HIP6020
数据表
1999年2月
网络文件编号
4683
先进的双PWM和线性双
电源控制器
该HIP6020提供了电源控制和保护
在高性能的四路输出电压，图形密集型
微处理器和计算机应用。该IC
集成了两个PWM控制器和两个线性控制器，如
以及监控和保护功能集成到一个28引脚
SOIC封装。一个PWM控制器调节
微处理器核心电压与同步整流器版
降压转换器。第二个PWM控制器供应
计算机系统的AGP 1.5V或3.3V总线电源用
标准降压转换器。线性调节控制器
电源为1.5V GTL总线和1.8V电源的
北/南桥芯的电压和/或高速缓冲存储器
电路。
该HIP6020包括Intel兼容， TTL 5输入
数字 - 模拟转换器（DAC ） ，调整上述芯的PWM
从1.3V输出电压
DC
到2.05V
DC
在0.05V步骤和
从2.1V
DC
到3.5V
DC
在0.1V的增量。精度
参考与电压模式控制提供
±1%
STATIC
调节。第二个PWM控制器的输出是用户自
可选择的，通过加在一个TTL兼容信号
SELECT引脚，用于1.5V或3.3V与水平
±3%
准确度。
线性稳压器使用外部N沟道MOSFET或
双极NPN旁路晶体管提供网络连接固定的输出电压
1.5V的
±3%
(V
OUT3
）和1.8V
±3%
(V
OUT4
).
的HIP6020监视所有的输出电压。单一
当其核心是内部电源良好信号发出
±10%
of
DAC的设定等所有输出都高于其理解
电压电平。其他内置过电压保护
核心输出使用较低的MOSFET ，以防止输出
电压超过DAC设置的115 ％ 。该PWM
控制器的过电流功能监视输出电流
通过使用在上部MOSFET的电压降
r
DS （ ON）
，省去了一个电流检测电阻器。
特点
提供4个调节电压
- 微处理器为核心， AGP总线，北/南桥
和/或高速缓冲存储器，以及GTL总线电源
驱动N沟道MOSFET
线性稳压器，驱动器兼容与两个MOSFET
和双极串联调整晶体管
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速PWM转换器的瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 ％至100％的占空比
出色的输出电压调节
- 核心PWM输出：
±1%
过温
- AGP总线PWM输出：
±3%
过温
- 其它输出：
±3%
过温
TTL兼容5位DAC微处理器核心输出
电压选择
- 范围广。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到3.5V
DC
电源良好输出电压监视器
过电压和过电流故障监视
- 开关稳压器不需要额外的电流
感测元件，使用MOSFET的
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 200kHz的自由运行的振荡器;从编程
50kHz至1MHz的多
- 小型外部元件数量
应用
主板电源调节电脑
引脚
HIP6020 （ SOIC ）
顶视图
1 UGATE2
PHASE2 2
VID4 3
VID3 4
VID2 5
VID1 6
VID0 7
PGOOD 8
OCSET2 9
VSEN2 10
选择11
SS 12
FAULT / RT 13
VSEN4 14
28 VCC
27 UGATE1
26 PHASE1
25 LGATE1
24 PGND
23 OCSET1
22 VSEN1
21 FB1
20 COMP1
19 VSEN3
18 DRIVE3
17 GND
16沃克斯
15 DRIVE4
订购信息
产品型号
HIP6020CB
HIP6020EVAL1
温度。
RANGE （
o
C)
0到70
包
28 Ld的SOIC
PKG 。
号
M28.3
评估板
2-281
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HIP6020
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15V
PGOOD ， RT /故障，变频器，相位和
栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至V
CC
+ 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V至7V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
VCC电源电流
额定电源电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
瑞星VAUX阈值
VAUX阈值迟滞
瑞星V
OCSET1
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
