HIP6503
数据表
2005年7月21日
FN4882.5
多元线性电源控制器
ACPI控制接口
该HIP6503补充要么是HIP6020或
HIP6021在ACPI兼容设计的微处理器和
计算机应用。该IC集成了四个线性
控制器/稳压器，开关，监控和控制
功能集成到一个20引脚SOIC封装。一个线性控制器
产生3.3V
双
/3.3V
SB
从ATX电压层
电源的5VSB输出，供电南桥和
通过睡眠时外部旁路晶体管PCI插槽
状态（ S3 ， S4 / S5 ） 。第二晶体管用于切换在
S0和S1 / S2在ATX 3.3V输出操作
（有源）的运行状态。线性控制器/稳压器
耗材的选择2.5V或3.3V内存供电
通过外部旁路晶体管（开关3.3V设置）
活动状态。在睡眠状态，综合通
晶体管的供电电源的睡眠。另一个控制器
上电时的5V
双
由ATX 5V交换平面
输出活动状态，而ATX 5VSB的睡眠状态。
两个内部稳压器输出两个专用的，无噪声
2.5V时钟芯片的供应，以及一个1.8V ICH2简历以及
电压。该HIP6503的操作模式（主动输出或
睡眠输出）可选择通过两个数字控制引脚，
S3和S5 。在5V启用休眠状态的支持
双
输出通过EN5VDL引脚提供。在活跃状态中，该
3.3V
双
/3.3V
SB
和2.5V
纪念品
/3.3V
纪念品
线性稳压器
使用外部N沟道MOSFET的通连接
直接输出到由ATX电源提供3.3V的输入
供应，为尽可能减少损失。在睡眠状态下，功率输出上
两个输出被传递到NPN型晶体管。 Active状态
监管上的2.5V
纪念品
输出是通过执行
外部NPN晶体管。在5V
双
输出动力
通过两个外部MOS晶体管。在睡眠状态中，
PMOS （或PNP ）晶体管导通的ATX当前
5VSB输出;而在活性状态下，电流被传送
到NMOS晶体管连接到ATX 5V输出。该
在5V操作
双
输出不仅由该口授
的S3和S5引脚的状态，但该EN5VDL销作为
很好。在3.3V
双
/3.3V
SB
和1.8V
SB
输出有效
只要将ATX 5VSB电压被施加到芯片上。
在2.5V
CLK
S0和S1 / S2中，并在输出才有效
采用3V3引脚作为输入源，其内部通
元素。
特点
提供5 ACPI控制的电压
- 5V
双
USB /键盘/鼠标
- 3.3V
双
/3.3V
SB
PCI /辅助/ LAN
- 2.5V
纪念品
RDRAM或3.3V
纪念品
SDRAM
- 2.5V
CLK
时钟/处理器端接
- 1.8V
SB
ICH2恢复好
出色的输出电压调节
- 所有输出：
±2.0%
温度过高（如适用）
体积小;非常低外部元件数量
RDRAM / SDRAM / DDRAM内存支持
欠压的所有输出监控与集中
故障报告和温关断
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
符合ACPI的电源调节的主板
订购信息
产品型号
HIP6503CB
HIP6503CBZ （注）
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
包
20 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 ＃
M20.3
20 Ld的SOIC （无铅） M20.3
M20.3
HIP6503CBZ -T （注） 20 Ld的SOIC卷带
（无铅）
HIP6503EVAL1
评估板
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾
锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
引脚
HIP6503
（ SOIC ）
顶视图
5VSB
1
20 VSEN2
19 DRV2
18 5V
17 12V
16 SS
15 5VDL
14 5VDLSB
13 DLA
12 FAULT / MSEL
11 GND
1V8IN 2
1V8SB 3
3V3DLSB 4
3V3DL 5
VCLK 6
3V3 7
EN5VDL
S3
8
9
S5 10
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2001年， 2005年版权所有
HIP6503
绝对最大额定值
电源电压，V
5VSB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0V
12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 14.5V
DLA ， DRV2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至V
12V
