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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第302页 > HIP6601ECB-T
UCT
UCT
PROD NT PROD
勒特
ME
OBSO E放置03B
66
,D R
数据表
ENDE 6601B , HIP
MM HIP
RECO
HIP6601A , HIP6603A , HIP6604
2004年8月
FN4884.5
同步整流降压MOSFET
DRIVERS
该HIP6601A , HIP6603A和HIP6604是高频,
双MOSFET驱动器,专门设计用于驱动两个
功率N沟道MOSFET的同步整流降压
转换器拓扑结构。这些驱动程序结合HIP63xx
或ISL65xx多相降压PWM控制器形式
先进的完整的核心电压稳压器解决方案
微处理器。
该HIP6601A驱动下部栅极以同步
整流器到12V ,而上部栅极可以独立地
赶了过来范围为5V至12V 。该HIP6603A驱动器
上下两个栅极在一定范围5V至12V 。这
驱动电压的灵活性提供了优化的优点
涉及的开关损耗之间权衡的应用
与导通损耗。的HIP6604可以配置为
无论是HIP6601A或HIP6603A 。
在HIP6601A , HIP6603A和HIP6604输出驱动器
要有效地开关功率MOSFET的能力
频率高达2MHz 。每个驱动器能够驱动一对
3000pF的负载具有30ns的传播延迟为50ns
过渡时间。这些产品实现了自举上
只有一个外部电容器上闸门必需的。这
降低了实现的复杂性,并允许使用的
更高的性能,高性价比, N沟道MOSFET 。
自适应贯通保护集成,以防止
这两个MOSFET同时导通。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
内部自举设备
支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为30ns
小型8引脚SOIC和EPSOIC和16引脚QFN
套餐
双栅极驱动电压为最佳效率
三态输入的输出级关闭
电源欠压保护
应用
核心电压供应为英特尔奔腾III , AMD
速龙微处理器
高频超薄型DC-DC转换器
大电流低电压DC -DC转换器
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
引脚配置
HIP6601ACB , HIP6603ACB ( SOIC )
HIP6601ECB , HIP6603ECB ( EPSOIC )
顶视图
UGATE
1
2
3
4
8
7
6
5
PVCC
VCC
LGATE
订购信息
产品型号
HIP6601ACB
HIP6603ACB
HIP6601ACB-T
HIP6603ACB-T
HIP6601ECB
HIP6603ECB
HIP6601ECB-T
HIP6603ECB-T
HIP6604CR
HIP6604CR-T
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
0到85
0到85
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
M8.15
BOOT
PWM
GND
8 Ld的SOIC卷带
8 Ld的SOIC卷带
0到85
0到85
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC
M8.15B
M8.15B
HIP6604 ( QFN )
顶视图
UGATE
14
NC
NC
13
12 NC
11 PVCC
10 LVCC
9
5
保护地
6
NC
7
LGATE
8
NC
VCC
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
8 Ld的EPSOIC磁带和卷轴
0到85
16 Ld的4×4 QFN L16.4x4
NC
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
16
15
16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
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版权所有 Intersil公司美洲2003年, 2004年版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP6601A , HIP6603A , HIP6604
ti
方框图
HIP6601A和HIP6603A
PVCC
VCC
+5V
10K
PWM
10K
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
LGATE
GND
PAD
FOR HIP6601ECB和HIP6603ECB设备,在底部垫
一侧的包装必须焊接到PC板。
BOOT
UGATE
VCC时HIP6601A
PVCC FOR HIP6603A
HIP6604 QFN封装
PVCC
VCC
+5V
10K
PWM
控制
逻辑
10K
GND
PAD
拍摄开启
通过
保护
BOOT
UGATE
CONNECT LVCC至VCC HIP6601A配置
CONNECT TO LVCC PVCC FOR HIP6603A配置。
LVCC
LGATE
保护地
PAD在包装的底部必须焊接到PC板
2
HIP6601A , HIP6603A , HIP6604
典型应用 - 3通道转换器使用HIP6301和HIP6601A栅极驱动器
+12V
+5V
BOOT
VCC
PVCC
UGATE
PWM
DRIVE
HIP6601A
LGATE
+12V
+5V
+5V
BOOT
+V
CORE
VFB
VCC
VSEN
PGOOD
COMP
VCC
PWM1
PWM2
PWM3
PWM
PVCC
UGATE
DRIVE
HIP6601A
LGATE
VID
控制
HIP6301
ISEN1
ISEN2
FS
GND
ISEN3
+5V
BOOT
PVCC
VCC
PWM
DRIVE
HIP6601A
UGATE
+12V
LGATE
3
HIP6601A , HIP6603A , HIP6604
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压( PVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT
- V
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 .V
- 5V( <400ns脉冲宽度)到V
BOOT
+ 0.3V
. . . . . . . . . . . V
- 3.0V ( >400ns脉冲宽度)到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 5V ( <400ns脉冲宽度)到V
PVCC
+ 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 3.0V ( >400ns脉冲宽度)到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 5V ( <400ns脉冲宽度)为15V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V ( >400ns脉冲宽度)为15V
