HM-6516
1997年3月
2K ×8 CMOS RAM
描述
的HM - 6516是CMOS 2048 ×8的静态随机存取
内存。极低功率的操作是由实现
使用互补MOS设计技术。这种低
功率是通过使用同步电路的进一步提高
技术，保持活跃的（工作）功率低，这
同时提供快速的存取时间。在HM- 6516的引脚排列
流行的24管脚， 8位宽的JEDEC标准，它允许
容易记忆电路板布局，灵活的，足以accommo-
迄今为止各种PROM中， RAMS ，的EPROM ，和ROM的。
在HM- 6516非常适合于微处理器使用
基础的系统。字节宽的组织简化网络上课的
存储器阵列的设计，并保持工作功率降低到一
最低限度，因为只有一台设备时，每次启用。该
地址锁存允许非常简单的接口连接到最近的gen-
关合作微处理器其采用多路复用
地址/数据总线。方便的输出使能控制还
简化网络通过允许数据ES多路复用总线接口
输出进行控制的独立的芯片使能的。
特点
低功耗待机。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 275μW最大
低功耗操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55MW / MHz的最大
快速存取时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120 / 200ns的最大
工业标准引脚
单电源供电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.0V V
CC
TTL兼容
静态存储单元
高输出驱动
片地址锁存器
易于与微处理器的接口
订购信息
120ns
HM1-6516B-9
-
8403607JA
-
8403607ZA
200ns
HM1-6516-9
29102BJA
8403601JA
HM4-6516-9
8403601ZA
TEMP 。 RANGE
-40
o
C至+ 85
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
包
CERDIP
JAN ＃
SMD ＃
CLCC
SMD ＃
F24.6
F24.6
F24.6
J32.A
J32.A
PKG 。号
引脚配置
HM-6516
（ CERDIP ）
顶视图
NC
A7
HM-6516
（ CLCC ）
顶视图
NC
NC
V
CC
NC
NC
针
29 A8
28 A9
27 NC
26 W
25 G
24 A10
23 E
22 DQ7
21 DQ6
描述
无连接
地址输入
芯片使能/关机
地
A7 1
A6 2
A5 3
A4 4
A3 5
A2 6
A1 7
A0 8
DQ0 9
DQ1 10
DQ2 11
GND 12
24 V
CC
23 A8
22 A9
21 W
20 G
19 A10
18 E
17 DQ7
16 DQ6
15 DQ5
14 DQ4
13 DQ3
4
A6 5
A5 6
A4 7
A3 8
A2 9
A1 10
A0 11
NC 12
DQ0 13
3
2
1
32 31 30
NC
A0 - A10
E
V
SS
/ GND
DQ0 - DQ7数据输入/输出
V
CC
W
G
电源（+ 5V）的
写使能
OUTPUT ENABLE
14 15 16 17 18 19 20
GND
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
NC
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2998.1
6-1
HM-6516
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入或输出电压适用于所有等级。 。 。 。 。 。 .GND -0.3V到
V
CC
+0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
o
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
8
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
o
C / W
12
o
C / W
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围：
HM- 6516B -9， HM- 6516-9 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25953 ·盖茨
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
直流电特定网络阳离子
V
CC
= 5V
±10%;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 6516B - 9 ， HM- 6516-9 ）
范围
符号
ICCSB
参数
待机电源电流
民
-
最大
50
单位
A
A
mA
A
A
V
A
A
V
V
V
V
V
测试条件
IO = 0毫安， VI = V
CC
或GND ，
V
CC
= 5.5V ， HM- 6516B - 9
IO = 0毫安， VI = V
CC
或GND ，
HM-6516-9
F = 1MHz时， IO = 0毫安，G = V
CC
, V
CC
=
5.5V ， VI = V
CC
或GND
V
CC
= 2.0V ， IO = 0毫安， VI = V
CC
or
GND ，E = V
CC
， HM- 6516B - 9
V
CC
= 2.0V ， IO = 0毫安， VI = V
CC
