添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第401页 > HM4-65642B/883
HM-65642/883
1997年3月
8K ×8的异步
CMOS静态RAM
描述
在HM- 883分之65642是CMOS 8192 ×8位的静态随机
存取存储器。引脚排列是JEDEC的28引脚, 8位
标准,可以方便地存储板布局哪些
适应各种行业标准ROM , PROM ,
EPROM , EEPROM和RAM中。在HM- 883分之65642是理想
适合于在基于微处理器的系统中使用。在particu-
LAR ,接口与Intersil的80C86和80C88微处理器的
处理机是简化的通过方便的输出使能( G)
输入。
在HM- 883分之65642是一个完整的CMOS RAM ,它利用
阵列6晶体管( 6T)的存储单元的最稳定
而最低的待机电流在整个mili-
tary温度范围。除了这一点,高稳定性
在6T RAM单元提供卓越的保护,防止软
错误引起的噪声和α粒子。这种稳定性也
提高了RAM超过了四人的耐辐射
晶体管或MIX -MOS ( 4T )设备
特点
该电路耗时要按照MIL -STD-
883是完全符合根据的规定
第1.2.1 。
全CMOS设计
六晶体管存储单元
低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .100μA
低工作电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
快速地址访问时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为150ns
低数据保持电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V
CMOS / TTL兼容输入/输出
JEDEC批准引脚
平等周期和访问时间
无时钟或选通所需
选通输入
- 没有上拉或下拉电阻要求
温度范围-55
o
C至+ 125
o
C
易于与微处理器的接口
双芯片使能控制
订购信息
CERDIP
CLCC
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
150ns/75A
HM1-65642B/883
HM4-65642B/883
150ns/150A
HM1-65642/883
HM4-65642/883
200ns/250A
HM1-65642C/883
-
PKG 。号
F28.6
J32.A
引脚配置
HM- 883分之65642 ( CERDIP )
顶视图
NC 1
A12 2
A7 3
A6 4
A5 5
A4 6
A3 7
A2 8
A1 9
A0 10
DQ0 11
DQ1 12
DQ2 13
GND 14
28 VCC
27 W
26 E2
25 A8
24 A9
23 A11
22 G
21 A10
20 E1
19 DQ7
18 DQ6
17 DQ5
16 DQ4
15 DQ3
A6
A5
A4
A3
A2
5
6
7
8
9
HM4-65642 / 883 ( CLCC )
顶视图
VCC
A12
NC
NC
A7
E2
W
4
3
2
1
32
31
30
29 A8
28 A9
27 A11
26 NC
25 G
24 A10
23 E1
22 DQ7
21 DQ6
A
DQ
E1
E2
W
G
NC
GND
VCC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
无连接
动力
A1 10
A0 11
NC 12
DQ0
13
14
DQ1
15 16
DQ2
GND
17
NC
18
DQ3
19
DQ4
20
DQ5
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
3004.1
6-220
HM-65642/883
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入或输出电压适用于所有等级。 。 。 。 。 。 .GND -0.3V到
VCC + 0.3V
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在ICCOP 5毫安/ MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
θ
JC
o
C / W
o
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
8
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
o
C / W
10
o
C / W
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 101000盖茨
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.8V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 2.2V至VCC + 0.3V
数据保持电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40ns的最大值。
表1. HM-八百八十三分之六万五千六百四十二直流电气性能规格
设备保证100 %测试
范围
参数
高电平输出
电压
低电平输出
电压
高阻抗
输出漏
当前
符号
VOH 1
(注1 )
条件
VCC = 4.5V , IO = -1.0mA
A组
1, 2, 3
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
2.4
最大
-
单位
V
VOL
VCC = 4.5V , IO = 4.0毫安
1, 2, 3
-
0.4
V
A
IIOZ
HM- 65642B / 883 , HM- 883分之65642
VCC = 5.5V ,G = 2.2V ,
VI / O = GND和VCC
HM-65642C/883
VCC = 5.5V ,G = 2.2V ,
VI / O = GND和VCC
1, 2, 3
-1.0
+1.0
1, 2, 3
