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HL7852G
GaAlAs的激光二极管
描述
该HL7852G是一个高功率0.78微米与多量子阱带的GaAlAs半导体激光器(MQW)
结构。它适合作为光源用于光磁盘存储器,矫直机和各种其它类型的
光学仪器。封装的气密密封可以确保高可靠性。
特点
可见光输出:
λp
= 785 nm的典型
小束椭圆: 9.5 : 23
高输出功率: 50毫瓦( CW)
内置监控光电二极管
177
HL7852G
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
光输出功率
脉冲光输出功率
LD反向电压
PD反向电压
工作温度
储存温度
注意:
符号
P
O
P
O(脉冲)
V
R( LD )
V
R( PD)的
TOPR
TSTG
额定值
50
60*
1
2
30
-10至+60
-40至+85
单位
mW
mW
V
V
°C
°C
1.最大占空比为50% ,最大为1微秒的脉冲宽度
光学和电学特性
(T
C
= 25°C)
光输出功率
阈值电流
坡英法fi效率
工作电流
LD的工作电压
激光波长
光束发散角(平行)
光束发散角(垂直)
电流监视器
散光
符号
P
O
第i个
η
IOP
VOP
λp
θ//
θ⊥
Is
A
S
50
0.35
775
8
18
25
典型值
45
0.55
140
2.3
785
9.5
23
5
最大
70
0.7
170
2.7
795
12
28
150
单位
mW
mA
毫瓦/ MA
mA
V
nm
度。
度。
A
m
为40mW /我
( 45毫瓦)
– I
( 5毫瓦)
P
O
= 50毫瓦
P
O
= 50毫瓦
P
O
= 50毫瓦
P
O
= 50毫瓦, FWHM
P
O
= 50毫瓦, FWHM
P
O
= 5毫瓦,V
R( PD)的
= 5 V
P
O
= 5毫瓦, NA = 0.4
测试条件
扭结免费
178
HL7852G
典型特性曲线
179
HL7852G
典型特性曲线(续)
180
HL7852G
GaAlAs的激光二极管
描述
该HL7852G是一个高功率0.78
m
带的GaAlAs激光二极管具有多量子阱(MQW )结构。这是
适合作为光源,用于光盘存储器,矫直机和各种其它类型的光学设备。密闭
包装的密封保证了高可靠性。
ODE - 208-063A ( Z)
Rev.1
2006年12月4日
特点
可见光输出:
λp
= 785 nm的典型
小束椭圆: 9.5 : 23
高输出功率: 50毫瓦( CW)
内置监控光电二极管
套餐类型
HL7852G : G2
内部电路
1
3
PD
LD
2
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
光输出功率
脉冲光输出功率
LD反向电压
PD反向电压
工作温度
符号
P
O
P
O(脉冲)
V
R( LD )
V
R( PD)的
TOPR
评级
50
60 *
2
30
-10至+60
-40至+85
单位
mW
mW
V
V
°C
°C
储存温度
TSTG
注:最大占空比为50% ,最大1
s
脉冲宽度。
光学和电学特性
(T
C
= 25°C)
阈值电流
坡英法fi效率
LD的工作电流
LD的工作电压
激光波长
光束发散角(平行)
光束发散角
(垂直)
电流监视器
散光
符号
第i个
ηs
I
OP
V
OP
λp
θ//
θ⊥
I
S
A
S
0.35
775
8
18
25
典型值
45
0.55
135
2.3
785
9.5
23
45
5
最大
70
0.7
165
2.7
795
12
28
150
单位
mA
毫瓦/ MA
mA
V
nm
°
°
A
m
测试条件
40(毫瓦)/(我
(45mW)
– I
(5mW)
)
P
O
= 50毫瓦
P
O
= 50毫瓦
P
O
= 50毫瓦
P
O
= 50毫瓦, FWHM
P
O
= 50毫瓦, FWHM
P
O
= 5毫瓦,V
R( PD)的
= 5 V
P
O
= 5毫瓦, NA = 0.4
Rev.1号2006年12月4日第1页4
HL7852G
典型特性曲线
光输出功率与正向电流
60
阈值电流与外壳温度
100
光输出功率,P
O
( mW)的
50
40
30
20
10
0
60°C
阈值电流ITH(毫安)
200
T
C
= 0°C 25°C
50
30
20
0
40
80
120
160
10
0
10
20
30
40
50
60
正向电流I
F
(MA )
外壳温度,T
C
(°C)
斜率效率与外壳温度
1.0
100
监控电流和案例温度图
P
O
= 5毫瓦
V
R( PD)的
= 5 V
斜率效率,
ηs
(毫瓦/ mA)的
监视当前,我
S
(A)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
30
40
50
60
外壳温度,T
C
(°C)
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
外壳温度,T
C
(°C)
激射波长主场迎战外壳温度
800
P
O
= 50毫瓦
795
790
1.0
远场模式
P
O
= 50毫瓦
0.8 T
C
= 25°C
0.6
0.4
0.2
0
-40 -30 -20 -10
0
40
50
30
外壳温度,T
C
(°C)
10
20
60
0
10
20
30
40
并行
垂直
激射波长
λp
(纳米)
785
780
775
相对强度
角,
θ
( ° )
Rev.1号2006年12月4日第2页4
HL7852G
包装尺寸
单位:mm
φ
9.0
+0
–0.025
1.0 ± 0.1
(0.65)
(90°)
3.5 ± 0.2
0.3
玻璃
φ
7.2
+0.3
–0.2
φ
6.2 ± 0.2
(
φ
2.0)
发光点
0.4
+0.1
–0
3 –
φ
0.45 ± 0.1
1
2
3
1
3
2
φ
2.54 ± 0.35
OPJ码
JEDEC
JEITA
质谱(参考值)
1.5 ± 0.1
9±1
2.45
LD/G2
1.1 g
Rev.1号2006年12月4日第3页4
HL7852G
注意事项
1. Opnext的日本公司( OPJ )我们的任何权利或任何第三方的专利权,著作权并不保证或授予许可证,
本文档中包含的信息,商标或其他知识产权。 OPJ承担任何
责任问题,可能会出现与第三方权利,包括知识产权,在
与使用本文档中包含的信息连接。
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最终设计,购买或使用前最新的产品标准或规范。
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失效或故障可能直接威胁人的生命或身体受伤的风险的原因,如航空航天,
航空,核电,燃烧控制,运输,交通,安全设备和医疗设备
生活配套。
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等级,工作电源电压范围,热辐射等特性,安装条件等特点。
OPJ负有故障或损坏不承担任何责任使用超出保障范围的时候。即使在
保证的范围,考虑通常预期的失败率或半导体器件的失效模式和
采用系统性的措施,如故障保险,这样结合OPJ产品的设备不会造成身体
伤害,火灾或由于OPJ产品的操作之外的间接损害。
5,本产品不设计成抗辐射。
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请避免治疗可产生砷化镓粉末或气体,诸如分解或进行化学
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处理本产品时,请遵守国家的法律,它与其他废物,如分离
工业废弃物和生活垃圾。
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除非另有规定ED 。
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设备事业部Opnext的日本公司
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日本(日语)
其他区(英文)
http://www.opnext.com/jp/products/
http://www.opnext.com/products/
2007 Opnext的日本公司,保留所有权利。日本印刷。
后记2.0
Rev.1号2006年12月4日第4页4
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联系人:刘先生
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√ 欧美㊣品
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