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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第459页 > HIP6603CB
HIP6601 ， HIP6603
数据表
2000年1月
网络文件编号
4819
同步整流， ED降压MOSFET
DRIVERS
的HIP6601和HIP6603是高频，双
MOSFET驱动器具体来说，旨在推动两电
N沟道MOSFET的同步整流，降压版
转换器拓扑结构。这些驱动程序结合HIP630x
多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs
形成一个完整的核心电压稳压器
先进的微处理器。
该HIP6601驱动下门的同步整流器器
桥接至12V，而上部栅极可以独立地
赶了过来范围为5V至12V 。该HIP6603驱动器
上下两个栅极在一定范围5V至12V 。这
驱动电压的灵活性提供了优化的优势
涉及的开关损耗之间权衡的应用
与导通损耗。
在HIP6601和HIP6603输出驱动器具有
能力，以英法fi ciently开关功率MOSFET工作频率
高达2MHz 。每个驱动器能够驱动一个3000pF的负载
以30ns的传播延迟和50ns的过渡时间。两
产品实现与上层门引导
只有一个外部电容器必需的。这将减少
实现的复杂性，并且允许使用更高的
高性能，高性价比， N沟道MOSFET 。自适应
击穿保护集成，以防止这两个
MOSFET同时导通。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
内部自举设备
支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为30ns
小型8引脚SOIC封装
双栅极驱动电压为最佳外汇基金fi效率
三态输入的大桥关闭
电源欠压保护
应用
核心电压供应为英特尔奔腾III ， AMD
速龙微处理器
高频低廓型DC-DC转换器
大电流低电压DC -DC转换器
引脚
HIP6601CB/HIP6603CB
（ SOIC ）
顶视图
订购信息
产品型号
HIP6601CB
HIP6603CB
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
0到85
0到85
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
PKG 。号
M8.15
M8.15
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
相
PVCC
VCC
LGATE
框图
PVCC
BOOT
UGATE
VCC
相
+5V
10K
PWM
控制
逻辑
10K
拍摄开启
通过
保护
VCC时HIP6601
PVCC FOR HIP6603
LGATE
GND
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
UltraFET 是Intersil公司的商标。 1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
奔腾是Intel Corporation的注册商标。 AMD是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。
HIP6601 ， HIP6603
典型用途
+12V
+5V
BOOT
VCC
PWM
PVCC
UGATE
驱动阶段
HIP6601
LGATE
+12V
+5V
+5V
BOOT
+ VCORE
VFB
VCC
VSEN
PGOOD
COMP
VCC
PWM1
PWM2
PWM3
PWM
PVCC
UGATE
驱动阶段
HIP6601
LGATE
VID
主
控制
HIP6301
ISEN1
ISEN2
FS
GND
ISEN3
+5V
BOOT
PVCC
VCC
PWM
驱动阶段
HIP6601
LGATE
UGATE
+12V
2
HIP6601 ， HIP6603
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压（ PVCC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT
- V
相
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至V
PVCC
+ 0.3V
ESD额定值
人体模型（每MIL -STD- 883方法3015.7 ） 。 。 。 。 .3kV
机器型号（每EIAJ ED- 4701方法C - 111 ） 。 。 。 。 。 。 。 .200V
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至85
o
C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125
o
C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
