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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第310页 > HM1-65162C-9
TM
HM-65162
2K ×8的异步
CMOS静态RAM
描述
的HM - 65162是CMOS 2048 ×8的静态随机存取
使用Intersil的高级佐治V内存制造
流程。该器件采用异步电路设计
快速的循环时间和易用性。引脚排列是JEDEC 24
脚DIP和32垫8位宽的标准，它允许容易
内存的电路板布局的灵活性，以适应各种
行业标准的PROM ， RAM中， ROM和EPROM中。该
HM- 65162非常适合基于微处理器的使用
系统，其8位字长的组织。该conve-
对个别输出也使通过允许简化了总线接口
荷兰国际集团的数据输出进行控制的独立的芯片的
启用。选通输入更低的工作电流，也消除
内特需要上拉或下拉电阻。
1997年3月
特点
快速存取时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 /最大为90ns
低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大50μA
低工作电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70毫安最大
在2.0V数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大20μA
TTL兼容的输入和输出
JEDEC批准引脚（ 2716 ， 6116型）
无时钟或选通所需
平等周期和访问时间
单5V电源
选通输入
没有上拉或下拉电阻要求
订购信息
包
CERDIP
JAN ＃
SMD ＃
CLCC
SMD ＃
注意：
1.访问时间/数据保持电源电流。
TEMP 。 RANGE
-40
o
C至+ 85
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-55
o
C至125
o
C
70ns/20A
（注1 ）
HM1-65162B-9
29110BJA
8403606JA
HM4-65162B-9
8403606ZA
90ns/40A
（注1 ）
HM1-65162-9
29104BJA
8403602JA
HM4-65162-9
8403602ZA
8403603JA
HM4-65162C-9
8403603ZA
90ns/300A
（注1 ）
HM1-65162C-9
-
PKG 。号
F24.6
F24.6
F24.6
J32.A
J32.A
引脚配置
HM-65162
（ CERDIP ）
顶视图
NC
A7
HM-65162
（ CLCC ）
顶视图
V
CC
针
NC
NC
30
29 A8
28 A9
27 NC
26 W
25 G
24 A10
23 E
22 DQ7
21 DQ6
描述
无连接
地址输入
芯片使能/关机
地
数据输入/输出
电源（+ 5V）的
写使能
OUTPUT ENABLE
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
24 V
CC
23 A8
22 A9
21 W
20 G
19 A10
18 E
17 DQ7
16 DQ6
15 DQ5
14 DQ4
13 DQ3
A6
A5
A4
A3
A2
5
6
7
8
9
4
3
2
1
32 31
NC
A0 - A10
E
V
SS
/ GND
DQ0 - DQ7
V
CC
W
G
A1 10
A0 11
NC 12
DQ0
13
14 15 16
DQ1
DQ2
GND
17
NC
18
DQ3
19
DQ4
20
DQ5
DQ1 10
DQ2 11
GND 12
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
FN3000.1
1
HM-65162
工作原理图
A1
A
A2
A3
A4
A5
A6
A7
ROW
地址
卜FF器
7
ROW
解码器
A
7
128
列解码器
与数据
输入/输出（ X8 ）
4
A
G
4
A
1第8
DQ0
THRU
DQ7
128
128 X 128
存储阵列
8
E
COLUMN
地址缓冲器
W
A0
A8 A9 A10
2
HM-65162
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在ICCOP 05毫安/ MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
8
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
66
12
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围
HM- 65162S -9， HM- 65162B -9，
HM- 65162-9 ， HM65162C - 9 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26000 ·盖茨
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有评级
