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NS
ESI摹
WD
R N E D ú TS
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NDE土特PR 6614B )
M (E S) TI
我SL
COM
B
,一个第二
牛逼RE IBLE SU 614A
数据表
NO
6
S
POS机614 , ISL
( I S L6
HIP6602A
2003年7月
FN4902.2
双通道同步整流
降压MOSFET驱动器
该HIP6602A是高频,两个电源通道
MOSFET驱动器设计用于驱动四个电源
N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。此装置是在任一14可用
引脚SOIC封装或16引脚QFN封装,以PAD
热增强封装。这些驱动程序相结合
用HIP63xx或ISL65xx一系列多相降压PWM
控制器和MOSFET构成一个完整的核心电压
先进的微处理器稳压器解决方案。
该HIP6602A驱动两个在一个上下门
范围5V至12V的。该驱动电压的灵活性提供了
利用涉及权衡优化的应用程序
开关损耗和传导损耗之间。
在HIP6602A输出驱动器具备的能力
高效开关功率MOSFET在高频下。每
驱动器能够驱动一个3000pF的负载具有30ns的了
传播延迟以及50ns的过渡时间。该装置
实现自举与只具有一个上层栅极
需要对每个信道的功率单个外部电容器。
这降低了实现的复杂性,并允许使用
更高的性能,成本效益, N沟道MOSFET 。
自适应贯通保护集成,以防止
这两个MOSFET同时导通。
特点
四驱动N沟道MOSFET
自适应贯通保护
内部自举设备
支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为30ns
小型14引脚SOIC封装
较小的16引脚QFN耐热增强型封装
5V到12V的栅极驱动电压为最佳效率
三态输入的大桥关闭
电源欠压保护
应用
核心电压供应为英特尔奔腾III和AMD
速龙
TM
微处理器。
高频超薄型DC / DC转换器
大电流低电压DC / DC转换器
引脚
PWM1
HIP6602ACB ( SOIC )
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC
13 PHASE1
12 UGATE1
11 BOOT1
10 BOOT2
9 UGATE2
8 PHASE2
订购信息
TEMP 。 RANGE
产品型号
(°C)
HIP6602ACB
HIP6602ACB-T
HIP6602ACR
HIP6602ACR-T
0到85
14 Ld的SOIC
PKG 。 DWG #
M14.15
PWM2
GND
LGATE1
PVCC
保护地
14 Ld的SOIC卷带
0到85
16 Ld的5×5 QFN
L16.5x5
LGATE2
16 Ld的5×5 QFN磁带和卷轴
HIP6602ACR ( 16引脚QFN )
顶视图
PHASE1
PWM2
PWM1
15
VCC
14
16
GND
LG1
PVCC
保护地
1
2
3
4
5
NC
13
12 UG1
11 BOOT1
10 BOOT2
9
UG2
6
LG2
7
PHASE2
8
NC
c注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003版权所有。提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
AMD是Advanced Micro Devices公司的注册商标,公司的Athlon 是Advanced Micro Devices公司的商标, Inc.Pentium是Intel Corporation的注册商标。
1
HIP6602A
框图
PVCC
BOOT1
UGATE1
VCC
+5V
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
10K
PWM1
PVCC
10K
LGATE1
保护地
+5V
控制
逻辑
PVCC
保护地
BOOT2
UGATE2
10K
PWM2
10K
GND
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
PVCC
HIP6602A
保护地
PAD
LGATE2
对于HIP6602ACR上的底部侧的PAD
包必须被焊接到印刷电路板
典型应用 - 双通道转换器使用HIP6302和HIP6602A栅极驱动器
+5V
+12V
BOOT1
+12V
FB
VSEN
UGATE1
VCC
V
CC
ISEN1
PGOOD
PWM1
控制
HIP6302
PWM1
司机
HIP6602A
LGATE1
+V
CORE
+5V/12V
PHASE1
COMP
PVCC
VID
BOOT2
+12V
PWM2
ISEN2
PWM2
UGATE2
PHASE2
LGATE2
FS / DIS
GND
GND
保护地
2
HIP6602A
典型应用 - 4通道转换器使用HIP6303和HIP6602A栅极驱动器
+12V
BOOT1
+12V
UGATE1
VCC
PHASE1
LGATE1
+5V
司机
HIP6602A
FB
VSEN
COMP
V
CC
PVCC
+5V/12V
BOOT2
+12V
UGATE2
ISEN1
PGOOD
EN
PWM1
PWM2
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
VID
控制
HIP6303
ISEN2
GND
保护地
+V
CORE
ISEN3
FS / DIS
PWM3
PWM4
GND
ISEN4
UGATE3
VCC
PHASE3
+12V
BOOT3
+12V
LGATE3
司机
HIP6602A
PVCC
+5V/12V
BOOT4
+12V
UGATE4
PWM3
PWM4
LGATE4
PHASE4
GND
保护地
3
HIP6602A
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压( PVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT
- V
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15V
输入电压( VPWM ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至V
PVCC
+ 0.3V
ESD额定值
人体模型(每MIL -STD- 883方法3015.7 ) 。 。 。 。 .3kV
机器型号(每EIAJ ED- 4701方法C - 111 ) 。 。 。 。 。 。 .200V
热信息
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
68
NA
QFN封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
36
6
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
热阻
工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC ,
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
电源电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
PWM输入
输入电流
PWM上升阈值
PWM下降阈值
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
推荐工作条件,除非另有说明