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-2.0
+2.0
A
输入漏
当前
II
HM- 65642B / 883 , HM- 883分之65642
VCC = 5.5V , VI = GND和VCC
HM-65642C/883
VCC = 5.5V , VI = GND和VCC
1, 2, 3
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-1.0
+1.0
A
A
A
1, 2, 3
-2.0
+2.0
备用电源
当前
ICCSB1
HM-65642B/883
VCC = 5.5V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
HM-65642/883
VCC = 5.5V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
HM-65642C/883
VCC = 5.5V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
1, 2, 3
-
100
1, 2, 3
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-
250
A
1, 2, 3
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-
400
A
备用电源
当前
使供应
当前
工作电源
当前
ICCSB
VCC = 5.5V , IO = 0毫安,E1 = 2.2V或
E2 = 0.8V
VCC = 5.5V , IO = 0毫安,E1 = 0.8V ,
E2 = 2.2V
VCC = 5.5V ,G = 5.5V , (注2 ) ,
F = 1MHz时, E1 = 0.8V , E2 = 2.2V
1, 2, 3
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-
5
mA
ICCEN
1, 2, 3
-
5
mA
ICCOP
1, 2, 3
-
20
mA
6-221
HM-65642/883
表1. HM-八百八十三分之六万五千六百四十二直流电气性能规格(续)
设备保证100 %测试
范围
参数
数据保留
电源电流
符号
ICCDR
(注1 )
条件
HM-65642B/883
VCC = 2.0V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
HM-65642/883
VCC = 2.0V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
HM-65642C/883
VCC = 2.0V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
功能测试
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.典型的降额5毫安/ MHz的增加ICCOP 。
3.测试如下: F = 2MHz的, VIH = 2.4V , VIL = 0.4V , IOH = -4.0mA , IOL = 4.0毫安, VOH
1.5V和VOL
1.5V.
表2. HM-八百八十三分之六万五千六百四十二交流电气性能规格
范围
A组
SUB -
群体
9, 10, 11
HM-
65642B/883
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
150
最大
-
HM-
65642/883
150
最大
-
HM-
65642C/883
200
最大
-
单位
ns
A组
1, 2, 3
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-
最大
75
单位
A
1, 2, 3
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-
150
A
1, 2, 3
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-
250
A
FT
Vcc = 4.5V (注3)
7,图8A ,8B
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-
-
-
参数
读/写/
周期
地址访问
时间
OUTPUT ENABLE
存取时间
芯片使能
存取时间
写恢复
时间
符号
TAVAX
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
tAVQV
9, 10, 11
-
150
-
150
-
200
-
TGLQV
9, 10, 11
-
70
-
70
-
70
ns
TE1LQV
TE2HQV
tWHAX ALE低
TE1HAX
TE2LAX
TE1LE1H
TE2HE2L
tAVWL
TAVE1L
TAVE2H
tWLWH
9, 10, 11
-
150
-
150
-
200
ns
9, 10, 11
10
-
10
-
10
-
ns
芯片使能到
结束时的写
地址设置
时间
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
9, 10, 11
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
90
-
90
-
120
-
ns
9, 10, 11
0
-
0
-
0
-
ns
写使能
脉冲宽度
数据建立时间
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
9, 10, 11
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
90
-
90
-
120
-
ns
tDVWH
TDVE1H
TDVE2L
9, 10, 11
60
-
60
-
80
-
ns
6-222
HM-65642/883
表2. HM-八百八十三分之六万五千六百四十二AC电气性能规格(续)
范围
A组
SUB -
群体
