HM514260C系列
HM51S4260C系列
262,144-word
×
16位的动态随机存取存储器
ADE - 203-260A ( Z)
1.0版
1995年6月12日
描述
日立HM51 ( S) 4260C的CMOS动态RAM组织为262,144字
×
16位。 HM51 (S) - 4260C
已通过采用0.8来实现更高密度,更高的性能和各种功能
m
CMOS工艺
技术和一些新的CMOS电路设计技术。该HM51 ( S) 4260C提供了快速页面模式的
高速存取模式。复用地址输入允许HM51 (S ) 4260C标准进行打包
400万40引脚塑料SOJ和标准400万44引脚塑料TSOPII 。内部刷新定时器使
HM51S4260C自刷新操作。
特点
采用5 V ( ± 10 % ) ( HM51 (S ) 4260C -6/ 7/8 )
(±5% )( HM51 (S) - 4260C -6R )
高速
- 存取时间: 60纳秒/ 70纳秒/ 80纳秒(最大)
低功耗
- 主动模式: 825毫瓦/ 788毫瓦/ 770毫瓦/ 688毫瓦(最大)
- 待机模式: 11毫瓦(最大) ( HM51 (S) - 4260C -6 /7/ 8)的
10.5万千瓦(最大) ( HM51 (S ) 4260C - 6R )
1.1毫瓦(最大) (L-版)( HM51 (S) - 4260C -6 /7/ 8)的
1.05毫瓦(最大) (L-版)( HM51 (S) - 4260C -6R )
快页模式功能
512更新周期: 8毫秒
128毫秒(L-版本)
2
CAS字节
控制
刷新2变化
—
RAS-只
刷新
—
CAS先于RAS
刷新
电池备份操作( L-版)
自刷新操作( HM51S4260C )
HM514260C , HM51S4260C系列
订购信息
型号
HM514260CJ-6
HM514260CJ-6R
HM514260CJ-7
HM514260CJ-8
HM514260CLJ-6
HM514260CLJ-6R
HM514260CLJ-7
HM514260CLJ-8
HM51S4260CJ-6
HM51S4260CJ-6R
HM51S4260CJ-7
HM51S4260CJ-8
HM51S4260CLJ-6
HM51S4260CLJ-6R
HM51S4260CLJ-7
HM51S4260CLJ-8
HM514260CTT-6
HM514260CTT-6R
HM514260CTT-7
HM514260CTT-8
HM514260CLTT-6
HM514260CLTT-6R
HM514260CLTT-7
HM514260CLTT-8
HM51S4260CTT-6
HM51S4260CTT-6R
HM51S4260CTT-7
HM51S4260CTT-8
HM51S4260CLTT-6
HM51S4260CLTT-6R
HM51S4260CLTT-7
HM51S4260CLTT-8
存取时间
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
400厂44引脚塑料TSOP II ( TTP - 44 / 40DB )
包
400厂40引脚塑料SOJ ( CP- 40DA )
2
HM514260C , HM51S4260C系列
操作模式
该HM51 ( S) 4260C系列有以下11个操作模式。
1.读周期
2.早期写周期
3.延迟写入周期
4.读 - 修改 - 写周期
5.
RAS-只
刷新周期
6.
CAS先于RAS
刷新周期
7.自我更新周期( HM51S4260C )
8.快速页面模式读取周期
9.快速页面模式初期写入周期
10.快速页面模式延迟写入周期
11.快速页面模式读 - 修改 - 写周期
输入
RAS
H
H
L
L
L
L
L
H到L
LCAS
H
L
L
L
L
L
H
H
L
L
L
L
L
L
L
H到L
H到L
H到L
H到L
L
UCAS
H
L
L
L
L
L
H
L
H
L
H到L
H到L
H到L
H到L
L
H
L*
2
L*
2
H到L
H
L
D
H
的LtoH
H
有效
开放
未定义
有效
开放
快速页面模式读取周期
快速页模式早期写周期
快速页模式延迟写入周期
快速页模式的读 - 修改 - 写周期
读周期(禁止输出)
WE
D
H
H
L*
2
L*
2
H到L
D
D
OE
D
L
L
D
H
的LtoH
D
D
产量
开放
有效
有效
开放
未定义
有效
开放
开放
手术
待机
待机
读周期
早期写周期
延迟写入周期
读 - 修改 - 写周期
RAS-只
刷新周期
CAS先于RAS
刷新周期
自刷新周期( HM51S4260C )
注意事项: 1, H:高(无效) L:低(有效) D: H或L
2. t
WCS
≥
NS 0
早期写周期
t
WCS
< 0 NS
延迟写入周期
3.模式是通过的OR函数确定
UCAS
和
LCAS 。
(模式由最早的设定
UCAS
和
LCAS
由最新的主动力和复位
UCAS
和
LCAS
无效边沿)。然而
写操作和输出HIZ控制由每个独立完成
UCAS , LCAS 。
恩。如果
RAS
= H到L ,
LCAS
= L,
UCAS
= H,则
CAS先于RAS
刷新周期被选择。
5
HM514260C系列
HM51S4260C系列
