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S IG北南
新DE
E D F或
MMEND赞扬:
CO
不重TERSIL RE
L6 13A ,
数据
6
IN
6613 , IS
L
612A , IS
12 , ISL6 14 , ISL6614A
ISL66
ISL66
HIP6601B , HIP6603B , HIP6604B
2012年5月1日
FN9072.8
同步整流降压
MOSFET驱动器
该HIP6601B , HIP6603B和HIP6604B是高频,
双MOSFET驱动器设计用于驱动两个电源
N沟道MOSFET的同步整流降压转换器
拓扑结构。这些驱动程序结合HIP63xx或ISL65xx
一系列的多相降压PWM控制器和MOSFET形式
先进的完整的核心电压稳压器解决方案
微处理器。
该HIP6601B驱动下部栅极在一个同步整流器来
12V,而上部栅极可以独立驱动的范围内
从5V至12V 。该HIP6603B驱动上下两个门
在一定范围5V至12V 。此驱动器电压的灵活性提供
涉及权衡优化应用程序的优势
开关损耗和传导损耗之间。该HIP6604B
可以被配置为一个HIP6601B或HIP6603B 。
在HIP6601B , HIP6603B和HIP6604B输出驱动器
要有效地开关功率MOSFET的能力
频率高达2MHz 。每个驱动器能够驱动一对
3000pF的负载具有30ns的传播延迟和50ns的过渡
时间。这些产品在实现上引导门
只有一个外部电容器必需的。这将减少
实现的复杂性,并且允许使用更高的
高性能,高性价比, N沟道MOSFET 。自适应
击穿保护集成,以防止两个MOSFET
同时导通。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
内部自举设备
支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 传播延迟为30ns
小8 LD SOIC和EPSOIC和16 LD QFN封装
双栅极驱动电压为最佳效率
三态输入的输出级关闭
电源欠压保护
QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-方形扁平无
信息,产品外形。
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和档案稀释剂。
无铅(符合RoHS )
应用
核心电压供应为英特尔奔腾III , AMD速龙
微处理器
高频超薄型DC / DC转换器
大电流低电压DC / DC转换器
相关文献
技术简介
TB363,
指引及处理
处理湿度敏感表面贴装器件( SMD器件)
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002-2005年, 2012年版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP6601B , HIP6603B , HIP6604B
订购信息
产品型号
(注1,2 )
HIP6601BCBZ*
HIP6601BCBZA*
HIP6601BECBZ*
部分
记号
6601 BCBZ
6601 BCBZ
6601 BECBZ
温度。
范围
(°C)
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
(无铅)
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
M8.15
BOOT
PWM
GND
2
3
4
7
6
5
PVCC
VCC
LGATE
引脚配置
HIP6601BCB , HIP6603BCB ,
HIP6601BECB , HIP6603BECB ,
( 8 LD SOIC , EPSOIC )
顶视图
UGATE
1
8
8 Ld的EPSOIC M8.15B
8 Ld的EPSOIC M8.15B
8 Ld的SOIC
M8.15
HIP6601BECBZA*
6601 BECBZ
HIP6603BCBZ*
HIP6603BECBZ*
HIP6604BCRZ*
6603 BCBZ
6603 BECBZ
66 04BCRZ
8 Ld的EPSOIC M8.15B
16 Ld的QFN
L16.4x4
UGATE
NC
1.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅
材料组,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾
锡板加退火( E3终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作)相兼容。 Intersil的有铅
免费产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
2.潮湿敏感度等级(MSL ) ,请参阅设备信息
页面
HIP6601B , HIP6603B , HIP6604B 。
欲了解更多信息
在MSL ,请参见技术简介
TB363.