+0.3V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至+ 5VSB 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
推荐工作条件
电源电压，V
5VSB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V
±5%
最低5VSB供电电压是保障参数。 。 。 。 + 4.5V
数字输入，V
SX
, V
EN5VDL
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0至+ 5.5V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
60
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
额定电源电流
关断电源电流
推荐工作条件，除非另有说明，请参考图1，图2和图3
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
5VSB
I
5VSB(OFF)
V
SS
= 0.8V
-
-
30
14
-
-
mA
mA
上电复位，软启动和电压监视器，
瑞星5VSB POR阈值
5VSB POR迟滞
瑞星12V阈值
12V滞后
瑞星3V3和5V的阈值
3V3和5V滞后
下降阈值超时（所有监视器）
软启动电流
关断电压阈值
1.8V
SB
线性稳压器（ V
OUT1
)
规
1V8SB标称电压电平
1V8SB欠压阈值上升
1V8SB欠压滞后
1V8SB输出电流
2.5/3.3V
纪念品
线性稳压器（ V
OUT2
)
稳定度（注2 ）
VSEN2标称电压电平
VSEN2标称电压电平
VSEN2欠压阈值上升
VSEN2欠压滞后（注3）
VSEN2输出电流
I
VSEN2
5VSB = 5V
V
VSEN2
V
VSEN2
R
SEL
= 1k
R
SEL
= 10k
-
-
-
-
-
250
-
2.5
3.3
83
3
300
2.0
-
-
-
-
-
%
V
V
%
%
mA
I
1V8SB
1V8IN = 3.3V
V
1V8SB
-
-
-
-
250
-
1.8
1.494
54
300
2.0
-
-
-
-
%
V
V
mV
mA
I
SS
V
SD
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
-
1.0
90
5
10
10
-
4.5
-
10.8
-
-
-
-
-
0.8
V
V
V
V
%
%
s
A
V
4
FN4882.5
2005年7月21日
HIP6503
电气规格
参数
DRV2输出驱动电流
DRV2输出阻抗
3.3V
双
/3.3V
SB
线性稳压器（ V
OUT3
)
睡眠状态调节
3V3DL标称电压电平
3V3DL欠压阈值上升
3V3DL欠压滞后
3V3DLSB输出驱动电流
DLA输出阻抗
2.5V
CLK
线性稳压器（ V
OUT4
)
规
VCLK额定电压电平
VCLK欠压阈值上升
VCLK欠压滞后
VCLK输出电流（注4 ）
5V
双
开关控制器（V
OUT5
)
5VDL欠压阈值上升
5VDL欠压滞后
5VDLSB输出驱动电流
5VDLSB上拉阻抗5VSB
定时间隔
活跃状态评估过去的输入UV
阈值（注5 ）
主动到睡眠控制输入延迟
控制I / O（ S3 ， S5 ， EN5VDL ， FAULT / MSEL ）
高电平输入阈值
低电平输入阈值
S3 ， S5内部上拉阻抗5VSB
FAULT输出阻抗
温度监控
故障电平门限（注6 ）
关机级阈值（注6 ）
注意事项：
2.睡眠状态仅适用于3.3V设置
3.参数不保证5VSB < 4.0V 。
4.在环境温度低于50 ℃。
5.相关保证。
6.通过设计保证。
125
-
-
155
-
-
°C
°C
FAULT =高
-
0.8
-
-
-
-
50
100
2.2
-
-
-
V
V
k
20
-
25
200
30
-
ms
s
I
5VDLSB
5VDLSB = 4V ， 5VSB = 5V
-
-
-20
-
4.150
150
-
350
-
-
-40
-
V
mV
mA
I
VCLK
V
3V3
= 3.3V
V
VCLK
-
-
-
-
500
-
2.5
2.075
75
800
2.0
-
-
-
-
%
V
V
mV
mA
I
3V3DLSB
5VSB = 5V
V
3V3DL
-
-
-
-
5
-
-
3.3
2.739
99
10
90
2.0
-
-
-
-
-
%
V
V
mV
mA
推荐工作条件，除非另有说明，请参考图1，图2和图3
（续）
符号
I
DRV2
测试条件
5VSB = 5V ，R
SEL
= 1k
R
SEL
= 10k
民
220
-
典型值
-
200
最大
-
-
单位
mA
5
FN4882.5
2005年7月21日
HIP6503
