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HM-65262
1997年3月
16K ×1异步
CMOS静态RAM
描述
在HM- 65262是一款CMOS 16384 ×1位的静态随机
使用Intersil的高级访问内存制造
佐治V的过程。该器件采用异步电路
设计周期短和易用性。在HM- 65262
在这两个JEDEC标准的20引脚可用， 0.300英寸宽
CERDIP和20垫CLCC封装，提供高板级
级封装密度。选通输入低待机电流，
并且还省去了上拉或下拉电阻
器。
在HM- 65262 ，全CMOS RAM ，采用了6组
晶体管（ 6T）的存储器单元为最稳定的和最
可能的待机电流在整个军用temper-
ATURE范围。除了这一点， 6T的高稳定性
RAM单元提供卓越的保护，防止软错误
由于噪声和α粒子。这种稳定性也提高了
在RAM超过四个晶体管的耐辐射
（ 4T）的设备。
特点
快速存取时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 / 85ns最大
低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .50μA最大
低工作电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50mA，最高
在2.0V数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .20μA最大
TTL兼容的输入和输出
JEDEC批准引脚
无时钟或选通所需
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +55
o
C至+ 125
o
C
平等周期和访问时间
单5V电源
选通输入 - 不拉或下拉电阻
需要
订购信息
包
CERDIP
JAN ＃
SMD ＃
CLCC （ SMD ＃ ）
注意：
1.访问时间/数据保持电源电流。
TEMP 。 RANGE
-40
o
C至+ 85
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
70ns/20A
（注1 ）
85ns/20A
（注1 ）
HM1-65262B-9
29109BRA
8413203RA
8413203YA
HM1-65262-9
29103BRA
8413201RA
8413201YA
（注1 ）
85ns/400A
-
-
-
-
PKG 。号
F20.3
F20.3
F20.3
J20.C
引脚配置
HM- 65262 （ CERDIP ）
顶视图
HM- 65262 （ CLCC ）
顶视图
V
CC
A13
A1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Q
W
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 A13
18 A12
17 A11
16 A10
15 A9
14 A8
13 A7
12 D
11 E
A2 3
A3 4
A4 5
A5 6
A6 7
Q 8
9 10 11 12
GND
W
E
D
2
A0
1 20 19
18 A12
17 A11
16 A10
15 A9
14 A8
13 A7
A0 - A13
E
Q
D
V
SS
/ GND
V
CC
W
地址输入
芯片使能/关机
数据输出
DATA IN
地
电源（ +5 ）
写使能
GND 10
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
3002.2
6-1
HM-65262
工作原理图
A0
A1
A2
A3
A4
A12
A13
ROW
ROW
地址
解码器128内存阵列
缓冲液A（ 1 128 ）
128 X 128
7
128
列解码器
（ 1 128 ）
和I / O电路
A
7
A
7
Q
A
7
D
E
COLUMN
地址缓冲器
W
6-2
A7
A8
A9
A10
A11
A5
A6
HM-65262
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入或输出电压适用于所有等级。 。 。 。 。 -0.3V到V
CC
+0.3V
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在ICCOP 0.5毫安/ MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
θ
JC
热电阻（典型值）
θ
JA
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
66
o
C / W
13
o
C / W
18
o
C / W
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
o
C / W
o
C至+150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26256 ·盖茨
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围
HM- 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ， HM- 65262C - 9 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
直流电特定网络阳离子
符号
ICCSB1
V
CC
= 5V
±10%;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ， HM- 65262C - 9 ）
范围
参数
待机电源电流
民
-OD
-
最大
50
900
5
50
50
20
400
30
550
-
+1.0
+1.0
0.8
V
CC
+0.3
0.4
-
-
单位
A
A
mA
mA
mA
A
A
A
A
V
A
A
V
V
V
V
V
测试条件
HM- 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ， IO = 0毫安，
E = V
CC
-0.3V, V
CC
= 5.5V
HM- 65262C - 9 ， IO = 0毫安，
E = V
CC
-0.3V, V
