HIP6019B
数据表
2005年4月13日
FN4587.1
先进的双PWM和线性双
功率控制
该HIP6019B提供了电源控制和保护
在高性能微处理器四个输出电压和
计算机应用。该IC集成了两路PWM
控制器，线性调节器和线性调节器以及
监控和保护功能集成到一个单一的28引脚
SOIC封装。一个PWM控制器调节
微处理器核心电压与同步整流器版
降压转换器，而所述第二PWM控制器供给
电脑的3.3V电源与标准降压转换器。该
线性控制器调节功率的GTL总线和
线性稳压器提供电源，时钟驱动器电路。
该HIP6019B包括Intel兼容， TTL 5输入
数字 - 模拟转换器（DAC ） ，调整上述芯的PWM
在0.1V的增量输出电压2.1VDC至3.5VDC
从1.3VDC至2.05VDC在0.05V步骤。精度
参考与电压模式控制提供±1 ％的静态
调节。第二PWM控制器是用户可调节的供
3.0V和3.5V之间与输出电平
±2%
准确度。该
可调线性稳压器采用内部旁路装置
提供2.5V
±2.5%.
可调线性控制器驱动
外部N沟道MOSFET ，提供1.5V
±2.5%.
该HIP6019B监视所有的输出电压。单一
当芯距离的±10％良好的功率信号发
该DAC设置和其他级别高于自己的理解
电压电平。其他内置过电压保护
核心输出使用较低的MOSFET ，以防止输出
电压超过DAC设置的115 ％ 。该PWM
控制器的过电流功能监视输出电流
通过检测上部MOSFET的电压降
r
DS （ ON）
，省去了一个电流检测电阻器。
特点
提供4个调节电压
- 微处理器为核心， I / O ，时钟芯片和GTL总线
驱动N沟道MOSFET
工作于+ 5V和+ 12V的输入
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器
- 全0 ％至100％的占空比
出色的输出电压调节
- 核心PWM输出：
±1%
过温
- I / O的PWM输出：
±2%
过温
- 其它输出：
±2.5%
过温
TTL兼容5位数字到模拟输出核心
电压选择
- 范围广。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到3.5V
DC
- 0.1V的步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.1V
DC
到3.5V
DC
- 0.05V步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到2.05V
DC
电源良好输出电压监视器
微处理器内核电压保护，防止短路
MOSFET
过电压和过电流故障监视
- 不需要额外的电流传感元件，
采用MOSFET的
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 200kHz的自由运行的振荡器;从编程
在50kHz至1MHz
无铅可（符合RoHS ）
引脚
HIP6019B
（ SOIC ）
顶视图
1 UGATE2
PHASE2 2
VID4 3
VID3 4
VID2 5
VID1 6
VID0 7
PGOOD 8
OCSET2 9
FB2 10
COMP2 11
SS 12
FAULT / RT 13
FB4 14
28 VCC
27 UGATE1
26 PHASE1
25 LGATE1
24 PGND
23 OCSET1
22 VSEN1
21 FB1
20 COMP1
19 FB3
18 Gate3
17 GND
16 VOUT4
15 Vsen2
应用
全主板电源调节电脑
低电压分布式电源
订购信息
产品型号
HIP6019BCB
HIP6019BCBZ
（见注）
TEMP 。 （
o
C)
0到70
0到70
包
28 Ld的SOIC
28 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。 DWG 。 ＃
M28.3
M28.3
添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，造型
塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，这是
符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1998年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP6019B
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+15V
PGOOD ， RT / FAULT和栅极电压。 。 GND - 0.3V至V
CC
+ 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V至7V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
60
50
SOIC封装（含3
2
铜） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
瑞星V
OCSET1
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
参考和DAC
推荐工作条件，除非另有说明。
参阅图1，图2和图3
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
UGATE1 ， GATE2 ， GATE3 ， LGATE1和
VOUT4开放
-
10
-
mA
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
8.6
8.2
-
-
-
1.25
10.4
10.2
-
V
V
V
RT = OPEN
6kΩ < RT与GND之间< 200kΩ的
V
OSC
RT = OPEN
185
-15
-
200
-
1.9
215
+15
-
千赫
%
V
P-P
DAC （ VID0 - VID4 ）输入低电压
DAC （ VID0 - VID4 ）输入高电压
DACOUT电压精度
参考电压
（引脚FB2 ， FB3 ， FB4和）
线性稳压器
规
根据电压等级
欠压滞后
过电流保护
过电流保护启动过程中
线性控制器
规
根据电压等级
欠压滞后
FB3
UV
VSEN3 = GATE3
FB3上升
C
SS
电压4V <
FB4
UV
10毫安<我
VOUT4
＆ LT ; 150毫安
FB4上升
-
2.0
-1.0
1.240
-
-
-
1.265
0.8
-
+1.0
1.290
V
V
%
V
-2.5
-
-
180
560
-
75
6
230
700
2.5
87
-
-
-
%
%
%
mA
mA
-2.5
-
-
-
75
6
2.5
87
-
%
%
%
4
FN4587.1
2005年4月13日
HIP6019B
TM
数据表
1998年10月
FN4587
先进的双PWM和线性双
功率控制
该HIP6019B提供了电源控制和保护
在高性能微处理器四个输出电压和
计算机应用。该IC集成了两路PWM
控制器，线性调节器和线性调节器以及
监控和保护功能集成到一个单一的28引脚
SOIC封装。一个PWM控制器调节
微处理器核心电压与同步整流器版
降压转换器，而所述第二PWM控制器供给
电脑的3.3V电源与标准降压转换器。该
线性控制器调节功率的GTL总线和
线性稳压器提供电源，时钟驱动器电路。
该HIP6019B包括Intel兼容， TTL 5输入
数字 - 模拟转换器（DAC ） ，调整上述芯的PWM
在0.1V的增量输出电压2.1VDC至3.5VDC
从1.3VDC至2.05VDC在0.05V步骤。精度
参考与电压模式控制提供±1 ％的静态
调节。第二PWM控制器是用户可调节的供
3.0V和3.5V之间与输出电平
±2%
准确度。该
可调线性稳压器采用内部旁路装置
提供2.5V
±2.5%.