9, 10, 11
HM-
65642B/883
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
5
最大
-
HM-
65642/883
5
最大
-
HM-
65642C/883
5
最大
-
单位
ns
参数
数据保持时间
符号
tWHDX
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
TE1HDX
9, 10, 11
10
-
10
-
10
-
ns
TE2LDX
9, 10, 11
10
-
10
-
10
-
ns
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设过渡时间
为5ns ;输入电平= 0.0V至3.0V ;时序参考水平= 1.5V ;输出负载= 1TTL相当于
负载和CL
50pF的,对于CL > 50pF的,访问时间是降级0.15ns / PF 。
表3. HM-八百八十三分之六万五千六百四十二电气性能规格
范围
参数
输出高电压
输入电容
符号
VOH2
CIN
条件
VCC = 4.5V , IO = -100μA
VCC =开, F = 1MHz时,所有
测量结果为参考
转制到设备接地
VCC =开, F = 1MHz时,所有
测量结果为参考
转制到设备接地
I / O容量
CI / O
VCC =开, F = 1MHz时,所有
测量结果为参考
转制到设备接地
VCC = 4.5V , VI / O = GND
或VCC ,所有的测量
引用到设备
写使能到输出中高Z
写使能高到输出开
芯片使能到输出ON
TWLQZ
TWHQX
TE1LQX
TE2HQX
TGLQX
TE1HQZ
TE2LQZ
输出禁止到输出中高Z
TGHQZ
tAXQX
VCC = 4.5V和5.5V
VCC = 4.5V和5.5V
VCC = 4.5V和5.5V
VCC = 4.5V和5.5V
VCC = 4.5V和5.5V
笔记
1
1, 2
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
T
A
= +25
o
C
VCC -0.4
-
最大
-
12
单位
V
pF
1, 3
T
A
= +25
o
C
-
10
pF
1, 2
T
A
= +25
o
C
-
14
pF
1, 3
T
A
= +25
o
C
-
12
pF
1
1
1
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-
5
10
50
-
-
ns
ns
ns
输出使能到输出ON
芯片使能到输出中高Z
VCC = 4.5V和5.5V
VCC = 4.5V和5.5V
1
1
1
1
1
5
-
-
-
10
-
50
60
50
-
ns
ns
ns
ns
ns
从地址输出保持
变化
注意事项:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制的,并且不直接测试。这些参数是煤焦
在最初的设计版本,一经设计变更会影响这些特性acterized 。
2.适用于DIP唯一的设备类型。对于设计而言CIN =为6.0pF典型和CI / O = 7pF的典型。
3.仅适用于LCC的设备类型。对于设计而言CIN = 4PF典型和CI / O = 5pF的典型。
6-223
HM-65642/883
表4.适用子群
合规组
中期测试1
临时测试
PDA
最终测试1
A组
C和D组
组法
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Samples/5005
Samples/5005
-
1, 7, 9
1
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1, 7, 9
6-224
HM-65642/883
8K ×8的异步
CMOS静态RAM
描述
在HM- 883分之65642是CMOS 8192 ×8位的静态随机
存取存储器。引脚排列是JEDEC的28引脚, 8位
标准,可以方便地存储板布局哪些
适应各种行业标准ROM , PROM ,
EPROM , EEPROM和RAM中。在HM- 883分之65642是理想
适合于在基于微处理器的系统中使用。在particu-
LAR ,接口与Intersil的80C86和80C88微处理器的
处理机是简化的通过方便的输出使能( G)
输入。
在HM- 883分之65642是一个完整的CMOS RAM ,它利用
阵列6晶体管( 6T)的存储单元的最稳定
而最低的待机电流在整个mili-
tary温度范围。
2002年5月
特点
该电路耗时要按照MIL -STD-
883是完全符合根据的规定
第1.2.1 。
全CMOS设计
六晶体管存储单元
低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100μA
低工作电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
快速地址访问时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为150ns
低数据保持电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V
CMOS / TTL兼容输入/输出
JEDEC批准引脚
平等周期和访问时间
无时钟或选通所需
选通输入
- 没有上拉或下拉电阻要求
温度范围-55
o
C至+ 125
o
C
易于与微处理器的接口
双芯片使能控制
订购信息
CERDIP
CLCC
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
150ns/75A
HM1-65642B/883
HM4-65642B/883
150ns/150A
HM1-65642/883
HM4-65642/883
200ns/250A
HM1-65642C/883
-
PKG 。号
F28.6
J32.A
引脚配置
HM- 883分之65642 ( CERDIP )
顶视图
NC 1
A12 2
A7 3
A6 4
A5 5
A4 6
A3 7
A2 8
A1 9
A0 10
DQ0 11
DQ1 12
