HIP6502B
TM
数据表
2000年5月
网络文件编号
4871
多元线性电源控制器
ACPI控制接口
该HIP6502B补充要么是HIP6020或
HIP6021在ACPI兼容设计的微处理器和
计算机应用。该IC集成了四个线性
控制器/稳压器，开关，监控和控制
功能集成到一个20引脚SOIC封装。一个线性控制器
产生3.3V
双
/3.3V
SB
从ATX电压层
电源的5VSB输出，供电南桥和
通过睡眠时外部旁路晶体管PCI插槽
状态（ S3 ， S4 / S5 ） 。第二晶体管用于切换在
S0和S1 / S2在ATX 3.3V输出操作
（有源）的运行状态。两个线性控制器/稳压器
供给在选择的任一个或两者的计算机系统的
通过外部通2.5V或3.3V内存供电
晶体管的活动状态。在睡眠状态，综合
通过晶体管的供电电源的睡眠。另一个控制器
上电时的5V
双
由ATX 5V交换平面
输出活动状态，而ATX 5VSB的睡眠状态。
一个内部稳压器输出一个专用的，无噪声2.5V
时钟芯片供应。该HIP6502B的操作模式（主动
输出或睡眠输出）可选择通过两个数字
控制管脚， S3和S5 。启用的休眠状态的支持
5V
双
输出通过EN5VDL引脚提供。在主动
状态，在3.3V
双
和3.3V
纪念品
线性稳压器使用
外部N沟道MOSFET的通连接输出
直接由ATX （或同等学历）提供的3.3V输入
电源，用于最小的损失。在睡眠状态下，功率
交货两个输出传送到NPN晶体管 -
外部的3.3V控制器
双
内部的
3.3V
纪念品
。在2.5V工作状态调节
纪念品
输出
通过外部NPN晶体管执行。在睡眠
状态下，导通于该输出传送到一个内部
通过晶体管。在5V
双
输出是通过两个电
外部MOS晶体管。在睡眠状态中，PMOS （或PNP ）
晶体管导通的ATX 5VSB输出电流;
而在活性状态下，电流溢流转移到一个NMOS
晶体管连接到ATX 5V输出。的操作
在5V
双
输出不仅受的状态决定
S3和S5的引脚，但该EN5VDL销的为好。该
3.3V
双
/3.3V
SB
只要将ATX输出有效
5VSB电压被施加到芯片上。在2.5V
CLK
输出
S0和S1 / S2的过程中才有效，并且使用3V3引脚作为
输入源为内部旁路元件。
特点
提供5 ACPI控制的电压
- 5V
双
USB /键盘/鼠标（主动/睡眠）
- 3.3V
双
/3.3V
SB
PCI /辅助/ LAN （主动/睡眠）
- 2.5V
纪念品
RDRAM （主动/睡眠）
- 3.3V
纪念品
SDRAM （主动/睡眠）
- 2.5V
CLK
时钟/处理器端接（仅活动）
出色的输出电压调节
- 3.3V
双
/3.3V
SB
输出：
±2.0%
超温;
睡眠状态下，只有
- 2.5V
纪念品
和3.3V
纪念品
输出：
±2.0%
过度
温度;这两种操作状态（ 3.3V
纪念品
in
每天只睡）
- 2.5V
CLK
输出：
±2.0%
过温
·小尺寸
- 非常低外部元件数量
双内存电压支持通过MSEL引脚
- 2.5V的RDRAM内存
- 3.3V的SDRAM内存
- 两个2.5V和3.3V的灵活的系统
欠压监测的所有输出与集中
故障报告和温关断
应用
主板电源调节为ACPI兼容
电脑
引脚
HIP6502B
（ SOIC ）
顶视图
20 MSEL
19 DRV2
18 5V
17 12V
16 SS
15 5VDL
14 5VDLSB
13 DLA
12 FAULT
11 GND
VSEN2
1
5VSB 2
VSEN1 3
3V3DLSB 4
3V3DL 5
VCLK 6
3V3 7
EN5VDL
S3
8
9
订购信息
产品型号
HIP6502BCB
HIP6502BEVAL1
温度。
RANGE （
o
C)
0到70
包
20 Ld的SOIC
PKG 。
号
M20.3
S5 10
评估板
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权
Intersil公司2000
HIP6502B
绝对最大额定值
电源电压，V
5VSB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0V
12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 14.5V
DLA ， DRV2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至V
12V
