HIP6304
TM
数据表
2000年3月
网络文件编号
4840
微处理器核心电压调节器
多相降压PWM控制器
该HIP6304多相PWM控制IC连同其
同伴栅极驱动器，该HIP6601 ， HIP6602或HIP6603
和Intersil公司的MOSFET提供了精确的电压
调节系统的先进微处理器。
多相电源转换为一个明显的背离
早期的单相转换器CON连接以前gurations
采用以满足日益增加的电流需求
现代微处理器。多相变换器，由
分配的功率和负载电流的结果，在较小和
成本更低的晶体管较少的输入和输出电容器。
这些削减从更高的有效累积
转化频率与较高频率的纹波电流
由于此拓扑的相位交错处理。为
例如，两相转换器在在350kHz操作将
具有700kHz的的纹波频率。此外，更大的
这种设计会导致更快的响应转换器的带宽
负载瞬变。
该控制器IC包括突出特点
来自微处理器的可编程VID代码那
范围从1.30V到2.05V用的系统精度
±1%.
拉起电流对这些VID针脚省去了
外部上拉电阻。除了“下垂”的赔偿，
用于降低芯的过冲或下冲
电压，容易编程，用单个电阻。
此控制IC的另一个特征是所述的PGOOD显示器
电路保持低电平，直到核心电压增加，
在其软启动序列内的10 ％
编程电压。过电压， 15 ％以上的编程
核心电压，导致转炉关停和
翻下MOSFET管接通夹紧和保护
微处理器。下的电压也被检测和结果
在PGOOD低，如果核心电压下降到低于10％的
编程水平。过电流保护降低了
调节器的电流编程的行程小于25％
值。这些功能提供了监控和保护
微处理器和电源系统。
特点
AMD Athlon兼容多相电源转换
精确的通道电流共享
- 亏损较少的电流采样 - 使用
DS （ ON）
精密核心电压调节
-
±1%
系统温度测量的精确性
微处理器电压Identi网络阳离子输入
- 4位VID输入
- 1.30V到2.05V ，步进
- 可编程的“下垂”电压
快速瞬态恢复时间
④过电流保护
高纹波频率（频道频率）时代
通道数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在100kHz至3MHz
订购信息
产品型号
HIP6304CB
HIP6304CB-T
HIP6304EVAL1
TEMP 。 （
o
C)
0到70
包
16 Ld的SOIC
PKG 。号
M16.15
16 Ld的SOIC卷带
评估平台
引脚
HIP6304 （ SOIC ）
顶视图
VID3 1
VID2 2
VID1 3
VID0 4
EN 5
COMP 6
7 FB
FS / DIS 8
16 V
CC
15 PGOOD
14 ISEN1
13 PWM1
12 PWM2
11 ISEN2
10 VSEN
9 GND
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
速龙是Advanced Micro Devices公司的商标。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权
Intersil公司2000
HIP6304
典型应用 - 两相转换器使用HIP6601栅极驱动器
+12V
PVCC
VCC
BOOT
UGATE
相
V
IN
= +5V
+5V
PWM
司机
HIP6601
LGATE
GND
FB
VSEN
PGOOD
EN
VID3
VID2
VID1
VID0
FS / DIS
GND
COMP
V
CC
PWM2
ISEN2
PVCC
UGATE
VCC
+V
CORE
+12V
BOOT
V
IN
= +5V
主
控制
HIP6304
PWM1
相
PWM
司机
HIP6601
LGATE
GND
ISEN1
典型应用 - 两相转换器使用HIP6602栅极驱动器
+5V
+12V
BOOT1
V
IN
= +12V
FB
VSEN
COMP
VCC
V
CC
ISEN1
UGATE1
PHASE1
PGOOD
EN
VID3
VID2
VID1
VID0
PWM1
PWM1
LGATE1
主
控制
HIP6304
双
司机
HIP6602
PVCC
+V
CORE
+5V
V
IN
+12V
BOOT2
PWM2
ISEN2
PWM2
UGATE2
PHASE2
FS / DIS
GND
GND
LGATE2
保护地
3
HIP6304
R
IN
V
IN
FB
错误
扩音器
HIP6304
比较
更正
+
Q1
PWM
电路
PWM1
HIP6601
I
L1
Q2
可编程
参考
DAC
L
01
-
+
-
+
∑
-
∑
-
+
当前
传感
相
I
SEN1
R
ISEN1
我平均
当前
平均
当前
传感
I
SEN2
R
ISEN2
V
IN
Q3
PWM
电路
PWM2