并且该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。
DC电气规格
V
CC
= 5V
±10%;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 65162S - 9 ， HM- 65162B - 9 ， HM- 65162-9 ， HM- 65162C - 9 ）
范围
符号
ICCSB1
参数
待机电源电流
民
-
-
最大
50
100
单位
A
A
测试条件
HM- 65162B - 9 ， IO = 0毫安，
E = V
CC
- 0.3V, V
CC
= 5.5V
HM- 65162S -9， HM65162-9 ，
IO = 0毫安，E = V
CC
- 0.3V,
V
CC
= 5.5V
HM- 65162C - 9 ， IO = 0毫安，
E = V
CC
- 0.3V, V
CC
= 5.5V
E = 2.2V ， IO = 0毫安，V
CC
= 5.5V
E = 0.8V ， IO = 0毫安，V
CC
= 5.5V
E = 0.8V ， IO = 0毫安， F = 1MHz时，
V
CC
= 5.5V
HM- 65162B - 9 ， IO = 0毫安，
V
CC
= 2.0V ， E = VCC - 0.3V
HM- 65162S - 9 ， HM- 65162-9 ，
IO = 0毫安，V
CC
= 2.0V,
E = V
CC
- 0.3V
HM- 65162C - 9 ， IO = 0毫安，
V
CC
= 2.0V ，E = V
CC
- 0.3V
VI = V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
VIO = V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 5.5V
IO = 4.0毫安，V
CC
= 4.5V
IO = -1.0mA ，V
CC
= 4.5V
IO = -100μA ，V
CC
= 4.5V
-
ICCSB
ICCEN
ICCOP
ICCDR
待机电源电流
使电源电流
工作电源电流（注1 ）
数据保持电源电流
-
-
-
-
-
900
8
70
70
20
40
A
mA
mA
mA
A
A
-
VCCDR
II
IIOZ
V
IL
V
IH
VOL
VOH1
VOH2
数据保持电源电压
输入漏电流
输入/输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压（注2 ）
2.0
-1.0
-1.0
-0.3
2.2
-
2.4
V
CC
-0.4
300
-
+1.0
+1.0
0.8
V
CC
+0.3
0.4
-
-
A
V
A
A
V
V
V
V
V
电容
T
A
= +25
o
C
符号
CI
CIO
注意事项：
1.典型的降额5毫安/ MHz的增加ICCOP 。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
参数
输入电容（注2 ）
输入/输出电容（注2 ）
最大
10
12
单位
pF
pF
测试条件
F = 1MHz时，所有的测量都
引用到设备GND
3
HM-65162
AC电气规格
V
CC
= 5V
±10%,
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 65162S - 9 ， HM- 65162B - 9 ， HM65162-9 ， HM- 65162C - 9 ）
范围
HM-65162S-9
符号
读周期
（1） TAVAX
（2） TAVQV
（3） TELQV
（4） TELQX
（5） TGLQV
（6） TGLQX
（7） TEHQZ
（ 8 ） TGHQZ
（9） TAVQX
写周期
（10） TAVAX
（11） TELWH
（12） TAVWL
（13） TWLWH
（ 14 ） tWHAX ALE低
（15） TGHQZ
（16） TWLQZ
（17） TDVWH
（18） TWHDX
（19） TWHQX
（20） TWLEH
（21） TDVEH
（ 22 ） TAVWH
写周期时间
芯片选择到结束
写
地址建立时间
写使能脉冲
宽度
写使能读
建立时间
输出使能输出
禁止时间
写使能输出
禁止时间
数据建立时间
数据保持时间
写使能输出
启用时间
写使能脉冲
建立时间
芯片使能数据
建立时间
地址有效的结束
写
55
45
5
40
10
-
-
25
10
0
45
25
45
-
-
-
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
70
45
10
40
10
-
-
30
10
0
40
30
50
-
-
-
-
-
35
40
-
-
-
-
-
-
90
55
10
55
10
-
-
30
15
0
55
30
65
-
-
-
-
-
40
50
-
-
-
-
-
-
90
55
10
55
10
-
-
30
15
0
55
30
65
-
-
-
-
-
40
50
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
芯片使能输出
启用时间
输出启用访问
时间
输出使能输出
启用时间
芯片使能输出
禁止时间
输出使能输出
禁止时间
从输出保持
地址变更