TM
数据表
2000年6月
网络文件编号
4882.1
多元线性电源控制器
ACPI控制接口
该HIP6503补充要么是HIP6020或
HIP6021在ACPI兼容设计的微处理器和
计算机应用。该IC集成了四个线性
控制器/稳压器，开关，监控和控制
功能集成到一个20引脚SOIC封装。一个线性控制器
产生3.3V
双
/3.3V
SB
从ATX电压层
电源的5VSB输出，供电南桥和
通过睡眠时外部旁路晶体管PCI插槽
状态（ S3 ， S4 / S5 ） 。第二晶体管用于切换在
S0和S1 / S2在ATX 3.3V输出操作
（有源）的运行状态。线性控制器/稳压器
耗材的选择2.5V或3.3V内存供电
通过外部旁路晶体管（开关3.3V设置）
活动状态。在睡眠状态，综合通
晶体管的供电电源的睡眠。另一个控制器
上电时的5V
双
由ATX 5V交换平面
输出活动状态，而ATX 5VSB的睡眠状态。
两个内部稳压器输出两个专用的，无噪声
2.5V时钟芯片的供应，以及一个1.8V ICH2简历以及
电压。该HIP6503的操作模式（主动输出或
睡眠输出）可选择通过两个数字控制引脚，
S3和S5 。在5V启用休眠状态的支持
双
输出通过EN5VDL引脚提供。在活跃状态中，该
3.3V
双
/3.3V
SB
和2.5V
纪念品
/3.3V
纪念品
线性稳压器
使用外部N沟道MOSFET的通连接
直接输出到由ATX电源提供3.3V的输入
供应，为尽可能减少损失。在睡眠状态下，功率输出上
两个输出被传送到NPN晶体管 - 外部到
在3.3V控制器
双
/3.3V
SB
内部的
2.5V
纪念品
/3.3V
纪念品
。在2.5V工作状态调节
纪念品
输出通过一个外部NPN晶体管执行。该
5V
双
输出是通过两个外部的MOS电
晶体管。在睡眠状态中，PMOS （或PNP ）晶体管
进行从ATX 5VSB输出电流;而在
激活状态时，电流溢流转移到一个NMOS
晶体管连接到ATX 5V输出。的操作
在5V
双
输出不仅受的状态决定
S3和S5的引脚，但该EN5VDL销的为好。该
3.3V
双
/3.3V
SB
和1.8V
SB
输出是活动的，只要
作为ATX 5VSB电压被施加到芯片上。在2.5V
CLK
输出为S0和S1 / S2的过程中才有效，并且使用3V3
引脚作为输入源，其内部旁路元件。
特点
提供5 ACPI控制的电压
- 5V
双
USB /键盘/鼠标（主动/睡眠）
- 3.3V
双
/3.3V
SB
PCI /辅助/ LAN （主动/睡眠）
- 2.5V
纪念品
RDRAM或3.3V
纪念品
SDRAM （主动/睡眠）
- 2.5V
CLK
时钟/处理器端接（仅活动）
- 1.8V
SB
ICH2简历
出色的输出电压调节
- 3.3V
双
/3.3V
SB
输出：
±2.0%
超温;
睡眠状态下，只有
- 2.5V
纪念品
/3.3V
纪念品
输出：
±2.0%
超温;
这两种操作状态（ 3.3V
纪念品
睡眠只有）
- 1.8V
SB
, 2.5V
CLK
输出：
±2.0%
过温
·小尺寸
- 非常低外部元件数量
双内存电压选择通过FAULT / MSEL引脚
- 2.5V的RDRAM内存
- 3.3V的SDRAM内存
欠压的所有输出监控与集中
故障报告和温关断
应用
主板电源调节为ACPI兼容
电脑
引脚
HIP6503
（ SOIC ）
顶视图
20 VSEN2
19 DRV2
18 5V
17 12V
16 SS
15 5VDL
14 5VDLSB
13 DLA
12 FAULT / MSEL
11 GND
5VSB
1
1V8IN 2
1V8SB 3
3V3DLSB 4
3V3DL 5
VCLK 6
3V3 7
EN5VDL
S3
8
9
S5 10
订购信息
产品型号
HIP6503CB
HIP6503EVAL1
温度。
RANGE （
o
C)
0到70
包
20 Ld的SOIC
PKG 。
号
M20.3
评估板
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权
Intersil公司2000
HIP6503
绝对最大额定值
电源电压，V
5VSB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0V
12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 14.5V
DLA ， DRV2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至V
12V
+0.3V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至+ 5VSB 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
87
