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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1116页 > HIP6602BCB-T
我GN S
EW DES
d。对于
ME N D é OMME N D S:
OM
,
不重TERSIL REC
L6613A
IN
数据
L6613 , IS
12A , IS
2 , ISL66 4 , ISL6614A
ISL661
ISL661
HIP6602B
2005年7月22日
FN9076.5
双通道同步整流
降压MOSFET驱动器
该HIP6602B是高频,两个电源通道
MOSFET驱动器设计用于驱动四个电源
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。此装置是在任一可用
14引脚SOIC封装或16引脚QFN封装,以PAD
热增强封装。这些驱动程序相结合
用HIP63xx或ISL65xx一系列多相降压PWM
控制器和MOSFET构成一个完整的核心电压
先进的微处理器稳压器解决方案。
该HIP6602B驱动通过上下两个门
范围5V至12V的。该驱动电压的灵活性提供了
利用涉及权衡优化的应用程序
开关损耗和传导损耗之间。
在HIP6602B输出驱动器具备的能力
高效开关功率MOSFET在高频下。每
驱动器能够驱动一个3000pF的负载具有30ns的了
传播延迟以及50ns的过渡时间。该装置
实现自举上与单一的上闸
需要为每个电源的外部电容和电阻
通道。这降低了实现的复杂性,并允许
使用更高的性能,成本效益, N沟道
的MOSFET。自适应贯通保护集成
以防止这两个MOSFET同时导通。
特点
四驱动N沟道MOSFET
自适应贯通保护
内部自举设备
支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为30ns
小型14引脚SOIC封装
较小的16引脚QFN耐热增强型封装
5V到12V的栅极驱动电压为最佳效率
三态输入的大桥关闭
电源欠压保护
无铅加退火有(符合RoHS )
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
应用
核心电压供应为英特尔奔腾III和AMD
速龙
TM
微处理器。
订购信息
产品型号
HIP6602BCB
HIP6602BCB-T
HIP6602BCBZ (注1 )
HIP6602BCBZ -T (注1 )
HIP6602BCR
HIP6602BCR-T
HIP6602BCRZ (注1 )
HIP6602BCRZ -T (注1 )
HIP6602BCRZA (注1 )
温度。
范围(° C)
0到85
14 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M14.15
高频率,低姿态的DC / DC转换器
大电流,低电压DC / DC转换器
14 Ld的SOIC卷带
0到85
14 Ld的SOIC
(无铅)
M14.15
14 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
16 Ld的5×5 QFN
L16.5x5
16 Ld的5×5 QFN磁带和卷轴
0到85
16 Ld的5×5 QFN
(无铅)
L16.5x5
16 Ld的5×5 QFN磁带和卷轴(无铅)
0到85
16 Ld的5×5 QFN
(无铅)
L16.5x5
HIP6602BCRZA -T (注1 ) 16 Ld的5×5 QFN磁带和卷轴(无铅)
注意:
1. Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2002年至2005年。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
1
HIP6602B
引脚配置
HIP6602B ( SOIC )
顶视图
PWM1
PWM2
GND
LGATE1
PVCC
保护地
LGATE2
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC
13 PHASE1
12 UGATE1
11 BOOT1
10 BOOT2
9 UGATE2
8 PHASE2
GND 1
LG1 2
PVCC 3
保护地4
5
NC
6
LG2
7
PHASE2
8
NC
HIP6602 ( 16 LD QFN )
顶视图
PHASE1
13
12 UG1
11 BOOT1
10 BOOT2
9
UG2
PWM2
PWM1
15
16
框图
PVCC
BOOT1
UGATE1
VCC
+5V
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
10K
PWM1
PVCC
10K
LGATE1
保护地
+5V
控制
逻辑
PVCC
保护地
BOOT2
UGATE2
10K
PWM2
10K
GND
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
PVCC
HIP6602B
保护地
PAD
LGATE2
对于HIP6602BCR上的底部侧的PAD
包必须被焊接到印刷电路板
2
VCC
14
FN9076.5
2005年7月22日
HIP6602B
典型应用 - 双通道转换器使用HIP6302和HIP6602B栅极驱动器
+5V
+12V
BOOT1
+12V
FB
VSEN
COMP
VCC
V
CC
ISEN1
UGATE1
PHASE1
PGOOD
PWM1
控制
HIP6302
PWM1
司机
HIP6602B
LGATE1
+V
CORE
+5V/12V
BOOT2
+12V
PVCC
VID
PWM2
ISEN2
PWM2
UGATE2
PHASE2
LGATE2
FS / DIS
GND
GND
保护地
3
FN9076.5
2005年7月22日
HIP6602B
典型应用 - 4通道转换器使用HIP6303和HIP6602B栅极驱动器
+12V
BOOT1
+12V
UGATE1
VCC
PHASE1
LGATE1
+5V
司机
HIP6602B
FB
VSEN
COMP
V
CC
UGATE2
ISEN1
PGOOD
EN
PWM1
PWM2
主要ISEN2
控制
HIP6303
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
PVCC
+5V/12V
BOOT2
+12V
GND
保护地
VID
+V
CORE
ISEN3
FS / DIS
PWM3
PWM4
GND
ISEN4
UGATE3
VCC
PHASE3
+12V
BOOT3
+12V
LGATE3
司机
HIP6602B
PVCC
+5V/12V
BOOT4
+12V
UGATE4
PWM3
PWM4
LGATE4
PHASE4
GND
保护地
4
FN9076.5
2005年7月22日
HIP6602B
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压( PVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT
- V
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 .V
- 5V( <400ns脉冲宽度)到V
BOOT
+ 0.3V
V
-0.3V ( >400ns脉冲宽度)到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 5V ( <400ns脉冲宽度)到V