+0.3V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 0.3V至+ 5VSB 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
87
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
电源电压，V
5VSB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V
±5%
最低5VSB供电电压是保障参数。 。 。 。 + 4.5V
数字输入，V
SX
, V
EN5VDL
, V
MSEL
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至+ 5.5V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气连接特定的阳离子
参数
VCC电源电流
额定电源电流
关断电源电流
推荐工作条件，除非另有说明，请参考图1，图2和图3
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
5VSB
I
5VSB(OFF)
V
SS
= 0.8V
-
-
30
14
-
-
mA
mA
上电复位，软启动和电压监视器，
瑞星5VSB POR阈值
5VSB POR迟滞
瑞星12V阈值
12V滞后
瑞星3V3和5V的阈值
3V3和5V滞后
软启动电流
关断电压阈值
3.3V
纪念品
线性稳压器（ V
OUT1
)
睡眠状态调节
VSEN1标称电压电平
VSEN1欠压阈值上升
VSEN1欠压滞后
VSEN1输出电流
2.5V
纪念品
线性稳压器（ V
OUT2
)
规
VSEN2标称电压电平
VSEN2欠压阈值上升
VSEN2输出电流
I
VSEN2
5VSB = 5V
V
VSEN2
MSEL < 2.0V
-
-
-
250
-
2.5
2.075
300
2.0
-
-
-
%
V
V
mA
I
VSEN1
5VSB = 5V
V
VSEN1
MSEL > 1.8V
-
-
-
-
250
-
3.3
2.739
99
300
2.0
-
-
-
-
%
V
V
mV
mA
I
SS
V
SD
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
-
1.0
90
5
10
-
4.5
-
10.8
-
-
-
-
0.8
V
V
V
V
%
%
A
V
4
HIP6502B
电气连接特定的阳离子
参数
DRV2输出驱动电流
推荐工作条件，除非另有说明，请参考图1，图2和图3
（续）
符号
I
DRV2
5VSB = 5V
测试条件
民
220
典型值
-
最大
-
单位
mA
3.3V
双
/3.3V
SB
线性稳压器（ V
OUT3
)
睡眠状态调节
3V3DL标称电压电平
3V3DL欠压阈值上升
3V3DL欠压滞后
3V3DLSB输出驱动电流
DLA输出阻抗
2.5V
CLK
线性稳压器（ V
OUT4
)
规
VCLK额定电压电平
VCLK欠压阈值上升
VCLK欠压滞后
VCLK的输出电流（注2）
5V
双
开关控制器（V
OUT5
)
5VDL欠压阈值上升
5VDL欠压滞后
5VDLSB输出驱动电流
5VDLSB上拉阻抗5VSB
定时间隔
活跃状态评估过去的输入UV
阈值（注3）
主动到睡眠控制输入延迟
控制I / O（ S3 ， S5 ， EN5VDL ， MSEL ， FAULT）
高电平输入阈值
低电平输入阈值
S3 ， S5内部上拉阻抗5VSB
FAULT输出阻抗
温度监控
故障电平门限（注4 ）
关机级阈值（注4 ）
注意事项：
2.在环境温度低于50
o
C.
3.通过相关保证。
4.通过设计保证。
125
-
-
155
-
-
o
C
o
C
-
V
3V3DL
-
-
-
I
3V3DLSB
5VSB = 5V
5
-
-
3.3
2.739
99
10
90
2.0
-
-
-
-
-
%
V
V
mV
mA
-
V
VCLK
-
-
-
I
VCLK
V
3V3
= 3.3V
500
-
2.5
2.075
75
800
2.0
-
-
-
-
%
V
V
mV
mA
-
-
I
5VDLSB
5VDLSB = 4V ， 5VSB = 5V
-20
-
4.150
150
-
350
-
-
-40
-
V
mV
mA
20
25
30
ms
s
-
200
-
-
0.8
-
FAULT =高
-
-
-
50
100
2.2
-
-
-
V
V
k
5
QQ：2880707522 复制