CC
= 5.5V
E = 2.2V ， IO = 0毫安，V
CC
= 5.5V
E = 0.8V ， IO = 0毫安，V
CC
= 5.5V
E = 0.8V ， IO = 0毫安， F = 1MHz时，
V
CC
= 5.5V
HM- 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ，
V
CC
= 2.0V ，E = V
CC
HM- 65262C - 9 ，V
CC
= 2.0V ，E = V
CC
HM- 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ，
V
CC
= 3.0V ，E = V
CC
HM- 65262C - 9 ，V
CC
= 3.0V ，E = V
CC
ICCSB
ICCEN
ICCOP
ICCDR
待机电源电流
使电源电流
工作电源电流（注1 ）
数据保持电源电流
-
-
-
-
-
ICCDR1
数据保持电源电流
-
-
VCCDR
II
IOZ
VIL
VIH
VOL
VOH1
VOH2
数据保持电源电压
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压（注2 ）
T
A
= +25
o
C
参数
输入电容（注2 ）
输入/输出电容（注2 ）
2.0
-1.0
-1.0
-0.3
2.2
-
2.4
V
CC
-0.4
VI = V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
VIO = V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 5.5V
IO = 8.0毫安，V
CC
= 4.5V
IO = -4.0mA ，V
CC
= 4.5V
IO = -100μA ，V
CC
= 4.5V
电容
符号
CI
CIO
注意事项：
最大
10
12
单位
pF
pF
测试条件
F = 1MHz时，所有的测量都
引用到设备GND
1.典型的降额5毫安/ MHz的增加ICCOP 。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
6-3
HM-65262
AC电气特定网络阳离子
V
CC
= 5V
10%,T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ， HM- 65262C - 9 ）
范围
HM-65262B-9
符号
读周期
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
TAVAX
tAVQV
TELQV
TELQX
读/周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能输出使能
时间
芯片禁用输出保持
时间
解决无效的输出保持
时间
芯片使能输出禁止
时间
70
-
-
5
5
5
-
-
70
70
-
-
-
30
85
-
-
5
5
5
-
-
85
85
-
-
-
30
85
-
-
5
5
5
-
-
85
85
-
-
-
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
民
最大
HM-65262-9
民
最大
HM-65262C-9
民
最大
单位
TEST
条件
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
tEHQX
tAXQX
TEHQZ
写周期
(8)
(9)
(10)
(11)
(12)
(13)
(14)
(15)
(16)
(17)
(18)
(19)
(20)
(21)
(22)
(23)
(24)
TAVAX
TELWH
tWLWH
tAVWL
tWHAX ALE低
tDVWH
tWHDX
TWLQZ
TWHQX
tAVWH
塔维尔
tEHAX
tAVEH
tELEH
TWLEH
tDVEH
tEHDX
写周期时间
芯片选择到结束
写
写使能脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写使能输出禁止
时间
写禁止输出使能
时间
地址有效到写结束
地址建立时间
地址保持时间
地址有效到写结束
启用脉冲宽度
写使能脉冲设置
时间
芯片的建立时间
数据保持时间
70
55
40
0
0
30
0
-
0
55
0
0
55
55
40
30
0
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
85
65
45
0
0
35
0
-
0
65
0
0
65
65
45
35
0
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
85
65
45
0
0
35
0
-
0
65
0
0
65
65
45
35
0
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
-
-
-
0
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
注意事项：
1.输入脉冲电平： 0 3.0V ;输入上升和下降时间： 5ns的（最大） ;输入和输出时序参考电平： 1.5V ;输出负载： 1 TTL门
相当于和C
L
= 50pF的（分） - 对C
L
大于50pF的，存取时间是由每pF的0.15ns降额。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
3. V
CC
= 4.5和5.5V 。
6-4
HM-65262
时序波形
A
（3） TELQV
E
（7） TEHQZ
（4） TELQX
（5） TEHQX
Q
注意：
1， W是很高的整个周期和D被忽略。地址处于稳定状态的时间E变为低电平，并保持有效，直到E增大高。
图1.读周期1 ：受控使用E
（1） TAVAX
A
（2） TAVQV
E
（4） TELQX
（7） TEHQZ
（6） TAXQX
Q
注意：
1. W是高的整个周期和D被忽略。 E是稳定前的变成有效，之后变为无效。
图2.读周期2 ：受控按地址
（ 8 ） TAVAX
A
（17） TAVWH
（9） TELWH
E
(11)
tAVWL
W
（ 12 ） tWHAX ALE低
（7） TEHQZ
（10） TWLWH
（13） TDVWH
D