55
-
-
5
-
5
-
-
5
-
55
55
-
35
-
35
30
-
70
-
-
5
-
5
-
-
5
-
70
70
-
50
-
35
35
-
90
-
-
5
-
5
-
-
5
-
90
90
-
65
-
50
40
-
90
-
-
5
-
5
-
-
5
-
90
90
-
65
-
50
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
民
最大
HM-65162B-9
民
最大
HM-65162-9
民
最大
HM-65162C-9
民
最大
单位
条件
（注1,3）
（注1 ，3，4 ）
（注1,3）
（注2,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
注意事项：
1.输入脉冲电平： 0 3.0V ;输入上升和下降时间： 5ns的（最大） ;输入和输出时序参考电平： 1.5V ;输出负载： 1 TTL门
相当于和C
L
= 50pF的（分） - 对C
L
大于50pF的，存取时间是由每pF的0.15ns降额。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
3. V
CC
= 4.5和5.5V 。
4. TAVQV = TELQV +塔维尔。
4
HM-65162
时序波形
（1） TAVAX
（2） TAVQV
地址
（ 8 ） TGHQZ
G
（5） TGLQV
E
（6） TGLQX
（3） TELQV
Q
（4） TELQX
（9） TAVQX
（7） TEHQZ
注意：
1， W是高的读周期。
图1.读周期
地址必须保持稳定的读出期间
周期。阅读，G和E必须是
≤
V
IL
和W
≥
V
IH
。该
输出缓冲器可以独立用G来控制使用E
是低的。执行连续的读周期，E可绑
低持续，直到所有需要的位置进行访问。
（10） TAVAX
地址
（11） TELWH
E
（12） TAVWL
W
（16） TWLQZ
Q
(21)
tDVEH
D
（13） TWLWH
（20） TWLEH
（19） TWHQX
（ 14 ） tWHAX ALE低
（17） TDVWH
（ 22 ） TAVWH
（18） TWHDX
注意：
1， G是低整个写周期。
图2.写周期i
写，地址必须是稳定的，E低和W落低
为期不超过TWLWH短。数据引用
为W的上升沿， （ TDVWH和TWHDX ） 。而
地址被改变，W必须是高的。当W降至很低，
在I / O引脚仍处于输出状态一段TWLQZ的
和相反的相位，以输出输入数据必须不
可以应用， （总线争用） 。如果E变为低电平
同时用W线转换低，或后
W过渡，输出将保持在高阻抗
状态。 G被保持持续偏低。
5
TM
HM-65162
2K ×8的异步
CMOS静态RAM
描述
的HM - 65162是CMOS 2048 ×8的静态随机存取
使用Intersil的高级佐治V内存制造
流程。该器件采用异步电路设计
快速的循环时间和易用性。引脚排列是JEDEC 24
脚DIP和32垫8位宽的标准，它允许容易
内存的电路板布局的灵活性，以适应各种
行业标准的PROM ， RAM中， ROM和EPROM中。该
HM- 65162非常适合基于微处理器的使用
系统，其8位字长的组织。该conve-
对个别输出也使通过允许简化了总线接口
荷兰国际集团的数据输出进行控制的独立的芯片的
启用。选通输入更低的工作电流，也消除
内特需要上拉或下拉电阻。
1997年3月
特点
快速存取时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 /最大为90ns
低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大50μA
低工作电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70毫安最大
在2.0V数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大20μA
TTL兼容的输入和输出
JEDEC批准引脚（ 2716 ， 6116型）
无时钟或选通所需
平等周期和访问时间
单5V电源
选通输入
没有上拉或下拉电阻要求
订购信息
包
CERDIP
JAN ＃
SMD ＃
CLCC
SMD ＃
注意：
1.访问时间/数据保持电源电流。
TEMP 。 RANGE
-40
o
C至+ 85
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-55
o
C至125
o
C
70ns/20A
（注1 ）
HM1-65162B-9
29110BJA
8403606JA
HM4-65162B-9
8403606ZA
90ns/40A
（注1 ）
HM1-65162-9
29104BJA
8403602JA
HM4-65162-9
8403602ZA
8403603JA
HM4-65162C-9
8403603ZA
90ns/300A
（注1 ）
HM1-65162C-9
-
PKG 。号
F24.6
F24.6
F24.6
J32.A
J32.A
引脚配置
HM-65162
（ CERDIP ）
顶视图
NC
A7
HM-65162
（ CLCC ）
顶视图
V
CC
针
NC
NC
30
29 A8
28 A9
27 NC
