HM 65756
引脚配置
MATRA MHS
引脚名称
A0 - A14 ：地址输入
I/00–I/07
VCC
GND
：输入/输出
：电源
：地面
CS
OE
W
：片选
：输出使能
：写使能
真值表
CS
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
W
X
H
L
H
输入/输出
Z
产量
输入
Z
模式
取消/
掉电
读
写
输出禁用
L =低，H =高， X = H或L，Z =高阻抗。
电气特性
绝对最大额定值
电源电压GND电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至7.0 V
直流输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.0 V至7.0 V
直流输出电压高Z状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至7.0 V
存储温度： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
输出电流转换成输出（低电平） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
静电放电电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 > 2000伏
（ MIL STD 883方法3015 ）
工作范围
工作电压
军事
汽车
产业
广告
(– 2)
(– A)
(– 9)
(– 5)
5 V
±
10 %
5 V
±
10 %
5 V
±
10 %
5 V
±
10 %
工作温度
- 55 ° C至+ 125°C
- 40_C至+ 125_C
- 40_C至+85 C
= 0 ° C至+ 70°C
直流工作条件
参数
VCC
GND
VIL
VIH
描述
电源电压
地
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
0.0
– 0.3
2.2
典型
5.0
0.0
0.0
–
最大
5.5
0.0
0.8
VCC
单位
V
V
V
V
2
版本C （ 95年11月4日）
MATRA MHS
DC参数
参数
IIX
IOZ
IOS
VOL
VOH
注意：
(2)
(3)
(4)
(5)
(2)
HM 65756
描述
输入漏电流
输出漏电流
输出短路电流
输出低电压
输出高电压
最低
– 10.0
– 10.0
–
–
2.4
典型
–
–
–
–
–
最大
10.0
10.0
– 300.0
0.4
–
单位
A
A
mA
V
V
2. GND < <输入电压的Vcc ， GND < Vout的< Vcc的禁止输出。
3. VCC =最大值时，VOUT = GND ，短路持续时间不应超过30秒。
不超过1输出应在同一时间被短路。
4. VCC最小值， IOL = 8.0毫安。
5. VCC最小值， IOH = -4.0毫安。
消费商业（ -5 ）规格
符号
ICCSB
ICCSB1
ICCOP
(6)
(7)
(8)
参数
待机电源电流
待机电源电流
动态工作电流
65756
E–5
30
10
155
65756
F–5
40
20
160
65756
H–5
35
20
160
65756
K–5
35
20
150
65756
M–5
35
20
150
单位
mA
mA
mA
价值
最大
最大
最大
消费汽车（ -A ） ，工业（ -9）和军用（-2 ）规格
符号
ICCSB
ICCSB1
ICCOP
注意：
(6)
(7)
(8)
参数
待机电源电流
待机电源电流
动态工作电流
65756
F–9
40
20
170
65756
H–9/–2
/–A
35
20
170
65756
K–9/–2
/–A
35
20
160
65756
M–9/–2
/–A
35
20
160
单位
mA
mA
mA
价值
最大
最大
最大
6. CS
≥
VIH ，一个上拉电阻到Vcc上的CS必须保持设备在Vcc的电不选。否则
IccSB将超过上述的值。最小占空比= 100％。
7. CS
≥
V
CC
– 0.3 V, V
IN
- 0.3 V或V
IN
≤
0.3 V.
8. V
CC
最大输出电流= 0 mA时， F = MAX， VIN = VCC或GND 。
电容
参数
CIN
COUT
注意：
(1)
(1)
描述
输入电容
输出电容
最低
–
–
典型
–
–
最大
5
7
单位
pF
pF
1， TA = 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0 V ，这些参数没有进行测试。
版本C （ 95年11月4日）
3
HM 65756
AC参数
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到3.0V
输入上升。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≤
5纳秒
MATRA MHS
输入时序参考水平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载IOL / IOH
（见图1a和1b ）
： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 pF的
交流测试负载和波形
图1
a
图1b
图2
写周期规格：汽车，商业，工业和军事（注9 ）
符号
tAVAV
tAVWL
tAVWH
tDVWH
TELWH
TWLQZ(8)
tWLWH
tWHAX ALE低
tWHDX
TWHQX
注意：
(8)
参数
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
数据建立时间
CS为低电平写入结束
写低到高Z
把脉冲宽度
从写端地址保持
数据保持时间
写高到低Z
65756
E–5
15
0
10
9
10
7
9
0
0
3
65756
F–5/–9
20
0
15
10
15
10
15
0
0
3
65756
H–5–9/
–2/–A
25
0
20
15
20 (*)
13
20 (*)
0
0
3
65756
K–5/–9/
–2/–A
35
0
30
17
30
15
25
0
0
3
65756
M–5/–9/
–2/–A
45
0
40
20
40
20
30
0
0
3
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
价值
民
民
民
民
民
最大
民
民
民
民
8.指定与CL = 5 pF的（参见图1b ） 。
（ * ）对于商业（ -5 ）和PDIL ，包值是16纳秒。
4
版本C （ 95年11月4日）
MATRA MHS
写周期1 ：硬件控制（注9 ）
HM 65756
写周期2 ： CS控制（注9 ）
注意：
9.存储器的内部写由CS低的重叠和W LOW定义为开始写，要么信号
通过去HIGH结束写入。数据输入建立和保持时间应被引用到的信号的上升沿的
结束写入。
数据输出将是如果OE = VIH高阻抗。
版本C （ 95年11月4日）
5
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