HIP6601 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
HIP6603 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
HIP6601 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
HIP6603 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
4.4
2.5
200
1.8
6.2
3.6
430
3.3
mA
mA
A
mA
电源电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
PWM输入
输入电流
PWM上升阈值
PWM下降阈值
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
关闭窗口
关闭释抑时间
产量
上驱动源阻抗
R
UGATE
R
UGATE
R
LGATE
R
LGATE
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
上驱动吸收阻抗
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 12V
降低驱动源阻抗
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 12V
下驱动水槽阻抗
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
-
-
-
2.5
7.0
2.3
1.0
4.5
9.0
1.5
3.0
7.5
2.8
1.3
5.0
9.5
2.9
TR
UGATE
TR
LGATE
TF
UGATE
TF
LGATE
V
PVCC
= V
VCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V， 3nF的负载
I
PWM
V
PWM
= 0或5V （见框图）
-
3.6
-
-
-
-
-
-
-
1.5
-
500
3.7
1.3
20
50
20
20
30
20
-
230
-
-
1.4
-
-
-
-
-
-
3.6
-
A
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
ns
9.7
9.0
9.9
9.1
10.0
9.2
V
V
保持tPDL
UGATE
V
VCC
= V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
保持tPDL
LGATE
V
VCC
= V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
3
HIP6601 ， HIP6603
功能引脚说明
UGATE （引脚1 ）
上栅极驱动输出。连接到高端电源的栅极
N沟道MOSFET 。
PVCC （引脚7 ）
对于HIP6601 ，该引脚提供上门驱动偏置。
连接该引脚为+ 12V下降到+ 5V 。
为HIP6603 ，这个引脚提供上部和下部
门驱动偏置。该引脚连接至任一+ 12V或+ 5V 。
BOOT （引脚2 ）
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。
连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容提供充电，以
打开上部MOSFET 。看到内部自举
下描述了制导装置部分
选择合适的电容值。
PHASE （引脚8 ）
该引脚连接到上层MOSFET和源
漏较低的MOSFET 。相电压为
自适应贯通保护监控。该引脚
还提供了用于上部栅极驱动器的返回路径。
描述
手术
专为通用性和速度， HIP6601和HIP6603
双MOSFET驱动器同时控制高侧和低侧的N-
沟道场效应晶体管由一个外部提供的PWM信号。
上部和下部栅极被保持为低，直到驱动程序是
初始化。一旦VCC电压超过了VCC上升
阈值（见电气连接特定阳离子） ， PWM信号
采用栅过渡控制。在PWM上升沿
启动关断下部MOSFET的（见时序
图）。经过短暂的传播延迟[保持tPDL
LGATE
]，则
更低的栅极开始下降。典型下降时间[ TF
LGATE
]是
在特定的电气连接阳离子部分提供。自适应
直通电路监测LGATE电压和
确定上部栅极延迟时间[ TPDH
UGATE
]根据
如何快速的LGATE电压低于1.0V 。这
防止两者的下部和上部从MOSFET的
进行同时或穿通。一旦这种延迟
周期完成上栅极驱动开始上升
[ TR
UGATE
]和上MOSFET导通。
PWM （引脚3 ）
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看到了
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细信息。该引脚连接到控制器的PWM输出。
GND （引脚4 ）