26 W
25 G
24 A10
23 E
22 DQ7
21 DQ6
描述
无连接
地址输入
芯片使能/关机
地
数据输入/输出
电源（+ 5V）的
写使能
OUTPUT ENABLE
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
24 V
CC
23 A8
22 A9
21 W
20 G
19 A10
18 E
17 DQ7
16 DQ6
15 DQ5
14 DQ4
13 DQ3
A6
A5
A4
A3
A2
5
6
7
8
9
4
3
2
1
32 31
NC
A0 - A10
E
V
SS
/ GND
DQ0 - DQ7
V
CC
W
G
A1 10
A0 11
NC 12
DQ0
13
14 15 16
DQ1
DQ2
GND
17
NC
18
DQ3
19
DQ4
20
DQ5
DQ1 10
DQ2 11
GND 12
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
FN3000.1
1
HM-65162
工作原理图
A1
A
A2
A3
A4
A5
A6
A7
ROW
地址
卜FF器
7
ROW
解码器
A
7
128
列解码器
与数据
输入/输出（ X8 ）
4
A
G
4
A
1第8
DQ0
THRU
DQ7
128
128 X 128
存储阵列
8
E
COLUMN
地址缓冲器
W
A0
A8 A9 A10
2
HM-65162
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在ICCOP 05毫安/ MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
8
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
66
12
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围
HM- 65162S -9， HM- 65162B -9，
HM- 65162-9 ， HM65162C - 9 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26000 ·盖茨
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有评级
并且该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。
DC电气规格
V
CC
= 5V
±10%;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 65162S - 9 ， HM- 65162B - 9 ， HM- 65162-9 ， HM- 65162C - 9 ）
范围
符号
ICCSB1
参数
待机电源电流
民
-
-
最大
50
100
单位
A
A
测试条件
HM- 65162B - 9 ， IO = 0毫安，
E = V
CC
- 0.3V, V
CC
= 5.5V
HM- 65162S -9， HM65162-9 ，
IO = 0毫安，E = V
CC
- 0.3V,
V
CC
= 5.5V
HM- 65162C - 9 ， IO = 0毫安，
E = V
CC
- 0.3V, V
CC
= 5.5V
E = 2.2V ， IO = 0毫安，V
CC
= 5.5V
E = 0.8V ， IO = 0毫安，V
CC
= 5.5V
E = 0.8V ， IO = 0毫安， F = 1MHz时，
V
CC
= 5.5V
HM- 65162B - 9 ， IO = 0毫安，
V
CC
= 2.0V ， E = VCC - 0.3V
HM- 65162S - 9 ， HM- 65162-9 ，
IO = 0毫安，V
CC
= 2.0V,
E = V
CC
- 0.3V
HM- 65162C - 9 ， IO = 0毫安，
V
CC
= 2.0V ，E = V
CC
- 0.3V
VI = V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
VIO = V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
V
CC
= 4.5V
V
CC
= 5.5V
IO = 4.0毫安，V
CC
= 4.5V
IO = -1.0mA ，V
CC
= 4.5V
IO = -100μA ，V
CC
= 4.5V
-
ICCSB
ICCEN
ICCOP
ICCDR
待机电源电流
使电源电流
工作电源电流（注1 ）
数据保持电源电流
-
-
-
-
-
900
8
70
70
20
40
A
mA
mA
mA
A
A
-
VCCDR
II
IIOZ
V
IL
V
IH
VOL
VOH1
VOH2
数据保持电源电压
输入漏电流
输入/输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压（注2 ）
2.0
-1.0
-1.0
-0.3
2.2
-
2.4
V
CC
-0.4
300
-
+1.0
+1.0
0.8
V
CC
+0.3
0.4
-
-
A
V
A
A
V
V
V
V
V
电容
T
A
= +25
o
C
符号
CI
CIO
注意事项：
