HM-6561/883
1997年3月
256 ×4 CMOS RAM
描述
在HM- 883分之6561是256 ×4 CMOS静态RAM制造
采用自对准硅栅技术。同步
电路设计技术的采用，实现高性
性能和低功耗操作。
片上提供了用于地址和数据输出锁存器
让英法fi cient与微处理器系统接口。
该数据输出缓冲器可以被强制为高阻抗
状态在扩展内存阵列中使用。数据输入
和输出在内部复用的通用I / O总线
兼容性。
在HM- 883分之6561是一个完全静态RAM和可能
对于时间不知疲倦无限期内保持在任何状态。数据
保持电源电压和电源电流都保证
温度过高。
特点
该电路耗时要按照MIL -STD-
883是完全符合根据的规定
第1.2.1 。
低功耗待机。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50μW最大
低功耗操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为20mW / MHz的最大
快速存取时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200ns的最大
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .AT 2.0V敏
TTL兼容输入/输出
高输出驱动器 - 1 TTL负载
片上寄存器地址
通用数据输入/输出
三态输出
易于与微处理器的接口
订购信息
封装温度范围
CERDIP
-55
o
C至+ 125
o
C
220ns
HM1-6561B/883
300ns
HM1-6561/883
PKG 。号
F18.3
引脚
HM-八百八十三分之六千五百六十一（ CERDIP ）
顶视图
A3
A2
A1
A0
A5
A6
A7
GND
E
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18 VCC
17 A4
16 W
15 S1
14 DQ3
13 DQ2
12 DQ1
11 DQ0
10 S2
针
A
E
W
S
DQ
描述
地址输入
芯片使能
写使能
芯片选择
IN / OUT数据
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2990.1
6-117
HM-6561/883
工作原理图
A0
A1
A5
A6
A7
A
LATCHED
地址
注册
5
A
5
L
G
A
D
DQ0
A
Q
LATCH
L
D
DQ1
A
Q
LATCH
L
D
DQ2
A
Q
LATCH
L
D
DQ3
A
Q
LATCH
L
A
L
W
E
A2
S1
S2
A3
A4
3
A
3
A
A
A
门控COLUMN
解码器
和数据I / O
G
8
8
8
8
门控
ROW
解码器
32 x 32
矩阵
32
锁存地址
注册
注意事项：
1.所有线路正逻辑高电平有效。
2.三态缓冲器：高
→
输出活跃。
3.数据锁存器：长高
→
Q = D和Q滑锁L的下降沿
4.地址锁存器和门控解码器：闩锁的E下降沿门上E的下降沿
6-118
HM-6561/883
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入或输出电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74
18
o
C / W
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1944年盖茨
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至+ 0.8V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC - 2.0V至VCC
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大为40ns
表1. HM-八百八十三分之六千五百六十一直流电气性能规格
设备保证100 ％测试
范围
参数
输出低电压
符号
VOL
（注1 ）
条件
VCC = 4.5V ，
IOL = 1.6毫安
VCC = 4.5V ，
IOH = -0.4mA
VCC = 5.5V ，
VI = GND或VCC
VCC = 5.5V ，
VIO = GND或
VCC
VCC = 2.0V ，
E = VCC ，
IO = 0毫安，
VCC = 5.5V ，
（注2 ） ，
E = 1MHz时，
W = GND ，
VI = VCC或GND
VCC = 5.5V ，
IO = 0毫安，
VI = VCC或GND
A组
亚
1, 2, 3
温度
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
民
-
最大
0.4
单位
V
输出高电压
VOH
1, 2, 3
2.4
-
V
输入漏电流
II
1, 2, 3
-1.0
+1.0
A
A
输入/输出漏电流
IIOZ
1, 2, 3
-1.0
+1.0
数据保持电源电流
ICCDR
1, 2, 3
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-
10
A
工作电源电流
ICCOP
1, 2, 3
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-
4
mA
待机电源电流
ICCSB
1, 2, 3
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-
10
A
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.典型的降额1.5毫安/ MHz的增加ICCOP 。
6-119
HM-6561/883
表2. HM-八百八十三分之六千五百六十一交流电气性能规格
设备保证100 ％测试
范围
参数
芯片使能
存取时间
地址访问
时间
芯片选择
OUTPUT ENABLE
时间
芯片选择
输出禁用
时间
芯片使能脉冲
负脉宽
芯片使能脉冲
正脉宽
地址设置
时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写数据延迟
时间
片选写
脉冲建立时间
芯片使能写
脉冲建立时间
片选写
脉冲保持时间
芯片使能写
脉冲保持时间
写使能脉冲
宽度
读或写
周期
符号
（1） TELQV
（2） TAVQV
（3） TSLQX
（注1,2 ）
条件
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V ， （注3 ）
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
A组
SUB -
群体
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
HM-6561B/883
温度
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
民
-
-
5
最大
220
220
-
HM-6561/883
民
-
-
5
最大
300
300
-
单位
ns
ns
ns
（4） TSHQZ
9, 10, 11
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-
120
-
150
ns
（5） TELEH
（6） TEHEL
（ 7 ）塔维尔
（ 8 ） TELAX
（9） TDVWH
（10） TWHDX
（11） TWLDV
（12） TWLSH
（13） TWLEH
（14） TSLWH
（15） TELWH
（16） TWLWH
（17） TELEL
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
220
100
0
40
100
0
20
120
120
120
120
120
320
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
100
0
50
150
0
30
180
180
180
180
180
400
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.输入脉冲电平： 0.8V至VCC- 2.0V ;输入上升和下降时间： 5ns的（最大） ;输入和输出时序参考电平： 1.5V ;输出负载：
IOL = 1.6毫安， IOH = -0.4mA ， CL = 50pF的（分） - 为CL大于50pF的，访问时间是每pF的0.15ns降额。
3. TAVQV = TELQV +塔维尔。
6-120
HM-6561/883
表3. HM-八百八十三分之六千五百六十一电气性能规格
范围
符号
CI
参数
输入电容
条件
VCC =开， F = 1MHz时，
所有的测量
引用到设备
地
VCC =开， F = 1MHz时，
所有的测量
引用到设备
地
记
1
温度
T
A
= +25
o
C
民
-
最大
8
单位
pF
CO
输出电容
1
T
A
= +25
o
C
-
10
pF
注意：
1.在表3中列出的参数，通过设计或工艺参数控制的特征在于，在最初的设计和后大
进程和/或设计变更。
表4.适用子群
合规组
初步测试
临时测试
PDA
最终测试
A组
C组&
法
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Samples/5005
Samples/5005
亚
-
1, 7, 9
1
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1, 7, 9
测试负载电路
DUT
（注1 ） CL
IOH
+
-
1.5V
IOL
等效电路
注意：
1.测试头电容包括杂散电容和夹具电容。
6-121
QQ：2880707522 复制
