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HL6316G
的AlGaInP激光二极管
描述
该HL6316G是0.63
m
带的AlGaInP半导体激光器具有多量子阱(MQW )结构。它是适合作为
光源的激光指针和光学仪器。
ODE - 208-026 ( Z)
Rev.0
2005年7月1日
特点
可见光输出: 635 nm的典型值
单纵模
光输出功率: 3毫瓦CW
低工作电流: 30毫安典型值
低工作电压: 2.7 V最大
TM模式振荡
套餐类型
HL6316G : G2
内部电路
1
3
PD
LD
2
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
光输出功率
脉冲光输出功率
LD反向电压
PD反向电压
工作温度
符号
P
O
P
O(脉冲)
V
R( LD )
V
R( PD)的
TOPR
评级
3
5*
2
30
-10至+50
-40至+85
单位
mW
mW
V
V
°C
°C
储存温度
TSTG
注:脉冲条件:脉冲宽度
1
s
,职务
50%
光学和电学特性
(T
C
= 25°C)
阈值电流
工作电流
工作电压
光束发散角
平行于结
光束发散角
垂直于该结
激光波长
电流监视器
符号
第i个
I
OP
V
OP
θ//
θ⊥
λp
I
S
6
23
630
0.1
典型值
25
30
8
30
635
0.3
最大
35
42
2.7
10
39
640
0.6
单位
mA
mA
V
°
°
nm
mA
测试条件
P
O
= 3毫瓦
P
O
= 3毫瓦
P
O
= 3毫瓦
P
O
= 3毫瓦
P
O
= 3毫瓦
P
O
= 3毫瓦,V
R( PD)的
= 5 V
Rev.0 2005年7月1日第1页4
HL6316G
典型特性曲线
光输出功率与正向电流
3
T
C
= -10°C
T
C
= 25°C
2
T
C
= 50°C
阈值电流与外壳温度
100
阈值电流ITH(毫安)
100
10
-10
光输出功率,P
O
( mW)的
1
0
0
20
40
60
80
正向电流I
F
(MA )
0
10
20
30
40
50
外壳温度,T
C
(°C)
监控电流和案例温度图
0.4
P
O
= 3毫瓦
V
R( PD)的
= 5 V
监视当前,我
S
(MA )
0.3
斜率效率与外壳温度
1.0
斜率效率,
ηs
(毫瓦/ mA)的
0.8
0.6
0.2
0.4
0.1
0.2
0
-10
0
10
20
30
40
50
0
-10
0
10
20
30
40
50
外壳温度,T
C
(°C)
外壳温度,T
C
(°C)
激射波长
λp
(纳米)
激射波长主场迎战外壳温度
644
P
O
= 3毫瓦
642
1
相对强度
640
638
636
634
632
630
628
-10
0
10
20
30
40
50
0
-40
0.8
0.6
0.4
远场模式
垂直
T
C
= 25°C
P
O
= 3毫瓦
并行
0.2
-20
0
20
角,
θ
( ° )
40
外壳温度,T
C
(°C)
4 Rev.0 2005年7月1日第2页
HL6316G
包装尺寸
截至2002年7月的
单位:mm
φ
9.0
+0
–0.025
1.0 ± 0.1
(0.65)
(90)
3.5 ± 0.2
0.3
玻璃
φ
7.2
+0.3
–0.2
φ
6.2 ± 0.2
(
φ
2.0)
发光点
0.4
+0.1
–0
3 –
φ
0.45 ± 0.1
1
2
3
1
3
2
φ
2.54 ± 0.35
OPJ码
JEDEC
JEITA
质谱(参考值)
1.5 ± 0.1
9±1
2.45
LD/G2
1.1 g
4 Rev.0 2005年7月1日第3页
HL6316G
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处理本产品时,请遵守国家的法律,它与其他废物,如分离
工业废弃物和生活垃圾。
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除非另有规定ED 。
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后记2.0
4 Rev.0 2005年7月1日第4页
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