16
NC 1
BOOT 2
PWM 3
GND 4
5
保护地
15
14
13
12 NC
11
PVCC
NC
10 LVCC
9
VCC
8
NC
注意事项:
6
NC
方框图
HIP6601B和HIP6603B
PVCC
VCC
+5V
10k
PWM
10k
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
BOOT
UGATE
VCC时HIP6601B
PVCC FOR HIP6603B
LGATE
GND
PAD
FOR HIP6601BECB和HIP6603BECB设备,在底部垫
一侧的包装必须焊接到PC板。
HIP6604B QFN封装
PVCC
VCC
+5V
10k
PWM
控制
逻辑
10k
GND
PAD
保护地
PAD在包装的底部必须焊接到PC板
拍摄开启
通过
保护
CONNECT LVCC至VCC HIP6601B配置
CONNECT TO LVCC PVCC FOR HIP6603B配置。
BOOT
UGATE
LVCC
LGATE
2
LGATE
7
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅
TB347
有关详细信息,
卷筒规格。
HIP6604B
( 16 LD QFN )
顶视图
FN9072.8
2012年5月1日
HIP6601B , HIP6603B , HIP6604B
典型应用: 3通道转换器使用HIP6301和HIP6601B栅极驱动器
+12V
+5V
BOOT
VCC
PVCC
DRIVE
HIP6601B
UGATE
PWM
LGATE
+12V
+5V
+5V
BOOT
+V
CORE
VFB
VCC
VSEN
PGOOD
COMP
VCC
PWM1
PWM2
PWM3
PWM
PVCC
DRIVE
HIP6601B
UGATE
LGATE
VID
控制
HIP6301
ISEN1
ISEN2
FS
GND
ISEN3
+5V
BOOT
PVCC
VCC
PWM
DRIVE
HIP6601B
UGATE
+12V
LGATE
3
FN9072.8
2012年5月1日
HIP6601B , HIP6603B , HIP6604B
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压( PVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT
- V
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 5V( <400ns脉冲宽度)到V
BOOT
+ 0.3V
. . . . . . . . . . . . . . . V
-0.3V ( >400ns脉冲宽度)到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 5V ( <400ns脉冲宽度)到V
PVCC
+ 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V ( >400ns脉冲宽度)到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -5V ( <400ns脉冲宽度)为15V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND -0.3V ( >400ns脉冲宽度)为15V
ESD额定值
人体模型(每MIL -STD- 883方法3015.7 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 .3kV
机器型号(每EIAJ ED- 4701方法C - 111 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .200V
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
97
不适用
EPSOIC套餐(注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
38
不适用
QFN封装(注4,5) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
10
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
对于推荐的焊接条件参见技术简介
TB389.
工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围, PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为4.5V至12V
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
3.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
4.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
5.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
推荐工作条件,除非另有说明。黑体字限额适用于工作温度
范围0 ° C至+ 85°C
符号
测试条件
(注6 )
典型值
最大
(注6 )
单位
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
I
VCC
HIP6601B ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
HIP6603B ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
4.4
2.5
200
1.8
6.2
3.6
430
3.3
mA
mA
μA
mA
上栅偏置电流
I
PVCC
HIP6601B ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
HIP6603B ,女
PWM
= 1MHz时, V
PVCC
= 12V
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
PWM输入
输入电流
PWM上升阈值
PWM下降阈值
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
关闭窗口
关闭释抑时间
t
的Rugate
t
RLGATE
t
富盖特
t
FLGATE
t
pdlUGATE
t
pdlLGATE
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载
I
PWM
V
PWM
= 0V或5V (见“框图”
第2页)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.4
-
500
3.6
1.45
20
50
20
20
30
20
-
230
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.6
-
μA
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
ns
9.7
7.3
9.95
7.6
10.4
8.0
V
V
4
FN9072.8
2012年5月1日
HIP6601B , HIP6603B , HIP6604B
电气规格
推荐工作条件,除非另有说明。黑体字限额适用于工作温度
范围0 ° C至+ 85°C
符号
测试条件
(注6 )
典型值
最大
(注6 )
单位
参数
产量
上驱动源阻抗
R
UGATE
V
PVCC
= 5V
V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
400
500
-
-
1.7
3.0
2.3
1.1
580
730
9
1.6
3.0
5.0
4.0
2.0
-
-
-
4.0
Ω
Ω
Ω
Ω
mA
mA
Ω
Ω
上驱动吸收阻抗
R
UGATE
V
PVCC
= 5V
V
PVCC
= 12V
降低驱动源电流
I
LGATE
V
PVCC
= 5V
V
PVCC
= 12V
等效驱动源阻抗
下驱动水槽阻抗
注意:
R
LGATE
R
LGATE
V
PVCC
= 5V
V
PVCC
= 5V或12V
6.参数与MIN和/或最大极限100%经过测试,在+ 25 ° C,除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
5
FN9072.8
2012年5月1日
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