HM5116100系列
16M的FP DRAM（ 16 Mword
×
1-bit)
4K的刷新
ADE - 203-646E （ Z）
修订版5.0
1997年11月
描述
日立HM5116100是CMOS动态RAM主办16777216字
×
1位。它采用了
最先进的0.5微米CMOS工艺的高性能和低功耗。该HM5116100报价
快速页模式为高速存取模式。它封装在26引脚塑料SOJ 。
特点
采用5 V （ ± 10 ％ ）
访问时间： 60纳秒/ 70纳秒（最大）
功耗
主动模式： 440毫瓦/ 385毫瓦（最大）
待机模式11毫瓦（最大）
快页模式功能
刷新周期
4096刷新周期： 64毫秒
刷新3变化
RAS-只
刷新
CAS先于RAS
刷新
隐藏刷新
测试功能
16位并行测试模式
订购信息
型号
HM5116100S-6
HM5116100S-7
存取时间
60纳秒
70纳秒
包
300万26引脚塑料SOJ （ CP- 26 / 24DB ）
HM5116100系列
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V)
HM5116100
-6
参数
工作电流
*1, *2
待机电流
符号
I
CC1
I
CC2
民
—
—
最大
80
2
-7
民
—
—
最大
70
2
单位
mA
mA
测试条件
t
RC
=分钟
TTL接口
RAS ， CAS
= V
IH
DOUT =高阻
CMOS接口
RAS ， CAS
≥
V
CC
– 0.2V
DOUT =高阻
t
RC
=分钟
RAS
= V
IH
,
CAS
= V
IL
DOUT =启用
t
RC
=分钟
t
PC
=分钟
0 V
≤
VIN
≤
7 V
0 V
≤
VOUT
≤
7 V
DOUT =禁用
高IOUT = -5毫安
低IOUT = 4.2毫安
—
1
—
1
mA
RAS-只
刷新当前
*2
待机电流
*1
CAS先于RAS
刷新当前
快页模式电流
*1, *3
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
I
CC3
I
CC5
I
CC6
I
CC7
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
—
—
—
—
–10
–10
2.4
0
80
5
80
70
10
10
V
CC
0.4
—
—
—
—
–10
–10
2.4
0
70
5
70
60
10
10
V
CC
0.4
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
注：1。我
CC
依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我
CC
最大值是在指定
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少，而改变
RAS
= V
IL
.
3.地址可以一次或更少，而改变
CAS
= V
IH
.
电容
（ TA = 25 ° C，V
CC
= 5 V
±
10%)
参数
输入电容（地址，数据中）
输入电容（时钟）
输出电容（数据输出）
符号
C
I1
C
I2
C
O
典型值
—
—
—
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
笔记
1
1
1, 2
注：1.电容与Booton仪表或有效电容测量方法测量。
2.
CAS
= V
IH
禁用Dout的。
5
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