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
f
PWM
= 500kHz的,V
PVCC
= 12V
f
PWM
= 500kHz的,V
PVCC
= 12V
-
-
3.7
2.0
5.0
4.0
mA
mA
9.7
9.0
9.95
9.2
10.4
9.5
V
V
A
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
ns
mA
mA
I
PWM
V
PWM
= 0或5V (见框图)
V
PVCC
= 12V
V
PVCC
= 12V
-
3.45
-
-
-
-
-
-
-
1.4
-
500
3.6
1.45
20
50
20
20
30
20
-
230
-
-
1.55
-
-
-
-
-
-
3.6
-
TR
UGATE
TR
LGATE
TF
UGATE
TF
LGATE
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
关闭窗口
关闭释抑时间
产量
上驱动源阻抗
保持tPDL
UGATE
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
保持tPDL
LGATE
V
PVCC
= V
VCC
= 12V, 3nF的负载
R
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V
V
VCC
= V
PVCC
= 12V
V
VCC
= 12V, V
PVCC
= 5V或12V
-
-
-
-
400
500
-
1.7
3.0
2.3
1.1
580
730
1.6
3.0
5.0
4.0
2.0
-
-
4.0
上驱动吸收阻抗
降低驱动源电流
下驱动水槽阻抗
4
HIP6602A
功能引脚说明
PWM1 (引脚1 )和PWM2 (引脚2 )
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家,看到了
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细信息。该引脚连接到控制器的PWM输出。
PHASE引脚。自举电容提供充电,以
打开上部的MOSFET。看到内部自举
下描述了制导装置部分
选择合适的电容值。
VCC (引脚14 )
该引脚连接到+ 12V的偏置电源。将高品质
旁路电容此引脚与GND 。为防止远期
偏置内部二极管,该引脚应更积极
然后在转换器的启动PVCC 。
GND (引脚3 )
偏置和参考地。所有的信号都参考这个
节点。
LGATE1 (引脚4 )和LGATE2 (引脚7 )
更低的栅极驱动器输出。连接到低侧的门
功率N沟道MOSFET 。
描述
手术
专为通用性和速度, HIP6602A双通道,
双MOSFET驱动器同时控制高侧和低侧
N沟道场效应晶体管由两个外部提供的PWM信号。
上部和下部栅极被保持为低,直到驱动程序是
初始化。一旦VCC电压超过了VCC上升
阈值(见电气连接特定阳离子) , PWM信号
采用栅过渡控制。在PWM上升沿
启动关断下部MOSFET的(见时序
图)。经过短暂的传播延迟[保持tPDL
LGATE
],则
更低的栅极开始下降。典型下降时间[ TF
LGATE
]是
在特定的电气连接阳离子部分提供。自适应
直通电路监测LGATE电压和
确定上部栅极延迟时间[ TPDH
UGATE
]根据
如何快速的LGATE电压低于2.2V 。这
防止两者的下部和上部从MOSFET的
进行同时或穿通。一旦这种延迟
周期完成上栅极驱动开始上升
[ TR
UGATE
]和上MOSFET导通。
PVCC (引脚5 )
该引脚提供上部和下部栅极驱动器偏压。
连接该引脚为+ 12V下降到+ 5V 。
PGND (引脚6 )
此引脚为电源地回报较低的门
驱动程序。
PHASE2 (引脚8 )和PHASE1 (引脚13 )
这些引脚连接到上层MOSFET的源
和下侧的MOSFET的漏极。相电压为
自适应贯通保护监控。这些引脚
还提供了用于上部栅极驱动器的返回路径。
UGATE2 (引脚9 )和UGATE1 (引脚12 )
上栅极驱动输出。连接到高侧的门
功率N沟道MOSFET 。
BOOT 2 (引脚10)和BOOT 1 (引脚11 )
浮动自举电源引脚上栅极驱动器。
连接这些引脚之间的自举电容
时序图
PWM
tPDH时间
UGATE
保持tPDL
UGATE
TR
UGATE
TF
UGATE
UGATE
LGATE
TF
LGATE
保持tPDL
LGATE
tPDH时间
LGATE
TR
LGATE
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HIP6602ACB-T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881724897 复制

电话:0755-82525087
联系人:肖
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
HIP6602ACB-T
INTERSIL
21+
2383
SOP-14
原装现货,特价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制

电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
HIP6602ACB-T
INTERSIL
22+
5000
SOP14
13528893675¥/片,大量原装库存长期供应欢迎实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ:1950791264 复制

电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
HIP6602ACB-T
INTERSIL
24+
4000
SOP8L
授权分销 现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
HIP6602ACB-T
INTERSIL
24+
18650
SOP14
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
HIP6602ACB-T
INTERSIL
25+23+
13050
SOP8L
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
HIP6602ACB-T
INTERSIL
12+
10000
SOP14
原装无铅,优势热卖
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
HIP6602ACB-T
INTERSIL
21+22+
62710
SOP14
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
HIP6602ACB-T
INTERSIL
02+
19883
SOP14
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
HIP6602ACB-T
INTERSIL
24+
22000
SOP-14
原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ:2355507165 复制

电话:755-83616256 // 83210909
联系人:王小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
HIP6602ACB-T
INTERSIL
22+
2600
SOP14
深圳房间现货
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