偏置和参考地。所有的信号都参考这个
节点。
LGATE （引脚5 ）
更低的栅极驱动器输出。连接到低侧的门
功率N沟道MOSFET 。
VCC （引脚6 ）
该引脚连接到+ 12V的偏置电源。将高品质
旁路电容此引脚与GND 。
时序图
PWM
tPDH时间
UGATE
保持tPDL
UGATE
TR
UGATE
TF
UGATE
UGATE
LGATE
TF
LGATE
保持tPDL
LGATE
tPDH时间
LGATE
TR
LGATE
4
HIP6601 ， HIP6603
PWM的一个下降沿表示关断上的
MOSFET和导通的下MOSFET的。短
传播延迟[保持tPDL
UGATE
]之前遇到的
上闸开始下降[ TF
UGATE
] 。再次，自适应
直通电路决定下门延迟时间，
tPDH时间
LGATE
。相电压进行监控和下
门不得低于0.5V PHASE下降后上升。该
下门，然后上升[ TR
LGATE
] ，把在下部
MOSFET。
自举电容必须有一个最大的电压
评价上述VCC + 5V 。自举电容可
从下面的方程中选择：
Q
门
-
C
BOOT
≥
-----------------------
V
BOOT
其中Q
门
是必需的栅极电荷量，以充分
充上MOSFET的栅极。该
V
BOOT
期限
德网络定义为在上部驱动的轨道允许的下垂。
作为一个例子，假设一个HUF76139被选择作为
上MOSFET 。栅极电荷，Q
门
从数据
板材是65nC的10V上的栅极驱动。我们假设一个
200mV的压降超过PWM周期的驱动电压。我们第二科幻
至少0.325μF的自举电容是必需的。
下一个较大的标准值电容0.33μF 。
三态PWM输入
在HIP660X司机的一大特色是增加了一个
关闭窗口的PWM输入。如果PWM信号
进入并保持在关闭窗口内的一组
释抑时间，输出驱动器被禁用，并且这两个
MOSFET栅极被拉低并保持低电平。在关机状态下
当PWM信号以外的移动被去除
关闭窗口。否则，将PWM的上升沿和下降沿
在电气特性概述门槛
确定当被启用的下部和上部栅极。
栅极驱动电压多功能性
该HIP6601和HIP6603提供用户总的灵活性
选择栅极驱动电压。该HIP6601更低的栅极
驱动器是固定的连接到VCC [ + 12V ] ，但上轨的驱动器可以
范围从12V下降到5V取决于什么电压是
适用于PVCC 。的HIP6603绑在上下
驱动导轨在一起。简单地施加一电压从5V到
12V上PVCC同时设置驱动轨电压。
自适应贯通保护
两位车手结合自适应贯通保护
为防止高端和低端MOSFET的导通
同时，缩短了输入电源。这是
确保落闸已完成关闭1
之前的另一个MOSFET可以升高。
关断过程中的下MOSFET的，所述LGATE电压是
监视，直到它到达一个1.0V的阈值，在该时间的
UGATE释放上升。自适应贯通线路
监测期间UGATE关断相电压。一旦
相位已经下降到低于0.5V的阈值，则LGATE
可以升高。相持续期间被监视
下门的上升时间。如果相位电压超过
在此期间0.5V阈值，并保持较高的更长
比为2μs ，在LGATE变为低电平。上部和下部
门，然后保持低电平，直到PWM的下一个上升沿
信号。
功耗
封装功耗的主要功能
开关频率和所选择的总的栅极电荷
的MOSFET。计算驱动程序中的功耗
一个期望的应用是为了确保安全运行的关键。
超过最大允许功耗水平
将推动IC超出建议的最大
125工作结温
o
C.最大
允许IC功耗的SO8封装
大约800mW的。在设计驱动成
应用，建议下面的计算
来进行，以确保在所期望的安全操作
频率为选定的MOSFET。功率耗散
由驾驶员被近似为：
3
-
P
=
1.05f
sw
--
V
U
Q
+
V
L
Q
+
I
DDQ
V
2
L
CC
U
上电复位（ POR）功能
在初始启动时， VCC电压上升的监测和
门驱动器保持低电平，直到一个典型的VCC上升阈值
9.9V的到达。一旦VCC上升门槛
超过， PWM输入信号取的栅极的控制
驱动器。如果VCC低于典型的VCC下降阈值
操作期间9.1V ，那么这两个栅极驱动器再次保持
低。这种情况一直存在，直到VCC电压超过
在VCC上升阈值。
内部自举设备
这两种驱动器具有内置自举装置。简单地
增加一个外部电容两端的BOOT和PHASE
销完成了自举电路。
其中f
sw
是PWM信号的开关频率。 V
U
和V
L
表示上部和下部栅极轨电压。 Q
U
和Q
L
在上部和下部栅极电荷由下式确定
MOSFET的选择和添加到任何外接电容
栅极引脚。在我
DDQ
V
CC
产品的静态功耗
驱动程序和通常为30mW 。
功耗近似是权力的结果
传送到并从上部和下部栅极。但是，在
内部自举器件还消耗功率芯片
在该刷新周期。在表达方面这款电源
低于上MOSFET的总栅极电荷解释。
5
HIP6601 ， HIP6603
UCT
UCT
PROD NT PROD
勒特
ME
OBSO E放置03B
66
，D R
数据表
ENDE 6601B ， HIP
MM HIP
RECO
2004年8月
FN4819.1
同步整流， ED降压MOSFET
DRIVERS
的HIP6601和HIP6603是高频，双
MOSFET驱动器具体来说，旨在推动两电
N沟道MOSFET的同步整流，降压版