or
GND ，E = V
CC
， HM- 6516-9
-
100
ICCOP
工作电源电流（注1 ）
-
10
ICCDR
数据保持电源电流
-
25
-
50
VCCDR
II
IIOZ
V
IL
V
IH
VOL
VOH1
VOH2
数据保持电源电压
输入漏电流
输入/输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压（注2 ）
T
A
= +25
o
C
参数
输入电容（注2 ）
输入/输出电容（注2 ）
2.0
-1.0
-1.0
-0.3
2.4
-
2.4
V
CC
-0.4
-
+1.0
+1.0
0.8
V
CC
+0.3
0.4
-
-
VI = V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
VIO = V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 5.5V
IO = 3.2毫安，V
CC
= 4.5V
IO = -1.0mA ，V
CC
= 4.5V
IO = -100μA ，V
CC
= 4.5V
电容
符号
CI
CIO
注意事项：
最大
8
10
单位
pF
pF
测试条件
F = 1MHz时，所有的测量都
引用到设备GND
1.典型的降额5毫安/ MHz的增加ICCOP 。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
6-3
HM-6516
AC电气特定网络阳离子
V
CC
= 5V
±10%;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 6516B - 9 ， HM- 6516-9 ）
范围
HM-6516B-9
符号
(1)
TELQV
(2)
tAVQV
(3)
TELQX
(4)
TWLQZ
(5)
TEHQZ
(6)
TGLQV
(7)
TGLQX
(8)
TGHQZ
(9)
tELEH
(10)
tEHEL
(11)
塔维尔
(12)
tELAX
(13)
tWLWH
(14)
TWLEH
(15)
TELWH
(16)
tDVWH
(17)
tWHDX
(18)
TELEL
HM-6516-9
民
-
-
10
-
-
-
10
-
200
80
0
50
200
200
200
80
10
280
最大
200
200
-
80
80
80
-
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TEST
条件
（注1,3）
（注1 ，3，4 ）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
参数
芯片使能存取时间
地址访问时间
芯片使能输出使能时间
写使能输出禁止时间
芯片使能输出禁止时间
输出使能输出有效时间
输出使能输出使能时间
输出使能输出DisableTime
芯片使能脉冲宽度负
芯片使能脉冲宽度正
地址建立时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度
写使能脉冲建立时间
写使能脉冲保持时间
数据建立时间
数据保持时间
读或写周期时间
民
-
-
10
-
-
-
10
-
120
50
0
30
120
120
120
50
10
170
最大
120
120
-
50
50
80
-
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
注意事项：
1.输入脉冲电平： 0.8V至V
CC
- 2.0V ;输入上升和下降时间： 5ns的（最大） ;输入和输出时序参考电平： 1.5V ;输出负载：
1 TTL门当量，C
L
= 50pF的（分） - 对C
L
大于50pF的，存取时间是由每pF的0.15ns降额。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
3. V
CC
= 4.5V和5.5V 。
4. TAVQV = TELQV +塔维尔。
6-4
HM-6516
时序波形
(2)
tAVQV
(12)
tELAX
(11)
A
(10)
tEHEL
E
高
W
(5)
TEHQZ
(1)
TELQV
(5)
TEHQZ
塔维尔
有效加载
(18)
TELEL
(11)
塔维尔
NEXT
添加
(9)
tELEH
(10)
tEHEL
(3)
TELQX
DQ
(6)
TGLQV
G
(7)
TGLQX
时间
参考
-1
0
1
有效的数据输出
TGHQZ
(8)
2
3
4
5
图1.读周期
地址信息被锁存到片上的寄存器
在E的下降沿（T = 0 ），最小地址设置和
保持时间的要求必须得到满足。所需要的保持后
时间，地址可能会改变状态，而不会影响
设备的操作。在时间（T = 1）时，输出变成
启用，但数据是无效的，直到时间（T = 2 ） ，W绝
留在整个读周期高。后的数据具有
被读取，E可能返回高（T = 3 ） 。这将迫使输出
把缓冲器置于高阻抗状态，在时间（T = 4）。 G是
用来禁止在逻辑“ 1 ”状态下的输出缓冲器时，
（T = -1 ，0， 3，4， 5）。后（T = 4）时，所述存储器是准备好
下一个周期。
时序波形
（续）
(11)
塔维尔
A
(12)
tELAX
(11)
塔维尔
接下来添加
(18)
TELEL
有效加载
(10)
tEHEL
E
(9)
tELEH
(10)
tEHEL
(14)
TWLEH
(13)
tWLWH
W
(15)
TELWH
(16)
tDVWH
有效的数据在
高
(17)
tWHDX
DQ
G
时间
参考
-1
0
1
2
3
4
5
图2.写周期
6-5
QQ：2881677436 复制
