新
TTL兼容
订购信息
型号
HM538123BJ-6
HM538123BJ-7
HM538123BJ-8
HM538123BJ-10
存取时间
60纳秒
70纳秒
80纳秒
100纳秒
包
400万40引脚塑料SOJ （ CP- 40D ）
2
HM538123B系列
引脚功能
5$6
（输入引脚） ：
是一个基本的RAM中的信号。它是有源低级别和待机中的较高水平。排
地址和如表1所示的信号输入时的下降沿
5$6
。这些信号的输入电平
确定HM538123B的操作周期。
5$6
表1
该HM538123B的操作周期
输入电平的下降沿
5$6
&$6
L
H
H
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H
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L
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X
X
X
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X
X
X
DSF在下降沿
DSF
X
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L
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L
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L
H
&$6
—
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
X
操作模式
CBR刷新
写传输
拟转让
斯普利特写传输
阅读转移
斯普利特读取传输
读/写面膜
面膜块写入
Flash写
读/写
块写
读套色/写
注： X;不在乎
&$6
（输入引脚） ：
列地址和DSF信号的下降沿被取入芯片
&$6
，这
确定HM538123B的操作模式。
&$6
控制I / O的RAM中的输出阻抗。
A0 - A8 （输入引脚） ：
行地址（ AX0 - AX8 ） - 在下降沿A8的水平由A0确定
5$6
。列地址（ AY0 - AY7 ） - 在下降沿A7的电平由A0确定
&$6
。在转移
个周期，行地址是其与SAM的数据寄存器和列传送数据的字线的地址
地址是在SAM转印后的起始地址。
销具有两个功能在下降沿
5$6
后。当
:(
是低的
的下降沿
5$6
时， HM538123B变成掩模写入模式。根据当时的I / O级别，
写在每个I / O可以被屏蔽。 （
:(
在下降沿电平
5$6
是不小心在读周期）。当
:(
是高时的下降沿
5$6
时，执行正常写周期。之后，
:(
开关的读/写
周期作为一个标准的DRAM 。在一个传输周期中，传输的方向是由下式确定
:(
在级别
下降沿
5$6
。当
:(
是低电平时，数据从SAM传送到RAM（数据被写入到
RAM），以及当
:(
是高电平时，数据从RAM传送到SAM （数据被从RAM中读出） 。
:(
:(
（输入引脚） ：
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