转换器拓扑结构。这些驱动程序结合HIP630x
多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs
形成一个完整的核心电压稳压器
先进的微处理器。
该HIP6601驱动下门的同步整流器器
桥接至12V，而上部栅极可以独立地
赶了过来范围为5V至12V 。该HIP6603驱动器
上下两个栅极在一定范围5V至12V 。这
驱动电压的灵活性提供了优化的优点
涉及的开关损耗之间权衡的应用
与导通损耗。
在HIP6601和HIP6603输出驱动器具有
能力，以英法fi ciently开关功率MOSFET工作频率
高达2MHz 。每个驱动器能够驱动一个3000pF的负载
以30ns的传播延迟和50ns的过渡时间。两
产品实现与上层门引导
只有一个外部电容器必需的。这将减少
实现的复杂性，并且允许使用更高的
高性能，高性价比， N沟道MOSFET 。自适应
击穿保护集成，以防止这两个
MOSFET同时导通。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
内部自举设备
支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为30ns
小型8引脚SOIC封装
双栅极驱动电压为最佳效率
三态输入的大桥关闭
电源欠压保护
应用
核心电压供应为英特尔奔腾III ， AMD
速龙微处理器
高频超薄型DC-DC转换器
大电流低电压DC -DC转换器
引脚
HIP6601CB/HIP6603CB
（ SOIC ）
顶视图
订购信息
产品型号
HIP6601CB
HIP6603CB
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
0到85
0到85
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
PKG 。号
M8.15
M8.15
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
相
PVCC
VCC
LGATE
框图
PVCC
BOOT
UGATE
VCC
相
+5V
10K
PWM
控制
逻辑
10K
拍摄开启
通过
保护
VCC时HIP6601
PVCC FOR HIP6603
LGATE
GND
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2000 ， 2004.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP6601 ， HIP6603
典型用途
+12V
+5V
BOOT
VCC
PVCC
UGATE
PWM
驱动阶段
HIP6601
LGATE
+12V
+5V
+5V
BOOT
+ VCORE
VFB
VCC
VSEN
PGOOD
COMP
VCC
PWM1
PWM2
PWM3
PWM
PVCC
UGATE
驱动阶段
HIP6601
LGATE
VID
主
控制
HIP6301
ISEN1
ISEN2
FS
GND
ISEN3
+5V
BOOT
PVCC
VCC
PWM
驱动阶段
HIP6601
LGATE
UGATE
+12V
2
HIP6601 ， HIP6603
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压（ PVCC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT
- V
相
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 .V
相
- 5V（ <400ns脉冲宽度）到V
BOOT
+ 0.3V
. . . . . . . . . . . V
相
- 3.0V （ >400ns脉冲宽度）到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 5V （ <400ns脉冲宽度）到V
PVCC
+ 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 3.0V （ >400ns脉冲宽度）到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 5V （ <400ns脉冲宽度）为15V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V （ >400ns脉冲宽度）为15V
ESD额定值
人体模型（每MIL -STD- 883方法3015.7 ） 。 。 。 。 .3kV
机器型号（每EIAJ ED- 4701方法C - 111 ） 。 。 。 。 。 。 .200V
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
113
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至85
o
C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125
