【HM-65141997年3月1024 ×4 CMOS RAM描述在HM- 6514是1024× 4 】,IC型号HM1-6514B-9,HM1-6514B-9 PDF资料,HM1-6514B-9经销商,ic,电子元器件-51电子网

HM-6514

1997年3月

1024 ×4 CMOS RAM

描述

在HM- 6514是1024× 4 CMOS静态RAM制造

采用自对准硅栅技术。该器件采用

同步电路来实现高性能和低

功率运行。

片上提供的地址，让英法fi cient锁存器

与微处理器系统接口。该数据输出

可以强制使用一个高阻抗状态中展开

存储器阵列。

选通输入允许更低的工作电流，也消除

内特需要上拉或下拉电阻。该

HM- 6514是一个完全静态RAM ，并且可保持在任何

状态的时间不知疲倦无限的时期。

数据保持电源电压，电源电流被瓜拉尼

开球温度过高。

特点

低功耗待机。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 125μW最大

低功耗操作。。。。。。。。。。。。。 35MW / MHz的最大

数据保留。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。在2.0V敏

TTL兼容输入/输出

通用数据输入/输出

三态输出

JEDEC标准引脚

快速存取时间。。。。。。。。。。。。。。。。。。 120 / 200ns的最大

18引脚封装的高密度

片上寄存器地址

选通输入 - 没有上拉或下拉电阻

需要

订购信息

120ns

HM3-6514S-9

HM1-6514S-9

24502BVA

8102402VA

-

200ns

HM3-6514B-9

HM1-6514B-9

-

8102404VA

-

300ns

HM3-6514-9

HM1-6514-9

-

8102406VA

-

HM4-6514-B

温度范围

-40

o

C至+ 85

o

C

-40

o

C至+ 85

o

C

-

-40

o

C至+ 85

o

C

-55

o

C至+ 125

o

C

包

PDIP

CERDIP

JAN ＃

SMD ＃

CLCC

PKG 。号

E18.3

F18.3

J18.B

引脚配置

HM- 6514 （ PDIP ， CERDIP ）

顶视图

A6

A5

A4

A3

A0

A1

A2

E

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

18 V

CC

17 A7

16 A8

15 A9

14 DQ0

13 DQ1

12 DQ2

11 DQ3

10 W

HM- 6514 （ CLCC ）

顶视图

A6

V

CC

18

A5

针

A

E

W

D

Q

描述

地址输入

芯片使能

写使能

A0

5

6

7

A4

A3

3

4

2

1

17

16 A8

15 A9

14 DQ0

13 DQ1

12 DQ2

数据输入

数据输出

A1

A2

8

E

9

GND

10

W

11

DQ3

A7

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

http://www.intersil.com或407-727-9207

|

版权

Intersil公司1999

网络文件编号

2995.1

6-1

HM-6514

工作原理图

LSB A9

A8

A7

A6

A5

A4

A

LATCHED

地址

注册

6

A

6

L

G

L

16 16 16 16

门控

COLUMN

I / O选择

G

门控

ROW

解码器

64 x 64

矩阵

64

LSB A2

A1

A0

A3

A

LATCHED

地址

注册

4

A

4

1 4

E

W

DQ

6-2

HM-6514

绝对最大额定值

电源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 7.0V

输入，输出或I / O电压。。。。。。。。。。。 GND -0.3V到V

CC

+0.3V

ESD分类科幻阳离子。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1级

热信息

热电阻（典型值）

θ

JA

θ

JC

o

C / W

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。 75

15

o

C / W

PDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 75

o

C / W

不适用

o

C / W

CLCC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。 90

33

o

C / W

最大存储温度范围。。。。。。。。。 -65

o

C至+150

o

C

最高结温

陶瓷封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

塑料包装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。 +300

o

C

工作条件

工作电压范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 4.5V至+ 5.5V

工作温度范围：

HM- 6514S -9， HM- 6514B -9， HM- 6514-9 。。。。。。。。 -40

o

C至+ 85

o

C

HM - 6514B - 8 ， HM- 6514-8 。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至+ 125

o

C

模具特点

门数。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6910 ·盖茨

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

直流电特定网络阳离子

V

CC

= 5V

±10%;

