【辐射测量测试过的AlInGaP II用于LED灯具的基于传感器的应用技术参数SunPower公司系列】,IC型号HLMP-ED80-K0T00,HLMP-ED80-K0T00 PDF资料,HLMP-ED80-K0T00经销商,ic,电子元器件-51电子网

辐射测量测试过的AlInGaP II

用于LED灯具的基于传感器的

应用

技术参数

SunPower公司系列

精密光学性能

HLMP-ED80-xxxxx

特点

其特点

辐射强度

高光功率输出

极长的使用年限

低功耗

好定义的空间

辐射方向图

639纳米

PEAK

红颜色

视角

高工作

温度：

jLED

= +130

卓越的耐

湿气

适合户外使用

应用

光电传感器激励

红外发射器

更换

固态光学鼠标

传感器

表面成像传感器

光学位置和运动

传感器

人机接口设备

计算机打印机点阵

品质管制

电池供电系统

描述

辐射测量精度测试

光学性能的AlInGaP II

（铝镓铟

磷化物） LED提供增加

基于传感器的应用设计

灵活性。高分辨率

辐射强度箱（毫瓦/ SR ）

使客户能够准确

搭配LED灯的性能

带传感器的功能。

可见光LED提供了新的造型

替代选择 - 光可

杠杆开发更多

有吸引力的产品。在比较

为不可见的红外源，

安全问题是显著

由人的改进

自主瞳孔反应和

反身性的运动距离

明亮的光线。可见光LED进一步

indidcate系统开/关状态。

在II的AlInGaP技术

提供了极其稳定的光

输出过很长时间

时，具有低功耗。

这些灯是由一个

先进的光学级环氧树脂

系统提供卓越的高

温度和湿度

户外性表现

系统。环氧包含

UV-A和UV-B抑制剂，以减少

长期暴露的影响

直射阳光下。

请联系您的Agilent

对于技术代表

更多信息和设计为

生产建议。应用

简短的I- 024

脉冲工作

范围为发光二极管的AlInGaP对比

预计长期轻

输出性能

及其他

应用信息可

在www.agilent.com/go/led_lamps 。

好处

LED辐射

表征减小

系统变

提高系统可靠性

视觉造型

可见颜色的改进

应用安全

开/关指示

适用于各种

基于传感器的应用

设备选型指南

产品型号

HLMP-ED80-K0T00

HLMP-ED80-K0000

最小的辐射强度

（毫瓦/高级） 20毫安

7.2

最大正向电压

（V）的20毫安

2.6

2.4

包装尺寸

5.00 ± 0.20

(0.197 ± 0.008)

8.71 ± 0.20

(0.343 ± 0.008

1.14 ± 0.20

(0.045 ± 0.008)

2.35 (0.093)

马克斯。

31.60

（ 1.244 ） MIN 。

0.70 (0.028)

马克斯。

阴极

领导

1.00分钟。

(0.039)

0.50 ± 0.10 SQ 。 TYP 。

(0.020 ± 0.004)

阴极

平

5.80 ± 0.20

(0.228 ± 0.008)

2.54 ± 0.38

(0.100 ± 0.015)

注意：

所有尺寸都以毫米（英寸）。

部分编号系统

HLMP - X X X X - X X X XX

机械选项

00 ：散装

斌选择

0 ：最大V

2.4 V

T：最大V

2.6 V

最大强度斌

0 ：无最大㈣档极限

最低强度斌

请参考设备选型指南

颜色

D： 630纳米的红色

包

E： T- 1 3/4 （ 5mm）的圆灯

在T绝对最大额定值

= 25

直流正向电流

[1,2,3]

.................................................. .......... 50毫安

峰值脉冲正向电流

[2,3]

..............................................百毫安

平均正向电流............................................... ............. 30毫安

反向电压（I

= 100

......................................................... 5 V

LED结温............................................... ........... 130℃

工作温度-40 .............................................. ° C至+ 100°C

存储温度................................................ .. -40 ° C至+ 120°C

DIP /拖焊锡温度................................ 260℃ ，持续6秒

通的波预热温度..................................... 145℃

通过最波峰焊温度................. 245℃ ，持续3秒

[ 1.59毫米（ 0.060英寸）低于飞机座位]

注意事项：

1.线性降额作为连接gure 4所示。

2.以最小的光输出降低长期性能，驱动电流

10毫安和30mA的建议。欲了解更多信息推荐

驾驶条件，请参阅HP应用简介I- 024 （ 5966-3087E ）。

3.请联系您的Agilent销售代表，以了解工作电流低于

10毫安。

在T电气/光学特性

= 25

参数

正向电压

ED80-xx0xx

ED80-xxTxx

反向电压

峰值波长

符号

PEAK

1/2

分钟。

典型值。

2.00

2.35

639

630

马克斯。

2.40

2.60

单位

波长宽度

光谱分布

功率点

= 20毫安

指数时间

常数，E

-t/τ

= 0中，f = 1 MHz的

LED结对阴极

领导

发出的光

电源/发出的辐射

电源在I

= 20毫安

发出的辐射功率

在我

= 20毫安

测试条件

= 20毫安

= 100

波长的峰值

光谱分布

在我

= 20毫安

主波长

[1]

光谱半宽

响应速度

电容

热阻

夜光ê FFI cacy

[5]

RΘ

J- PIN

240

155

° C / W

流明/瓦

视角

[2]

辐射强度

7.23

50.50

度。

毫瓦/ SR

注意事项：

1，主波长，

中，从参考光源大肠杆菌在CIE色度图上来自

1/2

是离轴角，光强是二分之一的轴上亮度。

3.辐射强度被测量在灯封装的机械轴。

4.光轴是与包装机械轴对准。

5.发光强度，我

在坎德拉，可以发现由式我

= I

，在那里我

在每瓦特的辐射强度

球面度和

是在流明/瓦的发光效率。

1.0

100

相对强度

红

电流 - 毫安

1.0

红

0.5

550

600

波长 - 纳米

650

700

1.5

2.0

2.5

3.0

- 正向电压 - V

图1相对强度与峰值波长。

图2a。正向电流与正向

电压选项-xx0xx 。

相对辐射强度

（归一20毫安）

2.5

- 正向电流 - 毫安

Rθ

= 585 ° C / W

Rθ

= 780 ° C / W

正向电流

2.0

1.5

1.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

100

正向电压 - V

- 正向直流电流 - 毫安

- 环境温度 - °C

图2b 。正向电流与

正向电压选项-xxTxx 。

图3.相对发光强度

与正向电流。

图4.最大正向电流

- 环境温度。降额

基于T

JMAX

= 130

归一化辐射定强度

1.00

0.90

0.80

0.70

0.60

0.50

0.40

0.30

0.20

0.10

-25

-20

-15

-10

-5

辐射强度

斌限制（毫瓦/ SR在20mA ）

滨ID

角位移 - 学位

分钟。

8.5

10.2

12.2

14.7

17.6

21.2

25.4

30.5

36.5

马克斯。

10.2

12.2

14.7

17.6

21.2

25.4

30.5

36.5

43.9

图5.代表性空间辐射模式30

视角灯。

注意事项：

1，公差为每个箱会

15%.

2.滨类别建立

产品分类。制品

可能并非在所有可用斌

类别。