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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第133页 > HM4-65162B/883
TM
HM-65162/883
2K ×8的异步
CMOS静态RAM
描述
在HM- 883分之65162是CMOS 2048× 8静态随机
使用Intersil的高级访问内存制造
佐治V的过程。该器件采用异步电路
设计为快速周期和易用性。引脚排列是
JEDEC 24引脚DIP和32片8位宽的标准,
可以方便地存储板布局的灵活性,以适应
各种行业标准的PROM , RAM中, ROM和
EPROM中。在HM- 883分之65162非常适合使用
微处理器为基础的系统,其8位字长
组织。方便的输出使能也简化
通过允许数据输出到CON组的总线接口
受控独立的芯片使能。选通输入低
工作电流,也无需拉或
下拉电阻。
1997年3月
特点
该电路耗时要按照MIL -STD-
883是完全符合根据的规定
第1.2.1 。
快速存取时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 /最大为90ns
低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大50μA
低工作电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70毫安最大
在2.0V数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大20μA
TTL兼容的输入和输出
JEDEC批准引脚( 2716 , 6116型)
无时钟或选通所需
温度范围宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
平等周期和访问时间
单5V电源
选通输入
- 没有上拉或下拉电阻要求
订购信息
70ns/20A
HM1-65162B/883
HM4-65162B/883
90ns/40A
HM1-65162/883
HM4-65162/883
90ns/300A
HM1-65162C/883
-
TEMP 。 RANGE
-55
o
C至125
o
C
-55
o
C至125
o
C
CERDIP
CLCC
F24.6
J32.A
PKG 。号
引脚配置
HM-八百八十三分之六万五千一百六十二( CERDIP )
顶视图
A7
HM-八百八十三分之六万五千一百六十二( CLCC )
顶视图
VCC
NC
NC
NC
NC
NC
29 A8
28 A9
27 NC
26 W
25 G
24 A10
23 E
22 DQ7
21 DQ6
描述
无连接
地址输入
芯片使能/关机
数据输入/输出
电源(+ 5V)的
写使能
OUTPUT ENABLE
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
24 VCC
23 A8
22 A9
21 W
20 G
19 A10
18 E
17 DQ7
16 DQ6
15 DQ5
14 DQ4
13 DQ3
A6
A5
A4
A3
A2
5
6
7
8
9
4
3
2
1
32 31
30
NC
A0 - A10
E
VSS / GND
DQ0 - DQ7
VCC
W
G
A1 10
A0 11
NC 12
DQ0
13
14 15 16
DQ1
DQ2
GND
17
NC
18
DQ3
19
DQ4
20
DQ5
DQ1 10
DQ2 11
GND 12
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
188
FN3001.1
HM-65162/883
工作原理图
A1
A
A2
A3
A4
A5
A6
A7
ROW
地址
卜FF器
7
ROW
解码器
A
7
128
列解码器
与数据
输入/输出( X8 )
4
A
G
4
A
1第8
DQ0
THRU
DQ7
128
128 X 128
存储阵列
8
E
COLUMN
地址缓冲器
W
A0
A8 A9 A10
189
HM-65162/883
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到VCC + 0.3V
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。在ICCOP .1.5mA / MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
o
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
8
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
o
C / W
12
o
C / W
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26000 ·盖茨
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有评级
并且该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至+ 0.8V
芯片使能高/低电平时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40ns的(最小)
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2.2V至VCC
数据保持电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V至4.5V
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大为40ns
表1八百八十三分之六万五千一百六十二直流电气性能规格
设备保证100 %测试
(注1 )
条件
VCC = 4.5V , IO = -1.0mA
VCC = 4.5V , IO = 4.0毫安
VCC = 5.5V ,G = 2.2V ,或
E = 2.2V , VI / O = GND和VCC
VCC = 5.5V ,
VI = GND或VCC
HM- 65162B / 883 , IO = 0毫安,
VCC = 5.5V , E = VCC -0.3V
HM-八百八十三分之六万五千一百六十二, IO = 0毫安,
VCC = 5.5V , E = VCC - 0.3V
HM- 65162C / 883 , IO = 0毫安,
VCC = 5.5V , E = VCC - 0.3V
备用电源
当前
工作电源
当前
使供应
当前
数据保留
电源电流
ICCSB
ICCOP
ICCEN
ICCDR
VCC = 5.5V , IO = 0毫安,
E = 2.2V
VCC = 5.5V ,G = 5.5V ,
(注2 ) , F = 1MHz时, E = 0.8V
VCC = 5.5V , IO = 0毫安,
E = 0.8V
HM- 65162B / 883 , IO = 0毫安,
VCC = 2.0V , E = VCC - 0.3V
HM-八百八十三分之六万五千一百六十二, IO = 0毫安,
VCC = 2.0V , E = VCC - 0.3V
HM- 65162C / 883 , IO = 0毫安,
VCC = 2.0V , E = VCC - 0.3V
功能测试