1.典型的降额5毫安/ MHz的增加ICCOP 。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
参数
输入电容（注2 ）
输入/输出电容（注2 ）
最大
10
12
单位
pF
pF
测试条件
F = 1MHz时，所有的测量都
引用到设备GND
3
HM-65162
AC电气规格
V
CC
= 5V
±10%,
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 65162S - 9 ， HM- 65162B - 9 ， HM65162-9 ， HM- 65162C - 9 ）
范围
HM-65162S-9
符号
读周期
（1） TAVAX
（2） TAVQV
（3） TELQV
（4） TELQX
（5） TGLQV
（6） TGLQX
（7） TEHQZ
（ 8 ） TGHQZ
（9） TAVQX
写周期
（10） TAVAX
（11） TELWH
（12） TAVWL
（13） TWLWH
（ 14 ） tWHAX ALE低
（15） TGHQZ
（16） TWLQZ
（17） TDVWH
（18） TWHDX
（19） TWHQX
（20） TWLEH
（21） TDVEH
（ 22 ） TAVWH
写周期时间
芯片选择到结束
写
地址建立时间
写使能脉冲
宽度
写使能读
建立时间
输出使能输出
禁止时间
写使能输出
禁止时间
数据建立时间
数据保持时间
写使能输出
启用时间
写使能脉冲
建立时间
芯片使能数据
建立时间
地址有效的结束
写
55
45
5
40
10
-
-
25
10
0
45
25
45
-
-
-
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
70
45
10
40
10
-
-
30
10
0
40
30
50
-
-
-
-
-
35
40
-
-
-
-
-
-
90
55
10
55
10
-
-
30
15
0
55
30
65
-
-
-
-
-
40
50
-
-
-
-
-
-
90
55
10
55
10
-
-
30
15
0
55
30
65
-
-
-
-
-
40
50
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
芯片使能输出
启用时间
输出启用访问
时间
输出使能输出
启用时间
芯片使能输出
禁止时间
输出使能输出
禁止时间
从输出保持
地址变更
55
-
-
5
-
5
-
-
5
-
55
55
-
35
-
35
30
-
70
-
-
5
-
5
-
-
5
-
70
70
-
50
-
35
35
-
90
-
-
5
-
5
-
-
5
-
90
90
-
65
-
50
40
-
90
-
-
5
-
5
-
-
5
-
90
90
-
65
-
50
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
民
最大
HM-65162B-9
民
最大
HM-65162-9
民
最大
HM-65162C-9
民
最大
单位
条件
（注1,3）
（注1 ，3，4 ）
（注1,3）
（注2,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
注意事项：
1.输入脉冲电平： 0 3.0V ;输入上升和下降时间： 5ns的（最大） ;输入和输出时序参考电平： 1.5V ;输出负载： 1 TTL门
相当于和C
L
= 50pF的（分） - 对C
L
大于50pF的，存取时间是由每pF的0.15ns降额。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
3. V
CC
= 4.5和5.5V 。
4. TAVQV = TELQV +塔维尔。
4
HM-65162
时序波形
（1） TAVAX
（2） TAVQV
地址
（ 8 ） TGHQZ
G
（5） TGLQV
E
（6） TGLQX
（3） TELQV
Q
（4） TELQX
（9） TAVQX
（7） TEHQZ
注意：
1， W是高的读周期。
图1.读周期
地址必须保持稳定的读出期间
周期。阅读，G和E必须是
≤
V
IL
和W
≥
V
IH
。该
输出缓冲器可以独立用G来控制使用E
是低的。执行连续的读周期，E可绑
低持续，直到所有需要的位置进行访问。
（10） TAVAX
地址
（11） TELWH
E
（12） TAVWL
W
（16） TWLQZ
Q
(21)
tDVEH
D
（13） TWLWH
（20） TWLEH
（19） TWHQX
（ 14 ） tWHAX ALE低
（17） TDVWH
（ 22 ） TAVWH
（18） TWHDX
注意：
1， G是低整个写周期。
图2.写周期i
写，地址必须是稳定的，E低和W落低
为期不超过TWLWH短。数据引用
为W的上升沿， （ TDVWH和TWHDX ） 。而
地址被改变，W必须是高的。当W降至很低，
在I / O引脚仍处于输出状态一段TWLQZ的
和相反的相位，以输出输入数据必须不
可以应用， （总线争用） 。如果E变为低电平
同时用W线转换低，或后
W过渡，输出将保持在高阻抗
状态。 G被保持持续偏低。
5
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