HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6450
发行日期： 1992年11月25日
修订日期： 2002年4月18日
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HM28S
NPN外延平面晶体管
描述
该HM28S是NPN硅晶体管，设计用于一般用途
语音SYNTHSIZER （语音光盘） IC音频输出驱动级放大器
应用程序。
特点
出色的线性度的hFE
高直流电流增益
高功率耗散
TO-92
绝对最大额定值
最高温度
储存温度........................................................................................................ -55 + 150
°C
结温................................................ .................................................. 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(Ta=25°C)............................................................................................. 850毫瓦
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极基Voltage..................................................................................................... 40 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. .................................................. ... 20 V
VEBO发射器基Voltage.......................................................................................................... 6 V
IC集电极电流..................................................................................................................... 1.25 A
IB基本电流............................................................................................................................. 0.4 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
*hFE1
*hFE2
hFE3
hFE4
fT
COB
分钟。
40
20
6
-
-
-
290
300
300
300
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
马克斯。
-
-
-
100
100
0.55
-
1000
-
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
测试条件
IC = 100uA的， IE = 0
IC = 1mA时， IB = 0
IE =为100uA ， IC = 0
VCB = 35V ， IE = 0
VEB = 6V ， IC = 0
IC = 600毫安， IB = 20mA下
VCE = 1V ， IC = 1毫安
VCE = 1V ， IC = 0.1A
VCE = 1V ， IC = 0.3A
VCE = 1V ， IC = 0.5A
VCE = 10V ， IC = 50mA时F = 1MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz时， IE = 0
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
中hFE2分类
秩
范围
HM28S
B
300-550
C
500-700
D
650-1000
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
TO-92维
A
B
1
2
3
日期代码
规格。编号： HE6450
发行日期： 1992年11月25日
修订日期： 2002年4月18日
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α
2
标记：
H
2 8 S
M
控制代码
α
3
C
类型：Pin 1.Emitter 2.Collector 3.Base
D
H
I
E
F
G
α
1
3引脚TO- 92塑料包装
HSMC包装代码：一个
* ：典型
暗淡
A
B
C
D
E
F
英寸
分钟。
马克斯。
0.1704
0.1902
0.1704
0.1902
0.5000
-
0.0142
0.0220
-
*0.0500
0.1323
0.1480
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
4.33
4.83
4.33
4.83
12.70
-
0.36
0.56
-
*1.27
3.36
3.76
暗淡
G
H
I
α1
α2
α3
英寸
分钟。
马克斯。
0.0142
0.0220
-
*0.1000
-
*0.0500
-
*5°
-
*2°
-
*2°
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.36
0.56
-
*2.54
-
*1.27
-
*5°
-
*2°
-
*2°
注意事项：
1.Dimension和容忍的基础上我们的规格。年四月25,1996 。
2.Controlling尺寸：毫米。
3.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
4.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问，请联系您当地的HSMC销售办事处。
材质：
导语： 42合金;镀锡
模塑料：环氧树脂系列，可燃性固体燃烧等级： UL94V- 0
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不HSMC的事先书面批准。
HSMC保留随时修改其产品，恕不另行通知。
HSMC半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
HSMC自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
总公司
（高诚微电子公司） ： 10F ，没有。 61 ，秒。 2 ，中山北路。台北台湾中华民国
联系电话： 886-2-25212056传真： 886-2-25632712 ， 25368454
工厂1 ：
38号，光复南路，福寇新竹工业园区新竹台。 R.O.C
电话： 886-3-5983621 5传真： 886-3-5982931
HM28S
HSMC产品规格
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T
汕头华汕电子器件有限公司。
█
应用
通用和开关应用。
HM28S
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissip通报BULLETIN ....................................... 850MW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………40V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………20V
V
E B
② ：辐射源
基极电压连续.................................... 6V
I
C
--Collector
Current………………………………………1.25A
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
H
FE(3)
H
FE(4)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
I
CES
４０
２０
６
３００
３００
３１０
３０３
１０００
０．５５
１．２
１００
１００
１００
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100μA，I
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
V
CE
= 1V ，我
C
=300mA
V
CE
= 1V ，我
C
=500mA
I
C
= 600毫安，我
B
=20mA
I
C
= 600毫安，我
B
=20mA
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
辐射源
截止电流
集电极截止电流
½Ａ
V
CB
= 35V ，我
E
=0
½Ａ
V
EB
= 6V ，我
C
=0
½Ａ
V
CE
=20V, V
EB
=0
█
h
FE
分类
B
３００—６００
C
５００—８００
D
７００—１０００
QQ：2881677436 复制
