EO
描述
特点
HM5117805系列
16M的EDO DRAM （2- Mword
×
8-bit)
2 k刷新
E0156H10 （版本1.0 ）
（上ADE - 203-630D （ Z） ）
2001年6月27日
该HM5117805是一个C MOS动态 AM奥尔加nize D 2 ， 097152 -W ORD
×
8位。它采用了最
ADVA NCE维C MOS TEC hnology高每备考NCE和低鲍威河该HM5117805断器延长器达TA
输出（ ED O） P年龄模式为高段速度AC CE SS模式。每MITS的HM5117805到Multiplexe 地址输入ESS
被封装在标准的28引脚塑料SOJ和28引脚TSOP 。
采用5 V （ ± 10 ％ ）
访问时间： 50纳秒/ 60纳秒/ 70纳秒（最大）
功耗
主动模式： 605毫瓦/ 550毫瓦/ 495毫瓦（最大）
待机模式： 11毫瓦（最大）
： 0.83毫瓦（最大） （L-版本）
EDO页面模式功能
龙刷新周期
2048刷新周期： 32毫秒
： 128毫秒（L-版本）
刷新4变化
RAS-只
刷新
CAS先于RAS
刷新
隐藏刷新
自刷新（L-版本）
电池备份操作（ L-版）
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
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HM5117805系列
订购信息
型号
存取时间
50纳秒
60纳秒
70纳秒
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50纳秒
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70纳秒
400万28引脚塑料TSOP II （ TTP - 28DA ）
300万28引脚塑料SOJ （ CP- 28DNA ）
包
400万28引脚塑料SOJ （ CP- 28DA ）
HM5117805J-5
HM5117805J-6
HM5117805J-7
EO
HM5117805LJ-5
HM5117805LJ -6
HM5117805LJ -7
HM5117805S-5
HM5117805S-6
HM5117805S-7
HM5117805LS-5
HM5117805LS-6
HM5117805LS-7
HM5117805TT-5
HM5117805TT-6
HM5117805TT-7
HM5117805LTT-5
HM5117805LTT-6
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HM5117805TS-5
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HM5117805TS-7
HM5117805LTS-5
HM5117805LTS-6
HM5117805LTS-7
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50纳秒
60纳秒
70纳秒
50纳秒
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数据表E0156H10
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300万28引脚塑料TSOP II （ TTP - 28DB ）
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