ESD额定值
人体模型(每MIL -STD- 883方法3015.7 ) 。 。 。 。 .3kV
机器型号(每EIAJ ED- 4701方法C - 111 ) 。 。 。 。 。 。 .200V
热信息
热阻
SOIC封装(注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
97
θ
JC
(
o
C / W )
不适用
EPSOIC套餐(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
38
不适用
QFN封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
10
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至85
o
C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125
o
C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围, PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC ,
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
上栅偏置电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
PWM输入
输入电流
PWM上升阈值
PWM下降阈值
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
推荐工作条件,除非另有说明
符号
I
VCC
I
PVCC
测试条件
HIP6601A ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
HIP6603A ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
HIP6601A ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
HIP6603A ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
9.7
9.0
I
PWM
V
PWM
= 0或5V (见框图)
-
3.45
-
t
的Rugate
t
RLGATE
t
富盖特
t
FLGATE
t
pdlUGATE
t
pdlLGATE
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
-
-
-
-
-
-
1.4
-
R
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
V
PVCC
= 5V
V
PVCC
= 12V
V
PVCC
= 5V
V
PVCC
= 12V
V
PVCC
= 5V , HIP6603A
V
PVCC
= 12V, HIP6603A
V
PVCC
= 5V或12V, HIP6601A
-
-
-
-
400
500
500
-
典型值
4.4
2.5
200
1.8
9.95
9.2
500
3.6
1.45
20
50
20
20
30
20
-
230
1.7
3.0
2.3
1.1
580
730
730
1.6
最大
6.2
3.6
430
3.3
10.4
9.5
-
-
1.55
-
-
-
-
-
-
3.6
-
3.0
5.0
4.0
2.0
-
-
-
4.0
单位
mA
mA
A
mA
V
V
A
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
ns
mA
mA
mA
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
关闭窗口
关闭释抑时间
产量
上驱动源阻抗
上驱动吸收阻抗
降低驱动源电流
下驱动水槽阻抗
R
LGATE
V
PVCC
= 5V或12V
4
HIP6601A , HIP6603A , HIP6604
功能引脚说明
UGATE (引脚1 ) , (引脚QFN 16 )
上栅极驱动输出。连接到高端电源的栅极
N沟道MOSFET 。
PVCC (引脚7 ) , ( 11脚QFN )
对于HIP6601A和HIP6604 ,该引脚提供的
上栅极驱动偏置。连接该引脚为+ 12V下降到
+5V.
对于HIP6603A ,该引脚提供上部和
更低的栅极驱动器的偏置。该引脚连接至任一+ 12V或+ 5V 。
BOOT (引脚2 ) , (引脚QFN 2 )
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。
连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容提供充电,以
打开上部MOSFET 。串联启动电阻
电容器需要在某些应用中,以减少振铃
在BOOT引脚。看到内部引导设备部分
下选择具体的指导
适当的电容和电阻值。
PHASE (引脚8 ) , ( 14引脚QFN )
该引脚连接到上层MOSFET和源
漏较低的MOSFET 。相电压为
自适应贯通保护监控。该引脚
还提供了用于上部栅极驱动器的返回路径。
描述
手术
专为通用性和速度, HIP6601A , HIP6603A
和HIP6604双MOSFET驱动器同时控制高侧和
从一个外部提供的PWM低侧N沟道场效应晶体管
信号。
上部和下部栅极被保持为低,直到驱动程序是
初始化。一旦VCC电压超过了VCC上升
阈值(见电气连接特定阳离子) , PWM信号
采用栅过渡控制。在PWM上升沿
启动关断下部MOSFET的(见时序
图)。经过短暂的传播延迟[T
pdlLGATE
],则
更低的栅极开始下降。典型下降时间[T
FLGATE
]是
在特定的电气连接阳离子部分提供。自适应
直通电路监测LGATE电压和
决定上门延迟时间[T
PDHUGATE
]根据
如何快速的LGATE电压低于2.2V 。这
防止两者的下部和上部从MOSFET的
进行同时或穿通。一旦这种延迟
周期完成上栅极驱动开始上升
[t
的Rugate
]和上MOSFET导通。
PWM (引脚3 ) , (引脚QFN 3 )
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家,看到了
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细信息。该引脚连接到控制器的PWM输出。
GND (引脚4 ) , ( 4针QFN )
偏置和参考地。所有的信号都参考这个
节点。
PGND (引脚5 QFN封装)
此引脚为电源地回报较低的栅极驱动器。
LGATE (引脚5 ) , ( 7脚QFN )
更低的栅极驱动器输出。连接到低侧的门
功率N沟道MOSFET 。
VCC (引脚6 ) , ( 9脚QFN )
该引脚连接到+ 12V的偏置电源。将高品质
旁路电容此引脚与GND 。
LVCC ( 10引脚QFN封装)
下部栅极驱动器的电源电压。
时序图
PWM
t
PDHUGATE
t
pdlUGATE
t
的Rugate
t
富盖特
UGATE
LGATE
t
FLGATE
t
pdlLGATE
t
PDHLGATE
t
RLGATE
5
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