DQ2 13
GND 14
28 VCC
27 W
26 E2
25 A8
24 A9
23 A11
22 G
21 A10
20 E1
19 DQ7
18 DQ6
17 DQ5
16 DQ4
15 DQ3
A6
A5
A4
A3
A2
5
6
7
8
9
HM4-65642 / 883 ( CLCC )
顶视图
VCC
A12
NC
NC
A7
E2
W
4
3
2
1
32
31
30
29 A8
28 A9
27 A11
26 NC
25 G
24 A10
23 E1
22 DQ7
21 DQ6
A
DQ
E1
E2
W
G
NC
GND
VCC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
无连接
动力
A1 10
A0
NC
DQ0
11
12
13
14
DQ1
15 16
DQ2
GND
17
NC
18
DQ3
19
DQ4
20
DQ5
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
FN3004.2
220
HM-65642/883
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入或输出电压适用于所有等级。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到
VCC + 0.3V
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在ICCOP 5毫安/ MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
θ
JC
o
C / W
o
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
8
10
o
C / W
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
o
C / W
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 101000盖茨
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.8V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 2.2V至VCC + 0.3V
数据保持电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40ns的最大值。
表1. HM-八百八十三分之六万五千六百四十二直流电气性能规格
设备保证100 %测试
(注1 )
条件
VCC = 4.5V , IO = -1.0mA
VCC = 4.5V , IO = 4.0毫安
HM- 65642B / 883 , HM- 883分之65642
VCC = 5.5V ,G = 2.2V ,
VI / O = GND和VCC
HM-65642C/883
VCC = 5.5V ,G = 2.2V ,
VI / O = GND和VCC
输入漏
当前
II
HM- 65642B / 883 , HM- 883分之65642
VCC = 5.5V , VI = GND和VCC
HM-65642C/883
VCC = 5.5V , VI = GND和VCC
备用电源
当前
ICCSB1
HM-65642B/883
VCC = 5.5V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
HM-65642/883
VCC = 5.5V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
HM-65642C/883
VCC = 5.5V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
备用电源
当前
使供应
当前
工作电源
当前
ICCSB
ICCEN
ICCOP
VCC = 5.5V , IO = 0毫安,E1 = 2.2V或
E2 = 0.8V
VCC = 5.5V , IO = 0毫安,E1 = 0.8V ,
E2 = 2.2V
VCC = 5.5V ,G = 5.5V , (注2 ) ,
F = 1MHz时, E1 = 0.8V , E2 = 2.2V
A组
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
2.4
-
-1.0
最大
-
0.4
+1.0
单位
V
V
A
参数
高电平输出
电压
低电平输出
电压
高阻抗
输出漏
当前
符号
VOH 1
VOL
IIOZ
1, 2, 3
-2.0
+2.0
A
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
-1.0
-2.0
-
+1.0
+2.0
100
A
A
A
1, 2, 3
-
250
A
1, 2, 3
-
400
A
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
-
-
-
5
5
20
mA
mA
mA
221
HM-65642/883
表1. HM-八百八十三分之六万五千六百四十二直流电气性能规格(续)
设备保证100 %测试
(注1 )
条件
HM-65642B/883
VCC = 2.0V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
HM-65642/883
VCC = 2.0V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
HM-65642C/883
VCC = 2.0V ,E1 = VCC -0.3V或
E2 = GND + 0.3V
功能测试
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.典型的降额5毫安/ MHz的增加ICCOP 。
3.测试如下: F = 2MHz的, VIH = 2.4V , VIL = 0.4V , IOH = -4.0mA , IOL = 4.0毫安, VOH
1.5V和VOL
1.5V.