（15） TWLQZ
(4)
TELQX
Q
（14） TWHDX
（16） TWHQX
注意：
1.在这种模式中，E上升·W后的地址必须保持稳定每当E和W为低。
图3.写周期1 ：控以W （ LATE WRITE ）
6-5
TM
HM-65262
16K ×1异步
CMOS静态RAM
描述
在HM- 65262是一款CMOS 16384 ×1位的静态随机
使用Intersil的高级访问内存制造
佐治V的过程。该器件采用异步电路
设计周期短和易用性。在HM- 65262
在这两个JEDEC标准的20引脚可用， 0.300英寸宽
CERDIP和20垫CLCC封装，提供高板级
级封装密度。选通输入低待机电流，
并且还省去了上拉或下拉电阻
器。
在HM- 65262 ，全CMOS RAM ，采用了6组
晶体管（ 6T）的存储器单元为最稳定的和最
可能的待机电流在整个军用temper-
ATURE范围。除了这一点， 6T的高稳定性
RAM单元提供卓越的保护，防止软错误
由于噪声和α粒子。这种稳定性也提高了
在RAM超过四个晶体管的耐辐射
（ 4T）的设备。
1997年3月
特点
快速存取时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 / 85ns最大
低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大50μA
低工作电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50mA，最高
在2.0V数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大20μA
TTL兼容的输入和输出
JEDEC批准引脚
无时钟或选通所需
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +55
o
C至+ 125
o
C
平等周期和访问时间
单5V电源
选通输入 - 不拉或下拉电阻
需要
订购信息
包
CERDIP
JAN ＃
SMD ＃
CLCC （ SMD ＃ ）
注意：
1.访问时间/数据保持电源电流。
TEMP 。 RANGE
-40
o
C至+ 85
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
70ns/20A
（注1 ）
85ns/20A
（注1 ）
HM1-65262B-9
29109BRA
8413203RA
8413203YA
HM1-65262-9
29103BRA
8413201RA
8413201YA
（注1 ）
85ns/400A
-
-
-
-
PKG 。号
F20.3
F20.3
F20.3
J20.C
引脚配置
HM- 65262 （ CERDIP ）
顶视图
HM- 65262 （ CLCC ）
顶视图
V
CC
A13
A1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Q
W
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 A13
18 A12
17 A11
16 A10
15 A9
14 A8
13 A7
12 D
11 E
A2 3
A3 4
A4 5
A5 6
A6 7
Q 8
9 10 11 12
W
GND
E
D
2
A0
1 20 19
18 A12
17 A11
16 A10
15 A9
14 A8
13 A7
A0 - A13
E
Q
D
V
SS
/ GND
V
CC
W
地址输入
芯片使能/关机
数据输出
DATA IN
地
电源（ +5 ）
写使能
GND 10
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
1
FN3002.2
HM-65262
工作原理图
A0
A1
A2
A3
A4
A12
A13
A
7
ROW
ROW
地址
解码器128内存阵列
128 X 128
缓冲液A（ 1 128 ）
7
128
列解码器
（ 1 128 ）
和I / O电路
A
7
A
7
Q
D
E
COLUMN
地址缓冲器
W
2
A7
A8
A9
A10
A11
A5
A6
HM-65262
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入或输出电压适用于所有等级。 。 。 。 。 -0.3V到V
CC
+0.3V
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在ICCOP 0.5毫安/ MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
θ
JC
热电阻（典型值）
θ
JA
o
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
66
13
o
C / W
o
C / W
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
18
o
C / W
o
C至+150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26256 ·盖茨
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围
HM- 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ， HM- 65262C - 9 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
DC电气规格
V
CC
= 5V
±10%;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ， HM- 65262C - 9 ）
范围
符号
ICCSB1
参数
待机电源电流
民
-OD
-
ICCSB
ICCEN
ICCOP
ICCDR
待机电源电流
使电源电流
工作电源电流（注1 ）
数据保持电源电流
-
-
-
-
-
ICCDR1
数据保持电源电流
-
-
VCCDR
II
IOZ
VIL
VIH
VOL
VOH1
VOH2
数据保持电源电压
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压（注2 ）
2.0
-1.0
-1.0