PVCC
+ 0.3V
GND -0.3V ( >400ns脉冲宽度)到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -5V ( <400ns脉冲宽度)为15V
GND -0.3V ( >400ns脉冲宽度)为15V
ESD额定值
人体模型(每MIL -STD- 883方法3015.7 ) 。 。 。 。 .3kV
机器型号(每EIAJ ED- 4701方法C - 111 ) 。 。 。 。 。 。 .200V
工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
68
不适用
QFN封装(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
36
6
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC ,
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
电源电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
PWM输入
输入电流
PWM上升阈值
PWM下降阈值
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
推荐的工作条件,除非另有规定ED 。
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
f
PWM
= 500kHz的,V
PVCC
= 12V
f
PWM
= 500kHz的,V
PVCC
= 12V
-
-
3.7
2.0
5.0
4.0
mA
mA
9.7
7.3
9.95
7.6
10.4
8.0
V
V
I
PWM
V
PWM
= 0或5V (见框图)
V
PVCC
= 12V
V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.4
-
500
3.6
1.45
20
50
20
20
30
20
-
230
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.6
-
A
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
ns
mA
mA
TR
UGATE
TR
LGATE
TF
UGATE
TF
LGATE
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
关闭窗口
关闭释抑时间
产量
上驱动源阻抗
保持tPDL
UGATE
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
保持tPDL
LGATE
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
R
UGATE
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
400
500
-
1.7
3.0
2.3
1.1
580
730
1.6
3.0
5.0
4.0
2.0
-
-
4.0
上驱动吸收阻抗
R
UGATE
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
降低驱动源电流
I
LGATE
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
下驱动水槽阻抗
R
LGATE
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V或12V
5
FN9076.5
2005年7月22日
我GN S
EW DES
d。对于
ME N D é OMME N D S:
OM
,
不重TERSIL REC
L6613A
IN
数据
L6613 , IS
12A , IS
2 , ISL66 4 , ISL6614A
ISL661
ISL661
HIP6602B
2005年7月22日
FN9076.5
双通道同步整流
降压MOSFET驱动器
该HIP6602B是高频,两个电源通道
MOSFET驱动器设计用于驱动四个电源
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。此装置是在任一可用
14引脚SOIC封装或16引脚QFN封装,以PAD
热增强封装。这些驱动程序相结合
用HIP63xx或ISL65xx一系列多相降压PWM
控制器和MOSFET构成一个完整的核心电压
先进的微处理器稳压器解决方案。
该HIP6602B驱动通过上下两个门
范围5V至12V的。该驱动电压的灵活性提供了
利用涉及权衡优化的应用程序
开关损耗和传导损耗之间。
在HIP6602B输出驱动器具备的能力
高效开关功率MOSFET在高频下。每
驱动器能够驱动一个3000pF的负载具有30ns的了
传播延迟以及50ns的过渡时间。该装置
实现自举上与单一的上闸
需要为每个电源的外部电容和电阻
通道。这降低了实现的复杂性,并允许
使用更高的性能,成本效益, N沟道
的MOSFET。自适应贯通保护集成
以防止这两个MOSFET同时导通。
特点
四驱动N沟道MOSFET
自适应贯通保护
内部自举设备
支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为30ns
小型14引脚SOIC封装
较小的16引脚QFN耐热增强型封装
5V到12V的栅极驱动电压为最佳效率
三态输入的大桥关闭
电源欠压保护
无铅加退火有(符合RoHS )
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
应用
核心电压供应为英特尔奔腾III和AMD
速龙
TM
微处理器。
订购信息
产品型号
HIP6602BCB
HIP6602BCB-T
HIP6602BCBZ (注1 )
HIP6602BCBZ -T (注1 )
HIP6602BCR
HIP6602BCR-T
HIP6602BCRZ (注1 )
HIP6602BCRZ -T (注1 )
HIP6602BCRZA (注1 )
温度。
范围(° C)
0到85
14 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M14.15
高频率,低姿态的DC / DC转换器
大电流,低电压DC / DC转换器
14 Ld的SOIC卷带
0到85
14 Ld的SOIC
(无铅)
M14.15
14 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
16 Ld的5×5 QFN
L16.5x5
16 Ld的5×5 QFN磁带和卷轴
0到85
16 Ld的5×5 QFN
(无铅)
L16.5x5
16 Ld的5×5 QFN磁带和卷轴(无铅)
0到85
16 Ld的5×5 QFN
(无铅)
L16.5x5
HIP6602BCRZA -T (注1 ) 16 Ld的5×5 QFN磁带和卷轴(无铅)
注意:
1. Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2002年至2005年。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
1
HIP6602B
引脚配置
HIP6602B ( SOIC )
顶视图
PWM1
PWM2