o
C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
HIP6601 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
HIP6603 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
HIP6601 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
HIP6603 ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
4.4
2.5
200
1.8
6.2
3.6
430
3.3
mA
mA
A
mA
电源电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
PWM输入
输入电流
PWM上升阈值
PWM下降阈值
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
关闭窗口
关闭释抑时间
产量
上驱动源阻抗
R
UGATE
R
UGATE
R
LGATE
R
LGATE
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
上驱动吸收阻抗
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 12V
降低驱动源阻抗
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 12V
下驱动水槽阻抗
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
-
-
-
2.5
7.0
2.3
1.0
4.5
9.0
1.5
3.0
7.5
2.8
1.3
5.0
9.5
2.9
TR
UGATE
TR
LGATE
TF
UGATE
TF
LGATE
V
PVCC
= V
VCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V， 3nF的负载
I
PWM
V
PWM
= 0或5V （见框图）
-
3.6
-
-
-
-
-
-
-
1.5
-
500
3.7
1.3
20
50
20
20
30
20
-
230
-
-
1.4
-
-
-
-
-
-
3.6
-
A
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
ns
9.7
9.0
9.9
9.1
10.0
9.2
V
V
保持tPDL
UGATE
V
VCC
= V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
保持tPDL
LGATE
V
VCC
= V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
3
HIP6601 ， HIP6603
功能引脚说明
UGATE （引脚1 ）
上栅极驱动输出。连接到高端电源的栅极
N沟道MOSFET 。
PVCC （引脚7 ）
对于HIP6601 ，该引脚提供上门驱动偏置。
连接该引脚为+ 12V下降到+ 5V 。
为HIP6603 ，这个引脚提供上部和下部
门驱动偏置。该引脚连接至任一+ 12V或+ 5V 。
BOOT （引脚2 ）
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。
连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容提供充电，以
打开上部MOSFET 。串联启动电阻
电容器需要在某些应用中，以减少振铃
在BOOT引脚。看到内部引导设备部分
下选择具体的指导
适当的电容和电阻值。
PHASE （引脚8 ）
该引脚连接到上层MOSFET和源
漏较低的MOSFET 。相电压为
自适应贯通保护监控。该引脚
还提供了用于上部栅极驱动器的返回路径。
描述
手术
专为通用性和速度， HIP6601和HIP6603
双MOSFET驱动器同时控制高侧和低侧的N-
沟道场效应晶体管由一个外部提供的PWM信号。
上部和下部栅极被保持为低，直到驱动程序是
初始化。一旦VCC电压超过了VCC上升
阈值（见电气连接特定阳离子） ， PWM信号
采用栅过渡控制。在PWM上升沿
启动关断下部MOSFET的（见时序
图）。经过短暂的传播延迟[保持tPDL
LGATE
]，则
更低的栅极开始下降。典型下降时间[ TF
LGATE
]是
在特定的电气连接阳离子部分提供。自适应
直通电路监测LGATE电压和
确定上部栅极延迟时间[ TPDH
UGATE
]根据
如何快速的LGATE电压低于1.0V 。这
防止两者的下部和上部从MOSFET的
进行同时或穿通。一旦这种延迟
周期完成上栅极驱动开始上升
[ TR
UGATE
]和上MOSFET导通。
PWM （引脚3 ）
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看到了