262,144-word
×
16位的动态随机存取存储器
ADE - 203-260A ( Z)
1.0版
1995年6月12日
描述
日立HM51 ( S) 4260C的CMOS动态RAM组织为262,144字
×
16位。 HM51 (S) - 4260C
已通过采用0.8来实现更高密度,更高的性能和各种功能
m
CMOS工艺
技术和一些新的CMOS电路设计技术。该HM51 ( S) 4260C提供了快速页面模式的
高速存取模式。复用地址输入允许HM51 (S ) 4260C标准进行打包
400万40引脚塑料SOJ和标准400万44引脚塑料TSOPII 。内部刷新定时器使
HM51S4260C自刷新操作。
特点
采用5 V ( ± 10 % ) ( HM51 (S ) 4260C -6/ 7/8 )
(±5% )( HM51 (S) - 4260C -6R )
高速
- 存取时间: 60纳秒/ 70纳秒/ 80纳秒(最大)
低功耗
- 主动模式: 825毫瓦/ 788毫瓦/ 770毫瓦/ 688毫瓦(最大)
- 待机模式: 11毫瓦(最大) ( HM51 (S) - 4260C -6 /7/ 8)的
10.5万千瓦(最大) ( HM51 (S ) 4260C - 6R )
1.1毫瓦(最大) (L-版)( HM51 (S) - 4260C -6 /7/ 8)的
1.05毫瓦(最大) (L-版)( HM51 (S) - 4260C -6R )
快页模式功能
512更新周期: 8毫秒
128毫秒(L-版本)
2
CAS字节
控制
刷新2变化
—
RAS-只
刷新
—
CAS先于RAS
刷新
电池备份操作( L-版)
自刷新操作( HM51S4260C )
HM514260C , HM51S4260C系列
订购信息
型号
HM514260CJ-6
HM514260CJ-6R
HM514260CJ-7
HM514260CJ-8
HM514260CLJ-6
HM514260CLJ-6R
HM514260CLJ-7
HM514260CLJ-8
HM51S4260CJ-6
HM51S4260CJ-6R
HM51S4260CJ-7
HM51S4260CJ-8
HM51S4260CLJ-6
HM51S4260CLJ-6R
HM51S4260CLJ-7
HM51S4260CLJ-8
HM514260CTT-6
HM514260CTT-6R
HM514260CTT-7
HM514260CTT-8
HM514260CLTT-6
HM514260CLTT-6R
HM514260CLTT-7
HM514260CLTT-8
HM51S4260CTT-6
HM51S4260CTT-6R
HM51S4260CTT-7
HM51S4260CTT-8
HM51S4260CLTT-6
HM51S4260CLTT-6R
HM51S4260CLTT-7
HM51S4260CLTT-8
存取时间
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
400厂44引脚塑料TSOP II ( TTP - 44 / 40DB )
包
400厂40引脚塑料SOJ ( CP- 40DA )
2
HM514260C , HM51S4260C系列
操作模式
该HM51 ( S) 4260C系列有以下11个操作模式。
1.读周期
2.早期写周期
3.延迟写入周期
4.读 - 修改 - 写周期
5.
RAS-只
刷新周期
6.
CAS先于RAS
刷新周期
7.自我更新周期( HM51S4260C )
8.快速页面模式读取周期
9.快速页面模式初期写入周期
10.快速页面模式延迟写入周期
11.快速页面模式读 - 修改 - 写周期
输入
RAS
H
H
L
L
L
L
L
H到L
LCAS
H
L
L
L
L
L
H
H
L
L
L
L
L
L
L
H到L
H到L
H到L
H到L
L
UCAS
H
L
L
L
L
L
H
L
H
L
H到L
H到L
H到L
H到L
L
H
L*
2
L*
2
H到L
H
L
D
H
的LtoH
H
有效
开放
未定义
有效
开放
快速页面模式读取周期
快速页模式早期写周期
快速页模式延迟写入周期
快速页模式的读 - 修改 - 写周期
读周期(禁止输出)
WE
D
H
H
L*
2
L*
2
H到L
D
D
OE
D
L
L
D
H
的LtoH
D
D
产量
开放
有效
有效
开放
未定义
有效
开放
开放
手术
待机
待机
读周期
早期写周期
延迟写入周期
读 - 修改 - 写周期
RAS-只
刷新周期
CAS先于RAS
刷新周期
自刷新周期( HM51S4260C )
注意事项: 1, H:高(无效) L:低(有效) D: H或L
2. t
WCS
≥
NS 0
早期写周期
t
WCS
< 0 NS
延迟写入周期
3.模式是通过的OR函数确定
UCAS
和
LCAS 。
(模式由最早的设定
UCAS
和
LCAS
由最新的主动力和复位
UCAS
和
LCAS
无效边沿)。然而
写操作和输出HIZ控制由每个独立完成
UCAS , LCAS 。
恩。如果
RAS
= H到L ,
LCAS
= L,
UCAS
= H,则
CAS先于RAS
刷新周期被选择。
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