GND
LGATE1
PVCC
保护地
LGATE2
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC
13 PHASE1
12 UGATE1
11 BOOT1
10 BOOT2
9 UGATE2
8 PHASE2
GND 1
LG1 2
PVCC 3
保护地4
5
NC
6
LG2
7
PHASE2
8
NC
HIP6602 ( 16 LD QFN )
顶视图
PHASE1
13
12 UG1
11 BOOT1
10 BOOT2
9
UG2
PWM2
PWM1
15
16
框图
PVCC
BOOT1
UGATE1
VCC
+5V
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
10K
PWM1
PVCC
10K
LGATE1
保护地
+5V
控制
逻辑
PVCC
保护地
BOOT2
UGATE2
10K
PWM2
10K
GND
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
PVCC
HIP6602B
保护地
PAD
LGATE2
对于HIP6602BCR上的底部侧的PAD
包必须被焊接到印刷电路板
2
VCC
14
FN9076.5
2005年7月22日
HIP6602B
典型应用 - 双通道转换器使用HIP6302和HIP6602B栅极驱动器
+5V
+12V
BOOT1
+12V
FB
VSEN
COMP
VCC
V
CC
ISEN1
UGATE1
PHASE1
PGOOD
PWM1
控制
HIP6302
PWM1
司机
HIP6602B
LGATE1
+V
CORE
+5V/12V
BOOT2
+12V
PVCC
VID
PWM2
ISEN2
PWM2
UGATE2
PHASE2
LGATE2
FS / DIS
GND
GND
保护地
3
FN9076.5
2005年7月22日
HIP6602B
典型应用 - 4通道转换器使用HIP6303和HIP6602B栅极驱动器
+12V
BOOT1
+12V
UGATE1
VCC
PHASE1
LGATE1
+5V
司机
HIP6602B
FB
VSEN
COMP
V
CC
UGATE2
ISEN1
PGOOD
EN
PWM1
PWM2
主要ISEN2
控制
HIP6303
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
PVCC
+5V/12V
BOOT2
+12V
GND
保护地
VID
+V
CORE
ISEN3
FS / DIS
PWM3
PWM4
GND
ISEN4
UGATE3
VCC
PHASE3
+12V
BOOT3
+12V
LGATE3
司机
HIP6602B
PVCC
+5V/12V
BOOT4
+12V
UGATE4
PWM3
PWM4
LGATE4
PHASE4
GND
保护地
4
FN9076.5
2005年7月22日
HIP6602B
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压( PVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT
- V
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 .V
- 5V( <400ns脉冲宽度)到V
BOOT
+ 0.3V
V
-0.3V ( >400ns脉冲宽度)到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 5V ( <400ns脉冲宽度)到V
PVCC
+ 0.3V
GND -0.3V ( >400ns脉冲宽度)到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -5V ( <400ns脉冲宽度)为15V
GND -0.3V ( >400ns脉冲宽度)为15V
ESD额定值
人体模型(每MIL -STD- 883方法3015.7 ) 。 。 。 。 .3kV
机器型号(每EIAJ ED- 4701方法C - 111 ) 。 。 。 。 。 。 .200V
工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
68
不适用
QFN封装(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
36
6
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC ,
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
电源电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
PWM输入
输入电流
PWM上升阈值
PWM下降阈值
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
推荐的工作条件,除非另有规定ED 。
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
f
PWM
= 500kHz的,V
PVCC
= 12V
f
PWM
= 500kHz的,V
PVCC
= 12V
-
-
3.7
2.0
5.0
4.0
mA
mA
9.7
7.3
9.95
7.6
10.4
8.0
V
V
I
PWM
V
PWM
= 0或5V (见框图)
V
PVCC
= 12V
V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.4
-
500
3.6
1.45
20
50
20
20
30
20
-
230
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.6
-
A
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
ns
mA
mA
TR
UGATE
TR
LGATE
TF
UGATE
TF
LGATE
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
关闭窗口
关闭释抑时间
产量
上驱动源阻抗
保持tPDL
UGATE
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
保持tPDL
LGATE
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
R
UGATE
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
400
500
-
1.7
3.0
2.3
1.1
580
730
1.6
3.0
5.0
4.0
2.0
-
-
4.0
上驱动吸收阻抗
R
UGATE
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
降低驱动源电流
I
LGATE
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
下驱动水槽阻抗
R
LGATE
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V或12V
5
FN9076.5
2005年7月22日
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