推荐工作条件，除非另有说明。参阅图1，图2和图3
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
UGATE1 ， LGATE1 ， UGATE2 ， DRIVE3和
DRIVE4开放
-
9
-
mA
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
-
8.2
-
-
-
-
-
2.5
0.5
1.26
10.4
-
-
-
-
V
V
V
V
V
F
OSC
V
OSC
RT = OPEN
6kΩ < RT与GND之间< 200kΩ的
RT = OPEN
185
-15
-
200
-
1.9
215
+15
-
千赫
%
V
P-P
V
V
DAC和标准降压稳压器参考
DAC （ VID0 - VID4 ）输入低电压
DAC （ VID0 - VID4 ）输入高电压
DACOUT电压精度
PWM2参考电压
PWM2参考电压
PWM2参考电压容差
1.5V和1.8V线性稳压器（ V
OUT3
和V
OUT4
)
规
VSEN3调节电压
VSEN4调节电压
VSEN3,4欠电压电平
VSEN3,4欠压滞后
输出驱动电流
VREG
3
VREG
4
VSEN3
UV
VSEN3上升
VSEN3下降
沃V
DRIVE
> 0.6V
-
-
-
-
-
20
3
1.5
1.8
75
7
40
-
-
-
-
-
-
%
V
V
%
%
mA
SELECT < 0.8V
SELECT > 2.0V
-
2.0
-1.0
-
-
-
-
-
-
1.5
3.3
3
+1.0
-
-
-
0.8
%
V
V
%
同步PWM控制器误差放大器
DC增益
增益带宽积
压摆率
增益带宽积
SR
COMP1 = 10pF的
-
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
2-284
HIP6020
电气连接特定的阳离子
参数
PWM控制器，栅极驱动
UGATE1,2来源
UGATE1,2水槽
LGATE源
LGATE水槽
保护
VSEN1过电压（ VSEN1 / DACOUT ）
故障电流采购
OCSET1,2电流源
软启动电流
电源良好
VSEN1上限阈值
(VSEN1/DACOUT)
VSEN1欠压
(VSEN1/DACOUT)
VSEN1迟滞（ VSEN1 / DACOUT ）
PGOOD电压低
V
PGOOD
VSEN1上升
VSEN1上升
上限/下限阈值
I
PGOOD
= -4mA
108
92
-
-
-
-
2
-
110
94
-
0.8
%
%
%
V
I
OVP
I
OCSET
I
SS
VSEN1上升
V
FAULT / RT
= 2.0V
V
OCSET
= 4.5V
DC
-
-
170
-
115
8.5
200
28
120
-
230
-
%
mA
A
A
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
VCC = 12V ，V
UGATE1
（或V
UGATE2
) = 6V
V
GATE -PHASE
= 1V
VCC = 12V ，V
LGATE1
= 1V
V
LGATE
= 1V
-
-
-
-
1
1.7
1
1.4
-
3.5
-
3.0
A
A
推荐工作条件，除非另有说明。参阅图1，图2和图3
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
典型性能曲线
140
C
UGATE1
= C
UGATE2
= C
LGATE1
= C
120
1000
电阻值（kΩ ）
R
T
上拉
TO + 12V
I
CC
（MA ）
100
80
C = 3600pF
60
C = 1500pF
10
R
T
下拉到V
SS
20
10
100
开关频率（kHz ）
1000
0
100
C = 660pF
40
V
IN
= 5V
V
CC
= 12V
C = 4800pF
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
开关频率（kHz ）
图1。R
T
电阻与频率
图2.偏置电源电流与频率
功能引脚说明
VCC （引脚28 ）
提供此引脚12V偏置电源的IC 。该引脚还
提供栅极偏压电荷为所有的MOSFET
由IC控制。在这个引脚上的电压监测
上电复位（ POR ）的目的。
PGND （引脚24 ）
这是电源的接地连接。配合同步
PWM转换器的低MOSFET的源极到该引脚。
VAUX （引脚16 ）
该引脚的+ 3.3V输入电压监视电
复位（POR ）的目的。接+ 5V输入，该引脚
提供升压电流为两个线性稳压器的输出
在事件的双极NPN晶体管的驱动器（而不是
N沟道MOSFET ）被用作传递的元素。
GND （引脚17 ）
信号地为IC 。所有电压电平被测量以
对于这个引脚。
2-285
QQ：2880707522 复制