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.输入脉冲电平: 0.8V至VCC - 2.0V ;输入上升和下降时间: 5ns的(最大) ;输入和输出时序参考电平: 1.5V ;输出负载: 1
TTL门当量, CL = 50pF的(分钟) - 对CL大于50pF的,由每pF的0.15ns的存取时间。
3. TAVQV = TELQV +塔维尔。
FT
Vcc = 4.5V (注3)
A组
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
2.4
-
-1.0
最大
-
0.4
1.0
单位
V
V
A
参数
高级别输出
把电压
低电平输出
电压
高阻抗
输出漏
当前
输入漏
当前
备用电源
当前
符号
VOH1
VOL
IIOZ
II
ICCSB1
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
7,图8A ,8B
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
50
100
900
8
70
70
20
40
300
-
A
A
A
A
mA
mA
mA
A
A
A
-
190
HM-65162/883
表2. HM- 883分之65162交流电气性能规格
设备保证100 %测试。
范围
一分
群体
9, 10, 11
HM-65162B
/883
温度
TURE
70
最大
-
HM-65162
/883
90
最大
-
HM-65162C
/883
90
最大
-
单位
ns
参数
读/写/
周期
地址
存取时间
芯片使能
存取时间
OUTPUT ENABLE
存取时间
芯片的选择
写的结束
地址设置
时间
写使能
脉冲写入
写使能
阅读设置
时间
数据设置
时间
数据保持时间
符号
(1) TAVAX
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
和5.5V
VCC = 4.5V
和5.5V
VCC = 4.5V
和5.5V
VCC = 4.5V
和5.5V
VCC = 4.5V
和5.5V
VCC = 4.5V
和5.5V
VCC = 4.5V
和5.5V
VCC = 4.5V
和5.5V
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
(2) TAVQV
9, 10, 11
-
70
-
90
-
90
ns
(3) TELQV
9, 10, 11
-
70
-
90
-
90
ns
(5) TGLQV
9, 10, 11
-
50
-
65
-
65
ns
(11) TELWH
9, 10, 11
45
-
55
-
55
-
ns
(12) TAVWL
9, 10, 11
10
-
10
-
10
-
ns
(13) TWLWH
9, 10, 11
40
-
55
-
55
-
ns
( 14 ) tWHAX ALE低
9, 10, 11
10
-
10
-
10
-
ns
(17) TDVWH
VCC = 4.5V
和5.5V
VCC = 4.5V
和5.5V
VCC = 4.5V
和5.5V
9, 10, 11
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
30
-
30
-
30
-
ns
(18) TWHDX
9, 10, 11
10
-
15
-
15
-
ns
写使能
脉冲设置
时间
芯片使能
数据设置
时间
地址有效
写的结束
(20) TWLEH
9, 10, 11
40
-
55
-
55
-
ns
(21) TDVEH
VCC = 4.5V
和5.5V
9, 10, 11
-55
o
C
T
A
+125
o
C
30
-
30
-
30
-
ns
( 22 ) TAVWH
VCC = 4.5V
和5.5V
9, 10, 11
-55
o
C
T
A
+125
o
C
50
-
65
-
65
-
ns
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.输入脉冲电平: 0.8V至VCC -2.0V ;输入上升和下降时间: 5ns的(最大) ;输入和输出时序参考电平: 1.5V ;输出负载: 1 TTL
等效门, CL = 50pF的(分) - 为CL大于50pF的,访问时间是每pF的0.15ns降额。
3. TAVQV = TELQV +塔维尔。
191
HM-65162/883
表3. HM- 883分之65162电气性能规格,交直流两用
范围
HM-
65162B/883
参数
输入
电容
符号
CIN
条件
VCC =打开,
F = 1MHz时,所有
测量
参考
接地装置
VCC =打开,
F = 1MHz时,所有
测量
参考
接地装置
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V和
5.5V
VCC = 4.5V ,
IO = -100μA
笔记
1, 2
1, 3
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
-
最大
10
8
HM-
65162/883
-
-
最大
10
8
HM-
65162C/883
-
-
最大
10
8
单位
pF
pF
I / O
电容
CI / O
1, 2
1, 3
+25
o
C
+25
o
C
-
-
12
10
-
-
12
10
-
-
12
10
pF
pF
芯片使能到
输出ON
OUTPUT ENABLE
到输出ON
芯片使能
高到输出
在高Z
输出禁用
到输出的
高Z
输出保持
从地址
变化
写使能到
在高Z输出
写使能
高到输出
ON
输出高
电压
注意事项:
(4) TELQX
(6) TGLQX
(7) TEHQZ
1
1
1
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
-55
o
C
T
A
+125
o
C
5
5
-
-
-
35
0
5
-
-
-
50
5
5
-
-
-
50
ns
ns
ns
( 8 ) TGHQZ
1
-
35
-
40
-
40
ns
(9) TAVQX
1
5
-
5
-
5
-
ns
(16) TWLQZ
(19) TWHQX
1
1
-
0
40
-
-
0
50
-
-
0
50
-
ns
ns
VOH2
1
VCC
-
0.4V
-
VCC
-
0.4V
-
VCC
-
0.4V
-
V
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制的,并且不直接测试。这些参数是
其特征在初始设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
2.适用于DIP唯一的设备类型。
3.仅适用于LCC的设备类型。
表4.适用子群
合规组
初步测试
临时测试
PDA
最终测试
A组
C组&
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Samples/5005
Samples/5005
-
1, 7, 9
1
2,第3 ,第7,图8A ,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1, 7, 9
192
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HM4-65162B/883
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HM4-65162B/883
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