HIP6601
I
L2
Q4
相
L
02
V
CORE
C
OUT
R
负载
-
∑
+
+
-
比较
+
∑
更正
-
图1.简化了HIP6304电压框图及电流控制回路对于双电源
CHANNEL稳压器
功能引脚说明
VID3 1
VID2 2
VID1 3
VID0 4
EN 5
COMP 6
7 FB
FS / DIS 8
16 V
CC
15 PGOOD
14 ISEN1
13 PWM1
12 PWM2
11 ISEN2
10 VSEN
9 GND
FS / DIS （引脚8 ）
信道频率，女
SW
选择并禁用。从A电阻
此引脚与地设置的开关频率
转换器。要将这个引脚到地禁用该转换器
三态PWM输出。参见图10 。
GND （引脚9 ）
偏置和参考地。所有的信号都参考这个
引脚。
VSEN （引脚10 ）
电源良好监视器的输入。连接到微处理器
核心电压。
VID3 （引脚1 ） ， VID2 （ 2脚） ， VID1 （引脚3 ）和VID0
（引脚4 ）
电压识别输入的微处理器。这些引脚
回应TTL和3.3V逻辑信号。该HIP6304解码
VID位建立的输出电压。见表1 。
ISEN2 （引脚11）和ISEN1 （引脚14 ）
从个人转换器通道的电流感应输入
相节点。
PWM2 （引脚12）和PWM1 （引脚13 ）
PWM输出，用于正在使用的每个驱动通道。连接这些
销至HIP6601 / 2/3的驱动PWM输入。
EN （引脚5 ）
使能引脚正常操作与输入开路或高。低
输入禁用调节器和三态PWM输出。
PGOOD （引脚15 ）
电源良好。该引脚提供一个逻辑高电平信号时，
微处理器核心电压（ VSEN引脚）是在特定网络版
限制和软启动超时。
COMP （引脚6 ）
输出内部误差放大器洱。该引脚连接到
外部反馈和补偿网络。
FB （引脚7 ）
反相内部误差放大器连接器的输入。
4
V
CC
（引脚16 ）
偏置电源。该引脚连接到5V电源。
HIP6304
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。类TBD
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
106
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
注意：压力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的操作章节中所示的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
输入电源电源
输入电源电流
POR （上电复位）阈值
工作条件： V
CC
= 5V ，T
A
= 0
o
C至70
o
C，除非另有规定编
测试条件
民
典型值
最大
单位
R
T
= 100kΩ的，主动和残疾人最大限制
V
CC
升起
V
CC
落下
-
4.25
3.75
10
4.38
3.88
15
4.5
4.00
mA
V
V
参考和DAC
系统精度
DAC （ VID0 - VID3 ）输入低电压
DAC （ VID0 - VID3 ）输入高电压
VID拉
通道信号发生器
频率f
SW
调整范围
关闭电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
最大输出电压
最小输出电压
I
SEN
满量程输入电流
过电流保护级别
电源好班长
欠压阈值
欠压阈值
PGOOD低输出电压
保护
过压阈值
％的过电压迟滞
VSEN上升
之后过电压VSEN下降
1.12
-
1.15
2
1.2
-
V
DAC
%
VSEN上升
VSEN下降
I
PGOOD
= 4毫安
-
-
-
0.92
0.90
0.18
-
-
0.4
V
DAC
V
DAC
V
-
-
50
82.5
-
-
A
A
R
L
= 10K到地
C
L
= 100pF电容，R
L
= 10K到地
C
L
= 100pF电容，负载=
±400A
R
L
= 10K接地，负载= 400μA
R
L
= 10K接地，负载= -400μA
-
-
-
3.6
-
72
18
5.3
4.1
0.16
-
-
-
-
0.5
dB
兆赫
V / μs的
V
V
R
T
= 100k,
±1%
见图10
在FS / DIS最大电压来禁用控制器。我
FS / DIS
=为1mA。
245
0.05
-
275
-
-
305
1.5
1.0
千赫
兆赫
V
从编程的VID代码％的系统偏差
DAC编程输入低阈值电压
DAC编程输入高阈值电压
VIDx = 0V或VIDx = 3V
-1
-
2.0
10
-
-
-
20
1
0.8
-
40
%
V
V
A
5
QQ：2881677436 复制