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
电源电压，V
5VSB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V
±5%
最低5VSB供电电压是保障参数。 。 。 。 + 4.5V
数字输入，V
SX
, V
EN5VDL
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至+ 5.5V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气连接特定的阳离子
参数（注2 ）
VCC电源电流
额定电源电流
关断电源电流
推荐工作条件，除非另有说明，请参考图1，图2和图3
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
5VSB
I
5VSB(OFF)
V
SS
= 0.8V
-
-
30
14
-
-
mA
mA
上电复位，软启动和电压监视器，
瑞星5VSB POR阈值
5VSB POR迟滞
瑞星12V阈值
12V滞后
瑞星3V3和5V的阈值
3V3和5V滞后
下降阈值超时（所有监视器）
软启动电流
关断电压阈值
1.8V
SB
线性稳压器（ V
OUT1
)
规
1V8SB标称电压电平
1V8SB欠压阈值上升
1V8SB欠压滞后
1V8SB输出电流
2.5/3.3V
纪念品
线性稳压器（ V
OUT2
)
稳定度（注2 ）
VSEN2标称电压电平
VSEN2标称电压电平
VSEN2欠压阈值上升
VSEN2欠压滞后（注3）
VSEN2输出电流
I
VSEN2
5VSB = 5V
V
VSEN2
V
VSEN2
R
SEL
= 1k
R
SEL
= 10k
-
-
-
-
-
250
-
2.5
3.3
83
3
300
2.0
-
-
-
-
-
%
V
V
%
%
mA
I
1V8SB
1V8IN = 3.3V
V
1V8SB
-
-
-
-
250
-
1.8
1.494
54
300
2.0
-
-
-
-
%
V
V
mV
mA
I
SS
V
SD
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
-
1.0
90
5
10
10
-
4.5
-
10.8
-
-
-
-
-
0.8
V
V
V
V
%
%
s
A
V
4
HIP6503
电气连接特定的阳离子
参数（注2 ）
DRV2输出驱动电流
DRV2输出阻抗
3.3V
双
/3.3V
SB
线性稳压器（ V
OUT3
)
睡眠状态调节
3V3DL标称电压电平
3V3DL欠压阈值上升
3V3DL欠压滞后
3V3DLSB输出驱动电流
DLA输出阻抗
2.5V
CLK
线性稳压器（ V
OUT4
)
规
VCLK额定电压电平
VCLK欠压阈值上升
VCLK欠压滞后
VCLK输出电流（注4 ）
5V
双
开关控制器（V
OUT5
)
5VDL欠压阈值上升
5VDL欠压滞后
5VDLSB输出驱动电流
5VDLSB上拉阻抗5VSB
定时间隔
活跃状态评估过去的输入UV
阈值（注5 ）
主动到睡眠控制输入延迟
控制I / O（ S3 ， S5 ， EN5VDL ， FAULT / MSEL ）
高电平输入阈值
低电平输入阈值
S3 ， S5内部上拉阻抗5VSB
FAULT输出阻抗
温度监控
故障电平门限（注6 ）
关机级阈值（注6 ）
注意事项：
2.睡眠状态仅适用于3.3V设置
3.参数不保证5VSB < 4.0V 。
4.在环境温度低于50
o
C.
5.相关保证。
6.通过设计保证。
125
-
-
155
-
-
o
C
o
C
推荐工作条件，除非另有说明，请参考图1，图2和图3
（续）
符号
I
DRV2
测试条件
5VSB = 5V ，R
SEL
= 1k
R
SEL
= 10k
民
220
-
典型值
-
200
最大
-
-
单位
mA
-
V
3V3DL
-
-
-
I
3V3DLSB
5VSB = 5V
5
-
-
3.3
2.739
99
10
90
2.0
-
-
-
-
-
%
V
V
mV
mA
-
V
VCLK
-
-
-
I
VCLK
V
3V3
= 3.3V
500
-
2.5
2.075
75
800
2.0
-
-
-
-
%
V
V
mV
mA
-
-
I
5VDLSB
5VDLSB = 4V ， 5VSB = 5V
-20
-
4.150
150
-
350
-
-
-40
-
V
mV
mA
20
-
25
200
30
-
ms
s
-
0.8
-
FAULT =高
-
-
-
50
100
2.2
-
-
-
V
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5
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