表2. HM-八百八十三分之六万五千六百四十二交流电气性能规格
范围
A组
SUB -
群体
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
HM-
65642B/883
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
150
-
-
-
10
最大
-
150
70
150
-
HM-
65642/883
150
-
-
-
10
最大
-
150
70
150
-
HM-
65642C/883
200
-
-
-
10
最大
-
200
70
200
-
单位
ns
-
ns
ns
ns
参数
数据保留
电源电流
符号
ICCDR
A组
1, 2, 3
范围
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-
最大
75
单位
A
1, 2, 3
-
150
A
1, 2, 3
-
250
A
FT
Vcc = 4.5V (注3)
7,图8A ,8B
-
-
-
参数
读/写/
周期
地址访问
时间
OUTPUT ENABLE
存取时间
芯片使能
存取时间
写恢复
时间
芯片使能到
结束时的写
地址设置
时间
写使能
脉冲宽度
数据建立时间
符号
TAVAX
tAVQV
TGLQV
TE1LQV
TE2HQV
tWHAX ALE低
TE1HAX
TE2LAX
TE1LE1H
TE2HE2L
tAVWL
TAVE1L
TAVE2H
tWLWH
tDVWH
TDVE1H
TDVE2L
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
9, 10, 11
9, 10, 11
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
90
0
-
-
90
0
-
-
120
0
-
-
ns
ns
9, 10, 11
9, 10, 11
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
90
60
-
-
90
60
-
-
120
80
-
-
ns
ns
222
HM-65642/883
表2. HM-八百八十三分之六万五千六百四十二AC电气性能规格(续)
范围
A组
SUB -
群体
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
HM-
65642B/883
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
5
10
10
最大
-
-
-
HM-
65642/883
5
10
10
最大
-
-
-
HM-
65642C/883
5
10
10
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
参数
数据保持时间
符号
tWHDX
TE1HDX
TE2LDX
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设过渡时间
为5ns ;输入电平= 0.0V至3.0V ;时序参考水平= 1.5V ;输出负载= 1TTL相当于
负载和CL
50pF的,对于CL > 50pF的,访问时间是降级0.15ns / PF 。
表3. HM-八百八十三分之六万五千六百四十二电气性能规格
范围
参数
输出高电压
输入电容
符号
VOH2
CIN
条件
VCC = 4.5V , IO = -100μA
VCC =开, F = 1MHz时,所有
测量结果为参考
转制到设备接地
VCC =开, F = 1MHz时,所有
测量结果为参考
转制到设备接地
I / O容量
CI / O
VCC =开, F = 1MHz时,所有
测量结果为参考
转制到设备接地
VCC = 4.5V , VI / O = GND
或VCC ,所有的测量
引用到设备
写使能到输出中高Z
写使能高到输出开
芯片使能到输出ON
输出使能到输出ON
芯片使能到输出中高Z
TWLQZ
TWHQX
TE1LQX
TE2HQX
TGLQX
TE1HQZ
TE2LQZ
输出禁止到输出中高Z
TGHQZ
tAXQX
VCC = 4.5V和5.5V
VCC = 4.5V和5.5V
VCC = 4.5V和5.5V
VCC = 4.5V和5.5V
VCC = 4.5V和5.5V
VCC = 4.5V和5.5V
VCC = 4.5V和5.5V
笔记
1
1, 2
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
T
A
= +25
o
C
VCC -0.4
-
最大
-
12
单位
V
pF
1, 3
T
A
= +25
o
C
-
10
pF
1, 2
T
A
= +25
o
C
-
14
pF
1, 3
T
A
= +25
o
C
-
12
pF
1
1
1
1
1
1
1
1
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-
5
10
5
-
-
-
10
50
-
-
-
50
60
50
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
从地址输出保持
变化
注意事项:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制的,并且不直接测试。这些参数是煤焦
在最初的设计版本,一经设计变更会影响这些特性acterized 。
2.适用于DIP唯一的设备类型。对于设计而言CIN =为6.0pF典型和CI / O = 7pF的典型。
3.仅适用于LCC的设备类型。对于设计而言CIN = 4PF典型和CI / O = 5pF的典型。
223
HM-65642/883
表4.适用子群
合规组
中期测试1
临时测试
PDA
最终测试1
A组
C和D组
组法
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Samples/5005
Samples/5005
-
1, 7, 9
1
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1, 7, 9
224
查看更多HM4-65642B/883PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HM4-65642B/883
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:871980663 复制

电话:0755-83220081
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区深南中路南侧南光捷佳大厦1727
HM4-65642B/883
HAR
24+
16830
器件原封装
全新原装现货,量大从优,可开13%税票!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1758033668 复制 点击这里给我发消息 QQ:957150379 复制 点击这里给我发消息 QQ:1729079884 复制

电话:0755-28227524/89202071/82704952/13430681361
联系人:陈先生/李小姐/李先生【只售原装假一罚百】豪迈兴你值得信赖的供应商!
地址:深圳市福田区华强北新亚洲二期N1B166,深圳市福田区华强北振兴路华匀大厦1栋315室 香港九龙湾临兴街21号美罗中心二期1908室
HM4-65642B/883
HARRIS
2346+
113603
LCC
假一罚百!公司原装现货!特价 绝无虚假!真实库存!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
HM4-65642B/883
HARRIS
20+
14953
LCC32
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HM4-65642B/883
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10332
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多HM4-65642B/883供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!