HM5117800系列
16M的FP DRAM（ 2 Mword
×
8-bit)
2 k刷新
ADE - 203-632E （ Z）
修订版5.0
1997年11月
描述
日立HM5117800是CMOS动态RAM举办2,097,152字
×
8位。它采用了
最先进的CMOS技术的高性能和低功耗。该HM5117800提供快速页面
模式为高速存取模式。复用地址输入允许HM5117800在被包装
标准的28引脚塑料SOJ和28引脚TSOP 。
特点
采用5 V （ ± 10 ％ ）
高速
访问时间： 60纳秒/ 70纳秒（最大）
功耗
主动模式： 550MW / 495毫瓦（最大）
待机模式： 11毫瓦（最大）
： 0.83毫瓦（最大） （L-版本）
快页模式功能
龙刷新周期
2048刷新周期： 32毫秒
： 128毫秒（L-版本）
刷新4变化
RAS-只
刷新
CAS先于RAS
刷新
隐藏刷新
自刷新（L-版本）
电池备份操作（ L-版）
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HM5117800系列
订购信息
型号
HM5117800J-6
HM5117800J-7
HM5117800LJ -6
HM5117800LJ -7
HM5117800S-6
HM5117800S-7
HM5117800LS-6
HM5117800LS-7
HM5117800TT-6
HM5117800TT-7
HM5117800LTT-6
HM5117800LTT-7
HM5117800TS-6
HM5117800TS-7
HM5117800LTS-6
HM5117800LTS-7
存取时间
60纳秒
70纳秒
60纳秒
70纳秒
60纳秒
70纳秒
60纳秒
70纳秒
60纳秒
70纳秒
60纳秒
70纳秒
60纳秒
70纳秒
60纳秒
70纳秒
300万28引脚塑料TSOP II （ TTP - 28DB ）
400万28引脚塑料TSOP II （ TTP - 28DA ）
300万28引脚塑料SOJ （ CP- 28DNA ）
包
400万28引脚塑料SOJ （ CP- 28DA ）
2
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HM5117800系列
管脚配置
HM5117800J / LJ系列
HM5117800S / LS系列
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
HM5117800TT / LTT系列
HM5117800TS / LTS系列
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
（ TOP VIEW ）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚名称
A0到A10
功能
地址输入
I / O0至I / O7
RAS
CAS
WE
OE
V
CC
V
SS
NC
行/刷新地址A0到A10
列地址
A0到A9
数据输入/输出的数据
行地址选通
列地址选通
读/写使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
无连接
3
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HM5117800系列
框图
RAS
CAS
WE
OE
定时和控制
A0
A1
to
A9
行解码器
COLUMN
地址
缓冲器
列解码器
2M阵列
2M阵列
2M阵列
2M阵列
2M阵列
2M阵列
2M阵列
2M阵列
I / O缓冲器
I/O0
to
I/O7
ROW
地址
缓冲器
A10
4
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绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
电源电压相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
V
CC
IOUT
P
T
TOPR
TSTG
价值
-1.0到+7.0
-1.0到+7.0
50
1.0
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
建议的直流工作条件
（大= 0至+ 70 ° C）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
注意：
1.所有的电压被称为V
SS
.
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.4
–1.0
典型值
5.0
—
—
最大
5.5
6.5
0.8
单位
V
V
V
记
1
1
1
5
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