可调线性控制器驱动
外部N沟道MOSFET ，提供1.5V
±2.5%.
该HIP6019B监视所有的输出电压。单一
当芯距离的±10％良好的功率信号发
该DAC设置和其他级别高于自己的理解
电压电平。其他内置过电压保护
核心输出使用较低的MOSFET ，以防止输出
电压超过DAC设置的115 ％ 。该PWM
控制器的过电流功能监视输出电流
通过检测上部MOSFET的电压降
r
DS （ ON）
，省去了一个电流检测电阻器。
特点
提供4个调节电压
- 微处理器为核心， I / O ，时钟芯片和GTL总线
驱动N沟道MOSFET
工作于+ 5V和+ 12V的输入
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器
- 全0 ％至100％的占空比
出色的输出电压调节
- 核心PWM输出：
±1%
过温
- I / O的PWM输出：
±2%
过温
- 其它输出：
±2.5%
过温
TTL兼容5位数字到模拟输出核心
电压选择
- 范围广。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到3.5V
DC
- 0.1V的步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.1V
DC
到3.5V
DC
- 0.05V步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到2.05V
DC
电源良好输出电压监视器
微处理器内核电压保护，防止短路
MOSFET
过电压和过电流故障监视
- 不需要额外的电流传感元件，
采用MOSFET的
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 200kHz的自由运行的振荡器;从编程
在50kHz至1MHz
引脚
HIP6019B
（ SOIC ）
顶视图
1 UGATE2
PHASE2 2
VID4 3
VID3 4
VID2 5
VID1 6
VID0 7
PGOOD 8
OCSET2 9
FB2 10
COMP2 11
SS 12
FAULT / RT 13
FB4 14
28 VCC
27 UGATE1
26 PHASE1
25 LGATE1
24 PGND
23 OCSET1
22 VSEN1
21 FB1
20 COMP1
19 FB3
18 Gate3
17 GND
16 VOUT4
15 Vsen2
应用
全主板电源调节电脑
低电压分布式电源
订购信息
产品型号
HIP6019BCB
TEMP 。 （
o
C)
0到70
包
28 Ld的SOIC
PKG 。号
M28.3
267
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
HIP6019B
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+15V
PGOOD ， RT / FAULT和栅极电压。 。 GND - 0.3V至V
CC
+ 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V至7V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
60
2
铜） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
50
SOIC封装（含3
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
瑞星V
OCSET1
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
参考和DAC
推荐工作条件，除非另有说明。
参阅图1，图2和图3
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
UGATE1 ， GATE2 ， GATE3 ， LGATE1和
VOUT4开放
-
10
-
mA
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
8.6
8.2
-
-
-
1.25
10.4
10.2
-
V
V
V
RT = OPEN
6kΩ < RT与GND之间< 200kΩ的
V
OSC
RT = OPEN
185
-15
-
200
-
1.9
215
+15
-
千赫
%
V
P-P
DAC （ VID0 - VID4 ）输入低电压
DAC （ VID0 - VID4 ）输入高电压
DACOUT电压精度
参考电压
（引脚FB2 ， FB3 ， FB4和）
线性稳压器
规
根据电压等级
欠压滞后
过电流保护
过电流保护启动过程中
线性控制器
规
根据电压等级
欠压滞后
FB3
UV
VSEN3 = GATE3
FB3上升
C
SS
电压4V <
FB4
UV
10毫安<我
VOUT4
＆ LT ; 150毫安
FB4上升
-
2.0
-1.0
1.240
-
-
-
1.265
0.8
-
+1.0
1.290
V
V
%
V
-2.5
-
-
180
560
-
75
6
230
700
2.5
87
-
-
-
%
%
%
mA
mA
-2.5
-
-
-
75
6
2.5
87
-
%
%
%
270
QQ：2881677436 复制
