HM-6504/883
1997年3月
4096× 1 CMOS RAM
描述
在HM- 883分之6504是4096× 1的静态CMOS RAM
制作采用自对准硅栅技术。该
装置使用同步电路来实现高perfor-
曼斯和低功耗运行。
提供的地址，数据输入和内部锁存器
数据输出允许英法fi cient与微处理器的接口
系统。数据输出可以被强制为高阻抗
状态在扩展内存阵列中使用。
选通输入允许更低的工作电流，也消除
内特需要上拉或下拉电阻。该
HM-八百八十三分之六千五百○四是完全静态RAM ，并且可保持在
任何状态的时间不知疲倦无限的时期。
数据保持电源电压，电源电流被瓜拉尼
开球温度过高。
特点
该电路耗时要按照MIL -STD-
883是完全符合根据的规定
第1.2.1 。
低功耗待机。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125μW最大
低功耗操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35MW / MHz的最大
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在2.0V敏
TTL兼容输入/输出
三态输出
JEDEC标准引脚
快速存取时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120 / 200ns的最大
18引脚封装的高密度
片上寄存器地址
选通输入 - 没有上拉或下拉电阻
需要
订购信息
包
CERDIP
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
200ns
HM1-6504B/883
300ns
HM1-6504/883
PKG 。 NO
F18.3
引脚
HM-八百八十三分之六千五百○四（ CERDIP ）
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
Q
W
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18 VCC
17 A6
16 A7
15 A8
14 A9
13 A10
12 A11
11 D
10 E
针
A
E
W
D
Q
描述
地址输入
芯片使能
写使能
数据输入
数据输出
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2993.1
6-134
HM-6504/883
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75
15
o
C / W
o
C至+150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6910 ·盖茨
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至+ 0.8V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC -2.0V到VCC + 0.3V
表1. HM-八百八十三分之六千五百〇四直流电气性能规格
设备保证100 ％测试
范围
参数
输出低电压
符号
VOL
（注1 ）
条件
VCC = 4.5V ，
IOL = 2毫安
VCC = 4.5V ，
IOH = -1.0mA
VCC = 5.5V ，
VI = GND或VCC
VCC = 5.5V ，
VO = GND和VCC
VCC = 2.0V ，
E = VCC ，
IO = 0毫安
VCC = 5.5V ，
（注2 ） ，
E = 1MHz时，
IO = 0毫安
VCC = 5.0V ，
E = VCC -0.3V ，
IO = 0毫安
A组
亚
1, 2, 3
温度
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-
1, 2, 3
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-
25
7
A
mA
民
-
最大
0.4
单位
V
输出高电压
VOH
1, 2, 3
2.4
-
V
A
A
输入漏电流
II
1, 2, 3
-1.0
+1.0
输出漏电流
IOZ
1, 2, 3
-1.0
+1.0
数据保持电源电流
ICCDR
1, 2, 3
工作电源电流
ICCOP
待机电源电流
ICCSB
1, 2, 3
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-
50
A
注意事项：
1.引用到设备GND所有电压。
2.典型的降额1.5毫安/ MHz的增加ICCOP 。
6-136
HM-6504/883
表2. HM-八百八十三分之六千五百〇四交流电气性能规格
设备保证100 ％测试
范围
（注1,2 ）
条件
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V ，注3
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
VCC = 4.5和
5.5V
组
一分
群体
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
温度
TURE
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
HM-6504S/883
民
-
-
120
最大
120
120
-
HM-6504B/883
民
-
-
200
最大
200
220
-
HM-6504/883
民
-
-
300
最大
300
320
-
单位
ns
ns
ns
参数
芯片使能
存取时间
地址访问
时间
芯片使能
脉冲负
宽度
芯片使能
正脉冲
宽度
地址设置
时间
地址保持
时间
写使能
脉冲宽度
写使能
脉冲设置
时间
早期写脉冲
建立时间
早期写脉冲
保持时间
数据建立时间
早期写数据
建立时间
数据保持时间
早期写数据
保持时间
读或写
周期
符号
(1)
TELQV
(2)
tAVQV
(5)
tELEH
(6)
tEHEL
9, 10, 11
50
-
90
-
120
-
ns
(7)
塔维尔
(8)
tELAX
(9)
tWLWH
(10)
TWLEH
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
0
40
20
70
-
-
-
-
20
50
60
150
-
-
-
-
20
50
80
200
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
(11)
tWLEL
(13)
TELWH
(14)
tDVWL
(15)
tDVEL
(16)
TWLDX
(17)
tELDX
(18)
TELEL
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
0
40
0
0
25
25
170
-
-
-
-
-
-
-
0
60
0
0
60
60
290
-
-
-
-
-
-
-
0
80
0
0
80
80
420
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.输入脉冲电平： 0.8V至VCC- 2.0V ;输入上升和下降时间： 5ns的（最大） ;输入和输出时序参考电平： 1.5V ;输出负载：
1TTL等效门， CL = 50pF的（分） - 为CL大于50pF的，访问时间是每pF的0.15ns降额。
3. TAVQV = TELQV +塔维尔。
6-137
HM-6504/883
表3. HM-八百八十三分之六千五百〇四电气性能规格
HM-6504S/883
范围
参数
输入电容
符号
CI
条件
VCC =开， F = 1MHz时，所有
测量参考
到设备接地
VCC =开， F = 1MHz时，所有
测量参考
到设备接地
VCC = 4.5至5.5V
记
1
温度
T
A
= +25
o
C
民
-
最大
8
单位
pF
产量
电容
CO
1
T
A
= +25
o
C
-
10
pF
芯片使能输出
禁止时间
芯片使能输出
禁止时间
(3)
TELQX
1
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
5
-
ns
(4)
TEHQZ
VCC = 4.5至5.5V
HM-6504S/883
VCC = 4.5至5.5V
HM-6504B/883
VCC = 4.5至5.5V
HM-6504/883
1
-
50
ns
1
-
80
ns
1
-
100
ns
写使能读
模式建立时间
(12)
tWHEL
VCC = 4.5至5.5V
1
0
-
ns
高电平输出
电压
注意：
弗赫尔
VCC = 4.5V ， IO = -100μA
1
-55
o
C
≤
T
A
≤
+125
o
C
VCC -
0.4
-
V
1.在表3中列出的参数，通过设计来控制或过程参数的特征在于，在最初的设计和后大
进程和/或设计变更。
f
表4.适用子群
合规组
初步测试
临时测试
PDA
最终测试
A组
C组&
法
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Samples/5005
Samples/5005
亚
-
1, 7, 9
1
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1, 7, 9
6-138
QQ：2880707522 复制