-0.3
2.2
-
2.4
V
CC
-0.4
最大
50
900
5
50
50
20
400
30
550
-
+1.0
+1.0
0.8
V
CC
+0.3
0.4
-
-
单位
A
A
mA
mA
mA
A
A
A
A
V
A
A
V
V
V
V
V
VI = V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
VIO = V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 5.5V
IO = 8.0毫安，V
CC
= 4.5V
IO = -4.0mA ，V
CC
= 4.5V
IO = -100μA ，V
CC
= 4.5V
测试条件
HM- 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ， IO = 0毫安，
E = V
CC
-0.3V, V
CC
= 5.5V
HM- 65262C - 9 ， IO = 0毫安，
E = V
CC
-0.3V, V
CC
= 5.5V
E = 2.2V ， IO = 0毫安，V
CC
= 5.5V
E = 0.8V ， IO = 0毫安，V
CC
= 5.5V
E = 0.8V ， IO = 0毫安， F = 1MHz时，
V
CC
= 5.5V
HM- 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ，
V
CC
= 2.0V ，E = V
CC
HM- 65262C - 9 ，V
CC
= 2.0V ，E = V
CC
HM- 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ，
V
CC
= 3.0V ，E = V
CC
HM- 65262C - 9 ，V
CC
= 3.0V ，E = V
CC
电容
T
A
= +25
o
C
符号
CI
CIO
注意事项：
1.典型的降额5毫安/ MHz的增加ICCOP 。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
参数
输入电容（注2 ）
输入/输出电容（注2 ）
最大
10
12
单位
pF
pF
测试条件
F = 1MHz时，所有的测量都
引用到设备GND
3
HM-65262
AC电气规格
V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 65262B - 9 ， HM- 65262-9 ， HM- 65262C - 9 ）
范围
HM-65262B-9
符号
读周期
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
TAVAX
tAVQV
TELQV
TELQX
读/周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能输出使能
时间
芯片禁用输出保持
时间
解决无效的输出保持
时间
芯片使能输出禁止
时间
70
-
-
5
5
5
-
-
70
70
-
-
-
30
85
-
-
5
5
5
-
-
85
85
-
-
-
30
85
-
-
5
5
5
-
-
85
85
-
-
-
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
民
最大
HM-65262-9
民
最大
HM-65262C-9
民
最大
单位
TEST
条件
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
tEHQX
tAXQX
TEHQZ
写周期
(8)
(9)
(10)
(11)
(12)
(13)
(14)
(15)
(16)
(17)
(18)
(19)
(20)
(21)
(22)
(23)
(24)
TAVAX
TELWH
tWLWH
tAVWL
tWHAX ALE低
tDVWH
tWHDX
TWLQZ
TWHQX
tAVWH
塔维尔
tEHAX
tAVEH
tELEH
TWLEH
tDVEH
tEHDX
写周期时间
芯片选择到结束
写
写使能脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写使能输出禁止
时间
写禁止输出使能
时间
地址有效到写结束
地址建立时间
地址保持时间
地址有效到写结束
启用脉冲宽度
写使能脉冲设置
时间
芯片的建立时间
数据保持时间
70
55
40
0
0
30
0
-
0
55
0
0
55
55
40
30
0
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
85
65
45
0
0
35
0
-
0
65
0
0
65
65
45
35
0
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
85
65
45
0
0
35
0
-
0
65
0
0
65
65
45
35
0
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
-
-
-
0
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
注意事项：
1.输入脉冲电平： 0 3.0V ;输入上升和下降时间： 5ns的（最大） ;输入和输出时序参考电平： 1.5V ;输出负载： 1 TTL门
相当于和C
L
= 50pF的（分） - 对C
L
大于50pF的，存取时间是由每pF的0.15ns降额。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
3. V
CC
= 4.5和5.5V 。
4
HM-65262
时序波形
A
（3） TELQV
E
（7） TEHQZ
（4） TELQX
（5） TEHQX
Q
注意：
1， W是很高的整个周期和D被忽略。地址处于稳定状态的时间E变为低电平，并保持有效，直到E增大高。
图1.读周期1 ：受控使用E
（1） TAVAX
A
（2） TAVQV
E
（4） TELQX
（7） TEHQZ
（6） TAXQX
Q
注意：
1. W是高的整个周期和D被忽略。 E是稳定前的变成有效，之后变为无效。
图2.读周期2 ：受控按地址
5
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