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HM530281R系列
331,776-word
×
8位的帧存储器
ADE-203-251B
1.0版
1997年6月6日
描述
该HM530281R系列内存产品提供完全异步I / O和高操作
速度为50兆赫。该HM530281R系列内存产品提供复位,跳,行增量/保持
可用于同步地独立时钟在每一个I / O的指针控制功能
端口。内存可以立即对这些执行后访问,而无需任何等待期
功能。除了在FIFO功能, 281R系列产品支持的地址结构,它是
与HDTV ,NTSC和PAL标准兼容,并且可以在宽范围的应用中使用,例如
作为噪声减速器, TBC (时基校正) ,帧间YC分离,特殊功能的模式
(例如,多冻结,P-在- P),在数字电视,VCR和摄像机应用。它们也是合适
用作系统间速度转换缓冲存储器中的通信系统中,作为高速缓冲存储器
硬盘驱动器和MOD ,并作为VGA的帧缓冲器。
特点
组织: 331776字
×
8-bit
完全串行的异步操作读端口和写端口。
内置新一代的读写地址
提供片上内存操作控制
高速读/写周期时间: 50兆赫
复位,跳跃功能
用于读写端口独立的执行
可与任意时刻执行
允许执行之后立即访问(读/写) (用于跳转功能,在地址设置时,
已完成)
跳转地址,可指定在32字为单位
2维地址
行增量/保持地址指针控制功能
窗扫描功能
数据表标题
可处理HDTV ,NTSC和PAL标准
线长度:最多1152比特(任意线路长度也可以通过使用线复位处理
功能)。
行数:最多324线
内置的自刷新省去了外部刷新控制。
电源电压: V
CC
= 5.0 V
±
10%.
订购信息
型号
HM530281RTT-20
HM530281RTT-25
HM530281RTT-34
HM530281RTT-45
周期
20纳秒
25纳秒
34纳秒
45纳秒
存储器组织
331776字
×
8位
*2
1152点
×
288线
×
8位
*3
1024点
×
324线
×
8位
44针TSOP ( TTP-提供44dB )
注:1.可选择以下2种寻址方式通过模式引脚
2. 1三维寻址方式
3.二维寻址模式
管脚配置
Din0
Din1
Din2
Din3
Din4
Din5
Din6
Din7
V
SS
V
CC
WE
CGW
WCK
WRS
WLRS
WCLR
WWND
WAD
MODE0
MODE1
TEST0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
( TOP VIEW )
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
Dout0
Dout1
Dout2
Dout3
Dout4
Dout5
Dout6
Dout7
V
SS
V
CC
OE
CGR
RCK
RRS
RLRS
RCLR
RWND
RAS
拉德
TEST1
TEST2
TEST3
2
数据表标题
引脚说明
功能
符号
DIN0到DIN7
Dout0到Dout7
WCK
RCK
WRS
RRS
WE
OE
CGW
CGR
WAD
RAS
拉德
WLRS
RLRS
WWND
RWND
WCLR
RCLR
模式0 1
V
CC
V
SS
TEST0到TEST3
2维地址
数据输入
数据输出
写时钟
读时钟
写复位
读出复位
写使能
OUTPUT ENABLE
写时钟门
读时钟门
写地址设置
写地址
阅读地址集
阅读地址
写线复位
读线复位
撰写窗口模式
阅读窗口模式
写清楚
CLEAR READ
模式选择输入
电源
连接到接地
1维地址
数据输入
数据输出
写时钟
读时钟
写复位
读出复位
写使能
OUTPUT ENABLE
写时钟门
读时钟门
写地址设置
写地址
阅读地址集
阅读地址
V
CC
或GND
V
CC
或GND
V
CC
或GND
V
CC
或GND
V
CC
或GND
V
CC
或GND
模式选择输入
电源
连接到接地
3
数据表标题
框图
32-word
×
8
写数据寄存器
写数据缓冲区
32-word
×
8
内存
ARRAY
32-word
×
8
32-word
×
8
读取数据寄存器
×
8
DIN
WE
读数据缓冲器
×
8
DOUT
OE
1152点
×
288行
×
8*
1
1024点
×
324行
×
8*
1
10368点
×
32字
×
8*
1
WCK
CGW
WRS
WAD
WLRS
WWND
WCLR
计数器
内存
调节器
计数器
RCK
CGR
刷新
计数器
RRS
RAS
拉德
RLRS
RWND
RCLR
注: 1。通过模式选择引脚
绝对最大额定值
参数
引脚电压
*1
功耗
工作温度
储存温度
储存温度(偏置时)
注意:
符号
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
-1.0到+7.0
1.0
0至+70
-55到+125
-10至+85
单位
V
W
°C
°C
°C
1.相对于V的允许值
SS
.
4
数据表标题
建议的直流工作条件
(大= 0至+70
°
C)
参数
电源电压
符号
V
CC
V
SS
输入电压
V
IH
V
IL
注意:
4.5
0
2.7
–0.5
*1
典型值
5
0
最大
5.5
0
6.5
0.6
单位
V
V
V
V
1.当脉冲宽度是在10纳秒,V
IL
MIN = -3.0 V.
DC特性
(V
CC
= 5.0 V
±
10%, V
SS
= 0 V ,TA = 0至+70
°
C)
HM530281-20
HM530281-25
HM530281-34
HM530281-45
TEST
参数符号最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值单位条件
操作
动力
供应
当前
待机
动力
供应
当前
输入
泄漏
当前
产量
泄漏
当前
产量
电压
I
CCA
110 135 —
90
120 —
70
95
55
75
mA
IOUT = 0 ,
t
华西都市报
= t
RCC
=
V
CC
= 5.5 V
WCK , RCK =
“L”修复
V
CC
= 5.5 V,
VIN = V
SS
to
V
CC
OE = Vin的
VOUT = V
SS
to
V
CC
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
CCS
15
25
15
25
15
25
15
25
mA
I
LI
–10 —
10
–10 —
10
–10 —
10
–10 —
10
mA
I
LO
–10 —
10
–10 —
10
–10 —
10
–10 —
10
mA
V
OL
V
OH
2.4
0.4
2.4
0.4
2.4
0.4
2.4
0.4
V
V
电容
*1
参数
输入电容
输出电容
注意:
符号
CIN
COUT
典型值
最大
5
7
单位
pF
pF
TEST
条件
VIN = 0 V
VOUT = 0 V
1.这些参数的采样值,测量各单位没有价值。
5
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