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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1101页 > HIP7030A0M
HIP7030A0
初步
1994年4月
J1850 8位68HC05微控制器
模拟器版本
描述
该HIP7030A0仿真器是功能上等同于
HIP7030A2微控制器与增加外部数据
总线,地址总线和控制信号而提供芯片外
地址能力。它的目的是容许的原型和
对于面膜亲系统预产发展
编程的应用程序。该HIP7030A0也供
建设开发系统的HIP7030A2的。
特点
HIP7030A2单片机仿真
- 所有HIP7030A2硬件和软件功能
- 时序和性能相当于HIP7030A2
片上存储器
- 176字节的RAM - 无ROM
全8K字节地址空间可用外部
非复用的外部地址和数据线
- I / O内存接口匹配行业标准
EPROM / EEPROM器件的仿真技术与双
芯片
FS线Identi音响ES取环的断点逻辑
-40
o
C至+ 125
o
C温度范围
单3.0V至6.0V电源
提供68引脚PLCC封装
订购信息
产品型号
HIP7030A0M
温度
范围
-40
o
C至+ 125
o
C
68引脚塑料LCC
引脚
HIP7030A0 ( PLCC )
顶视图
CE
NC
NC
FS
RD
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
9 8 7 6 5 4 3 2 1 6867666564636261
NC
NC
WE
DS
ALC
PD4
PD3
PD2
PD1
PD0
NC
NC
V
SS
OSCOUT
OSCIN
SCK
MOSI
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27282930313233 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
NC
NC
NC
NC
NC
MISO
SS
TCAP
TCMP
VPWIN
VPWOUT
RESET
IRQ
V
DD
NC
PA7
PA6
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
A12
NC
DB0
DB1
DB2
DB3
DB4
DB5
DB6
DB7
OSCB
PA0
PA1
PA2
PA3
PA4
PA5
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
3645
9-40
HIP7030A0
框图
TCMP
35
TCAP
PA0
PA1
PA2
PA3
PA4
PA5
PA6
PA7
PD0
PD1
PD2 , V2
PD3 , V3
PD4 , VR
TCAP
DS
WE
CE
FS
RD
ALC
端口A的I / O线
34
49
48
47
46
45
44
43
42
19
端口D I / O线
18
17
16
15
定时器系统
国内
处理器
时钟
OSCIN OSCOUT
24
振荡器
÷
2
23
50
OSCB
38
39
RESET
IRQ
PORT
A
REG
数据
DIR
REG
累加器
8
8
5
指数
注册
条件代码
注册
指针
A
X
CC
S
ALU
中央处理器
控制
符号INT
37
VPW符号
编码器/
解码器
仲裁
36
VPWOUT
VPWIN
中央处理器
端口D
REG
+
6
端口D
SFR
REG
端口D
DIR
REG
5
8
32
SPI
系统
26
25
33
-
-
节目
计数器高PCH
节目
计数器低
的PCl
SCK
MOSI
MISO
SS
+
13
12
9
6
5
14
58
57
56
公共汽车
控制
总线驱动器
49
48
47
46
55
54
53
52
51
176 x 8
静态RAM
内部处理器时钟
看门狗和
慢时钟DETECT
地址DRIVE
45
44
43
42
49
48
47
46
A10
45
A12
A11
V
SS
22
V
DD
7
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
DB0
DB1
DB2
DB3
DB4
DB5
DB6
DB7
9-41
A9
特定网络阳离子HIP7030A0
绝对最大额定值
直流电源电压,V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5 + 7V
输入电压V
IN
(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (V
SS
-0.3 )至(Ⅴ
DD
+0.3)V
自我检查模式( IRQ引脚只) ,V
IN
. . (V
SS
-0.3 ) 2 (V
DD
+0.3)V
每个引脚的电流消耗(不包括V
DD
和V
SS
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
热信息
热阻
θ
JA
塑料LCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
o
C / W
最大封装功耗,P
D
在125
o
温度。 。 。 。 。 。为450mW
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 125
o
C
存储温度范围,T
英镑
. . . . . . . . . . . -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
控制时序
V
DD
= 5V
DC
±10%,
V
SS
= 0V
DC
, T
A
= -40
o
C至+ 125
o
C除非另有规定ED 。
符号
测试条件
典型值
最大
单位
参数
操作的频率
水晶选项
外部时钟选项
内部工作频率
水晶(F
OSC
+ 2)
外部时钟(F
OSC
+ 2)
周期
f
OSC
1
1
-
-
10
10
兆赫
兆赫
f
OP
0.5
0.5
-
-
-
5
5
-
兆赫
兆赫
ns
t
CYC
200
直流电特定网络阳离子
参数
输出电压
V
DD
= 5V
DC
±10%,
V
SS
= 0V
DC
, T
A
= -40
o
C至+ 125
o
C除非另有规定ED 。
符号
V
OL
V
OH
测试条件
I
负载
& LT ; 10毫安
I
负载
> -10mA
I
负载
- 0.8毫安
-
V
DD
-0.1
V
DD
-0.8
典型值
-
-
-
最大
0.1
-
-
单位
V
V
V
输出高电压:
A0 - A12 , DB0 - DB7 , CE , RD , WE , FS
输出低电压:
A0 - A12 , DB0 - DB7 , CE , RD , WE , FS
输入高电压: DB0 - DB7
输入低电压: DB0 - DB7
DB0-7高阻抗漏
当前位置:
输入电流
电容
V
OH
V
OH
I
负载
= 1.6毫安
-
-
0.4
0.7V
DD
-
+10
V
V
IH
V
IL
I
IL
-
0.3V
DD
-10
0.5V
DD
-
-
V
V
A
A
pF
pF
mA
I
IN
C
OUT
C
IN
-1
-
-
-
-
-
-
8
+1
12
8
待定
电源电流: RUN
注意事项:
I
RUN
1.该设备包含的电路,以防止损坏是由于电网络的视场高静电电压输入;然而,它是表示
要采取正常的预防措施,以避免申请超过最大额定电压较高,以这种高阻抗电路中的任何电压。为
正确的操作,建议V
IN
和V
OUT
被约束的范围V
SS
(V
IN
或V
OUT
)
V
DD
。操作的可靠性
如果提高未使用的输入连接到一个适当的逻辑电平(例如,无论是V
SS
或V
DD
)
2.特性列独特的模拟器IC的信号。有关其他信号引脚的详细信息请参见HIP7030A2数据表。
3.最小频率适用于当ALC低。
9-42
特定网络阳离子HIP7030A0
读周期时序
(ALC = 0 )(参见图1 )V
DD
= 5V
DC
±10%,
V
SS
= 0V
DC
, T
A
= -40
o
C至+ 125
o
C除非另有规定ED 。
参数
OSCB工作频率
读周期时间
地址建立时间之前, CE
从CE访问时间
访问时间从RD
访问时间从地址变更
地址保持时间后, CE
数据保持时间后, CE
数据总线驱动从RD
(时间将数据从高阻抗有源
状态)
RD后的数据保持时间
(保持时间为高阻状态)
OSCB到DS传播延迟
1
200
-10
-
-
-
0
0
0
最大
10
2000
-
t
CYC
- 80
0.75t
CYC
- 80
t
CYC
- 80
-
-
-
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
f
OSC
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
t
CYC
t
AVCEL
t
DVCEL
t
DVRDL
t
DVAV
t
CEHAX
t
CEHAX
t
RDLDX
(9)
(10)
注意:
t
RDHAX
0
-
ns
t
OSCDS
5
25
ns
最小频率适用于当ALC低。
写周期时序
(ALC = 0) (参见图2 )v
DD
= 5V
DC
±10%,
V
SS
= 0V
DC
, T
A
= -40
o
C至+ 125
o
C除非另有规定ED 。
参数
OSCB工作频率
写周期时间
地址建立时间之前, CE
之前地址建立时间WE
WE脉冲宽度
数据建立时间WE后缘
数据保持时间后,我们尾随边缘
地址保持时间,我们经过后缘
OSCB到DS传播延迟
1
200
-10
0.25t
CYC
- 25
0.5t
CYC
- 10
0.75t
CYC
- 75
0.25t
CYC
- 20
0.25t
CYC
- 20
5
最大
10
2000
-
-
-
-
-
-
25
单位
兆赫
ns
ns
-
ns
ns
ns
ns
ns
符号
f
OSC
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
注意:
t
CYC
t
AVCEL
t
AVWEL
t
WEWE
t
DVWEH
t
WEHDX
t
WEHAX
t
OSCDS
1.最小频率适用于当ALC低。
读周期时序( ALC = 1 )
(参见图3 )V
DD
= 5V
DC
±10%,
V
SS
= 0V
DC
, T
A
= -40
o
C至+ 125
o
C除非另有规定ED 。
符号
f
OSC
参数
OSCB工作频率
最大
10
单位
兆赫
9-43
特定网络阳离子HIP7030A0
读周期时序( ALC = 1 )
(参见图3 )V
DD
= 5V
DC
±10%,
V
SS
= 0V
DC
, T
A
= -40
o
C至+ 125
o
C除非另有规定ED 。
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
符号
t
CYC
t
RDOSC
t
DVCEL
t
DVOSC
t
OSCAV
t
OSCAX
t
OSCAX
t
RDLDX
参数
读周期时间
RD , FS建立时间OSCB前
从CE访问时间
访问时间从OSCB
地址建立时间OSCB前
地址保持时间OSCB后
数据保持时间OSCB后
数据总线驱动从CE
(时间将数据从高阻抗有源
状态)
RD , FS保持时间OSCB后
OSCB到DS传播延迟
200
0.5t
CYC
-25
-
-
0.5t
CYC
-25
0.5t
CYC
10
0
最大
-
-
t
CYC
-80
t
CYC
-70
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(9)
(10)
注意:
t
OSCRD
t
OSCDS
0.5t
CYC
5
-
25
ns
ns
1.最小频率适用于当ALC高。
写周期时序( ALC = 1 )
(参见图4 )V
DD
= 5V
DC
±10%,
V
SS
= 0V
DC
, T
A
= -40
o
C至+ 125
o
C除非另有规定ED 。
符号
f
OSC
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
t
CYC
t
RDOSC
t
DVOSC
t
OSCAV
t
OSCAX
t
OSCAX
t
OSCDX
参数
OSCB工作频率
写周期时间
RD , FS建立时间OSCB前
数据建立时间之前OSCB
地址建立时间OSCB前
地址保持时间OSCB后
数据保持时间OSCB后
数据总线驱动从OSCB
(时间将数据从高阻抗有源
状态)
RD , FS保持时间OSCB后
OSCB到DS传播延迟
0.5t
CYC
-25
0.5t
CYC
10
.25t
CYC
-25
200
0.5t
CYC
-25
最大
10
-
-
0.75t
CYC
-95
-
-
-
-
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(8)
(9)
注意:
t
OSCRD
t
OSCDS
0.5t
CYC
5
-
25
ns
ns
1.最小频率适用于当ALC高。
9-44
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HIP7030A0M
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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