T

A

= -40

o

C至+ 85

o

C（ HM - 6514S - 9 ， HM- 6514B - 9 ， HM- 6514-9 ）

T

A

= -55

o

C至+ 125

o

C（ HM - 6514B - 8 ， HM- 6514-8 ）

范围

符号

ICCSB

参数

待机电源电流

HM-6514-9

HM-6514-8

民

-

最大

25

50

7

单位

A

mA

A

V

A

V

测试条件

IO = 0毫安，E = V

CC

-0.3V, V

CC

= 5.5V

ICCOP

工作电源电流（注1 ）

E = 1MHz时， IO = 0毫安， VI = GND ，

V

CC

= 5.5V

IO = 0毫安，V

CC

= 2.0V ，E = V

CC

ICCDR

数据保持电源

当前

HM-6514-9

HM-6514-8

-

2.0

-1.0

-0.3

V

CC

-2.0

-

2.4

V

CC

-0.4

15

25

-

+1.0

0.8

V

CC

+0.3

0.4

-

VCCDR

II

IIOZ

VIL

VIH

VOL

VOH1

VOH2

数据保持电源电压

输入漏电流

输入/输出漏电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

输出高电压（注2 ）

T

A

= +25

o

C

参数

输入电容（注2 ）

输入/输出电容（注2 ）

VI = V

CC

或GND ，V

CC

= 5.5V

VIO = V

CC

或GND ，V

CC

= 5.5V

V

CC

= 4.5V

V

CC

= 5.5V

IO = 2.0毫安，V

CC

= 4.5V

IO = -1.0mA ，V

CC

= 4.5V

IO = -100μA ，V

CC

= 4.5V

电容

符号

CI

CIO

注意事项：

最大

8

10

单位

pF

测试条件

F = 1MHz时，所有的测量都

引用到设备GND

1.典型的降额5毫安/ MHz的增加ICCOP 。

2.测试在初步设计和后主要的设计变化。

6-3

HM-6514

AC电气特定网络阳离子

V

CC

= 5V

±10%;

T

A

= -40

o

C至+ 85

o

C（ HM - 6514S - 9 ， HM- 6514B - 9 ， HM- 6514-9 ）

T

A

= -55

o

C至+ 125

o

C（ HM - 6514B - 8 ， HM- 6514-8 ）

范围

HM-6514S-9

符号

(1)

TELQV

(2)

tAVQV

(3)

TELQX

HM-6514B-9

民

-

5

最大

220

-

HM-6514-9

民

-

5

最大

300

320

-

单位

ns

TEST

条件

（注1,3）

（注1 ，3，4 ）

（注2,3）

参数

芯片使能存取时间

地址访问时间

芯片使能输出使能

时间

芯片使能输出禁止

时间

芯片使能脉冲负

宽度

芯片使能脉冲正

宽度

地址建立时间

地址保持时间

写使能脉冲宽度

芯片使能写脉冲

建立时间

芯片使能写脉冲保持

时间

数据建立时间

数据保持时间

写入数据的延迟时间

早期输出高阻时间

后期输出高阻时间

读或写周期时间

民

-

5

最大

120

-

(4)

TEHQZ

-

50

-

80

-

100

ns

（注2,3）

(5)

tELEH

120

-

200

-

300

-

ns

（注1,3）

(6)

tEHEL

50

-

90

-

120

-

ns

（注1,3）

(7)

塔维尔

(8)

tELAX

(9)

tWLWH

(10)

TWLEH

0

40

120

-

20

50

200

-

20

50

300

-

ns

（注1,3）

(11)

TELWH

120

-

200

-

300

-

ns

（注1,3）

(12)

tDVWH

(13)

tWHDX

(14)

TWLDV

(15)

tWLEL

(16)

tEHWH

(17)

TELEL

50

0

70

0

170

-

120

0

80

0

290

-

200

0

100

0

420

-

ns

-

（注1,3）

注意事项：

1.输入脉冲电平： 0.8V至V

CC

- 2.0V ;输入上升和下降时间： 5ns的（最大） ;输入和输出时序参考电平： 1.5V ;输出负载：

1 TTL门当量，C

L

= 50pF的（分） - 对C

L

大于50pF的，存取时间是由每pF的0.15ns降额。

2.测试在初步设计和后主要的设计变化。

3. V

CC

= 4.5V和5.5V 。

4. TAVQV = TELQV +塔维尔。

6-4

HM-6514

时序波形

（2） TAVQV

(7)

塔维尔

A

(6)

tEHEL

E

（1） TELQV

DQ

W

时间

参考

-1

0

1

2

3

4

5

高Z

（3） TELQX

（4） TEHQZ

有效的数据输出

高Z

(8)

tELAX

有效加载

（2） TAVQY

（5） TELEH

（17） TELEL

（ 7 ）塔维尔

接下来添加

(6)

tEHEL

图1.读周期

真值表

输入

时间

参考

-1

0

1

2

3

4

5

H

L

E

H

W

X

H

X

H

A

X

V

X

V

数据I / O

DQ

Z

X

V

Z

内存被禁用

周期开始时，地址被锁存

输出启用

输出有效

阅读有成就

准备进入下一个周期（同-1 ）

周期结束，下一个周期开始（同为0 ）

功能

地址信息被锁存到片上的寄存器

上的E （T = 0 ）的下降沿。最小地址设置和

保持时间的要求必须得到满足。所需要的保持后

时间，地址可能会改变状态，而不会影响

设备的操作。在时间（T = 1）的输出变为

启用，但数据是无效的，直到在时间（T = 2 ）。 W

必须保持在整个读周期高。输出后

数据已被读出， E可以返回高（T = 3）。这将显示

能够对输出缓冲器和所有的输入，并准备在RAM

下一个存储器周期（T = 4）。

6-5