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细信息。该引脚连接到控制器的PWM输出。
GND （引脚4 ）
偏置和参考地。所有的信号都参考这个
节点。
LGATE （引脚5 ）
更低的栅极驱动器输出。连接到低侧的门
功率N沟道MOSFET 。
VCC （引脚6 ）
该引脚连接到+ 12V的偏置电源。将高品质
旁路电容此引脚与GND 。
时序图
PWM
tPDH时间
UGATE
保持tPDL
UGATE
TR
UGATE
TF
UGATE
UGATE
LGATE
TF
LGATE
保持tPDL
LGATE
tPDH时间
LGATE
TR
LGATE
4
HIP6601 ， HIP6603
PWM的一个下降沿表示关断上的
MOSFET和导通的下MOSFET的。短
传播延迟[保持tPDL
UGATE
]之前遇到的
上闸开始下降[ TF
UGATE
] 。再次，自适应
直通电路决定下门延迟时间，
tPDH时间
LGATE
。相电压进行监控和下
门不得低于0.5V PHASE下降后上升。该
下门，然后上升[ TR
LGATE
] ，把在下部
MOSFET。
自举电容必须有一个最大的电压
评价上述VCC + 5V 。自举电容可
从下面的方程中选择：
Q
门
-
C
BOOT
≥
-----------------------
V
BOOT
其中Q
门
是必需的栅极电荷量，以充分
充上MOSFET的栅极。该
V
BOOT
期限
德网络定义为在上部驱动的轨道允许的下垂。
作为一个例子，假设一个HUF76139被选择作为
上MOSFET 。栅极电荷，Q
门
从数据
板材是65nC的10V上的栅极驱动。我们假设一个
200mV的压降超过PWM周期的驱动电压。我们第二科幻
至少0.325μF的自举电容是必需的。
下一个较大的标准值电容0.33μF 。
在应用程序需要下变换为+ 12V或
更高和PVCC连接到+ 12V电源，一个引导
电阻串联在启动电容器是必需的。该
这些设计提高功率密度往往导致
增加振铃的BOOT和PHASE节点，因
在整个给定电路大电流的开关速度更快
寄生元件。加引导电阻的允许
对于电路的调整，直到峰值振铃开机
低于29V从开机到GND和17V从开机到VCC 。
5Ω的启动电阻值
通常满足此条件。
在一些应用中，一个良好调节引导电阻降低
响在BOOT引脚，但相对于GND峰值
振铃超过17V 。栅极电阻放在UGATE
控制器和上层MOSGET栅极之间的跟踪是
建议通过减少相位节点上的振铃
放慢上MOSFET导通。栅极电阻
2Ω之间的值10Ω通常会降低的阶段
GND峰值振铃低于17V 。
三态PWM输入
在HIP660X司机的一大特色是增加了一个
关闭窗口的PWM输入。如果PWM信号
进入并保持在关闭窗口内的一组
释抑时间，输出驱动器被禁用，并且这两个
MOSFET栅极被拉低并保持低电平。在关机状态下
当PWM信号以外的移动被去除
关闭窗口。否则，将PWM的上升沿和下降沿
在电气特性概述门槛
确定当被启用的下部和上部栅极。
自适应贯通保护
两位车手结合自适应贯通保护
为防止高端和低端MOSFET的导通
同时，缩短了输入电源。这是
确保落闸已完成关闭1
之前的另一个MOSFET可以升高。
关断过程中的下MOSFET的，所述LGATE电压是
监视，直到它到达一个1.0V的阈值，在该时间的
UGATE释放上升。自适应贯通线路
监测期间UGATE关断相电压。一旦
相位已经下降到低于0.5V的阈值，则LGATE
可以升高。相持续期间被监视
下门的上升时间。如果相位电压超过
在此期间0.5V阈值，并保持较高的更长
比为2μs ，在LGATE变为低电平。上部和下部
门，然后保持低电平，直到PWM的下一个上升沿
信号。
栅极驱动电压多功能性
该HIP6601和HIP6603提供用户总的灵活性
选择栅极驱动电压。该HIP6601更低的栅极
驱动器是固定的连接到VCC [ + 12V ] ，但上轨的驱动器可以
范围从12V下降到5V取决于什么电压是
适用于PVCC 。的HIP6603绑在上下
驱动导轨在一起。简单地施加一电压从5V到
12V上PVCC同时设置驱动轨电压。
上电复位（ POR）功能
在初始启动时， VCC电压上升的监测和
门驱动器保持低电平，直到一个典型的VCC上升阈值
9.9V的到达。一旦VCC上升门槛
超过， PWM输入信号取的栅极的控制
驱动器。如果VCC低于典型的VCC下降阈值
操作期间9.1V ，那么这两个栅极驱动器再次保持
低。这种情况一直存在，直到VCC电压超过
在VCC上升阈值。
功耗
封装功耗的主要功能
开关频率和所选择的总的栅极电荷
的MOSFET。计算驱动程序中的功耗
一个期望的应用是为了确保安全运行的关键。
超过最大允许功耗水平
将推动IC超出建议的最大
125工作结温
o
C.最大
允许IC功耗的SO8封装
大约800mW的。在设计驱动成
应用，建议下面的计算
内部自举设备
该HIP6601和HIP6603驱动器具有一个内部
引导设备。简单地增加一个外部电容
整个BOOT和PHASE引脚完成自举
电路。
5
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