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C-MOS 4194304字· 8位动态RAM
顶视图
9
HM5117400AS7GS (1/2)
IL22
1
的I / O 1 2
I / O2 3
WE
IN
4
RAS
IN
5
V
DD
(+5V)
GND 26
25 I / O4
24 I / O3
23 CAS
IN
22 OE
IN
21 A9
IN
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
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I/O2
I/O3
I/O4
2
3
24
25
10
11
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16
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21
8
6 NC
22
23
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OE
CAS
WE
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A10
IN
8
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IN
9
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IN
10
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IN
11
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IN
12
13
V
DD
(+5V)
19 A8
IN
18 A7
IN
17 A6
IN
16 A5
IN
5
15 A4
IN
GND 14
输入
A0 - A10
CAS
OE
RAS
WE
;地址
;列地址选通信
; OUTPUT ENABLE
;行地址选通信
;读/写使能
输入/输出
I / O1 - I / O4 ;数据
HM5117400AS7GS (2/2)
RAS
RAS CONT 。
电路
CAS
CAS CONT 。
电路
WE
WE续。
电路
OE
OE CONT 。
电路
256K的存储单元阵列
SENSE AMP 。 & I / O总线
256K的存储单元阵列
SENSE AMP 。 & I / O总线
256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
SENSE AMP 。 & I / O总线
256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
SENSE AMP 。 & I / O总线
256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
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256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
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I / O 4个缓冲
I / O 4
256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
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256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
ROW
解码器
&放大器;
司机
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256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
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256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
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256K的存储单元阵列
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256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
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256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
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I / O缓冲器3
I / O 3
256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
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256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
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256K的存储单元阵列
列译码器& DRIVER
256K的存储单元阵列
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I / O缓冲器2
I / O 2
256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
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256K的存储单元阵列
256K的存储单元阵列
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256K的存储单元阵列
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列地址缓冲器
地址A0 -A10
256K的存储单元阵列
行地址缓冲器
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C-MOS 4194304字· 8位动态RAM
顶视图
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HM5117400AS7GS (1/2)
IL22
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I / O2 3
WE
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IN
5
V
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(+5V)
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(+5V)
19 A8
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15 A4
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GND 14
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A0 - A10
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OE
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WE
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;列地址选通信
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输入/输出
I / O1 - I / O4 ;数据
HM5117400AS7GS (2/2)
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地址A0 -A10
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HM5117400AS7GS
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HM5117400AS7GS
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