HIP6012
TM
数据表
2001年4月
网络文件编号
4324.1
降压和同步整流器器
脉宽调制（ PWM ）控制器
该HIP6012提供完整的控制和保护的
的DC-DC转换器用于高性能优化
微处理器应用。它被设计用来驱动两个
N沟道MOSFET的同步整流，降压版
拓扑结构。该HIP6012集成了所有的控制，输出
调整，监控和保护功能集成到一个单一的
封装。
转换器的输出电压可被精确
调节到低至1.27V ，以最大耐受
±1.5%
在温度和线电压变化。
该HIP6012提供简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一
200kHz的自由运行的三角波振荡器，
可调从下面50kHz至1MHz的多。错误
扩增fi er设有一个15MHz的增益带宽积和
6V / μs压摆率使转换器的高带宽
快速的瞬态性能。由此产生的PWM占空比
范围从0 ％到100％ 。
该HIP6012防止过流条件
抑制PWM操作。的HIP6012监视当前
通过使用R
DS （ ON）
上MOSFET免去了
需要一个电流传感电阻器。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
从+ 5V或+ 12V输入进行操作
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 ％至100％占空比
出色的输出电压调节
- 1.27V内部参考
-
±1.5%
在线路电压和温度
过电流故障监控器
- 不需要额外的电流传感元件
- 使用的MOSFET
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 从200kHz的自由运行的可编程振荡器
50kHz至1MHz的多
14引脚， SOIC和TSSOP封装
应用
电源的奔腾，高能奔腾和PowerPC 和
阿尔法微处理器
高功率5V至3.xV DC- DC稳压器
低电压分布式电源
引脚
HIP6012
（ SOIC ， TSSOP ）
顶视图
RT
OCSET
SS
COMP
FB
EN
GND
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC
13 PVCC
12 LGATE
11 PGND
10 BOOT
9
8
UGATE
相
订购信息
部分
数
HIP6012CB
HIP6012CB-T
HIP6012CV
HIP6012CV-T
温度。
RANGE （
o
C)
0到70
0到70
0到70
0到70
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC卷带
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP和磁带
REEL
PKG 。
号
M14.15
M14.15
M14.173
M14.173
的PowerPC 是IBM公司的一个注册商标。
阿尔法是数字设备公司的商标。
奔腾是Intel Corporation的注册商标。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil美洲公司的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2001，保留所有权利
HIP6012
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
启动电压，V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。的.class 2
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
85
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（导线头只）
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
r
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379 FO细节。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
关断电源
上电复位
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
启用 - 输入阈值电压
瑞星V
OCSET
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
参考
参考电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源
上栅漏
更低的栅极源
更低的栅极漏
保护
OCSET电流源
软启动电流
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
EN = V
CC
; UGATE和LGATE开放
EN = 0V
-
-
5
50
-
100
mA
A
V
OCSET
= 4.5VDC
V
OCSET
= 4.5VDC
V
OCSET
= 4.5VDC
-
8.8
0.8
-
-
-
-
1.27
10.4
-
2.0
-
V
V
V
V
R
T
=打开，V
CC
= 12
6kΩ <
T
到GND < 200kΩ的
V
OSC
R
T
=打开
180
-20
-
200
-
1.9
220
+20
-
千赫
%
V
P-P
1.251
1.270
1.289
V
-
GBW
SR
COMP = 10pF的
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
V
BOOT
- V
相
= 12V, V
UGATE
= 6V
I
LGATE
= 0.3A
V
CC
= 12V, V
LGATE
= 6V
I
LGATE
= 0.3A
350
-
300
-
500
5.5
450
3.5
-
10
-
6.5
mA
W
mA
W
I
OCSET
I
SS
V
OCSET
= 4.5VDC
170
-
200
10
230
-
A
A
3
HIP6012
典型性能曲线
80
70
60
C
门
= 3300pF
I
VCC
（MA ）
50
40
30
20
10
0
100
C
门
= 10pF的
C
门
= 1000pF的
1000
电阻值（kΩ ）
R
T
上拉
TO + 12V
100
R
T
下拉
到V
SS
10
10
100
开关频率（kHz ）
1000
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
开关频率（kHz ）
图1。R
T
电阻与频率
图2.偏置电源电流与频率
功能引脚说明
过电流跳闸循环软启动功能。
RT
OCSET
SS
COMP
FB
EN
GND
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC
13 PVCC
12 LGATE
11 PGND
10 BOOT
9
8
UGATE
相
SS （引脚3 ）
此引脚与地之间连接一个电容。该电容，
随着内部10μA电流源，设置软
启动转换器的间隔。
COMP （引脚4 ）和FB （引脚5 ）
COMP和FB是错误的可用的外部引脚
扩增fi er 。 FB管脚是错误的反相输入端
扩增fi er和COMP引脚扩增fi er输出错误。
这些引脚用来补偿电压控制
该转换器的反馈环路。
RT（引脚1 ）
该引脚提供振荡器开关频率的调整。
通过将电阻器（R
T
）从这个引脚GND ，标称
在200kHz的开关频率是根据增加
下面的等式：
Fs
≈
200千赫
+
5
10
------------------
R
T
6
EN （引脚6 ）
此引脚是集电极开路使能引脚。拉下面这个引脚
1V禁用转换器。在关断模式，软启动引脚
出院， UGATE和LGATE引脚保持低电平。
(R
T
到GND）
GND （引脚7 ）
信号地为IC 。所有电压电平被测量以
对于这个引脚。
相反，连接一个上拉电阻器（R
T
）从这个引脚
V
CC
根据该降低开关频率
下面的公式：
4
10
Fs
≈
200kHz
– ------------------
R
T
7
PHASE （引脚8 ）
连接PHASE引脚的上MOSFET的源极。这
销是用来监视MOSFET两端的电压降
过电流保护。该引脚还提供回报
路径上的栅极驱动器。
(R
T
至12V ）
OCSET （引脚2 ）
连接一个电阻（R
OCSET
）从这个引脚的漏
上MOSFET 。
OCSET
，内部200μA电流源
(I
OCS
），以及上部MOSFET的导通电阻（R
DS （ ON）
）集
根据变频器过流（ OC ）跳变点
下面的等式：
I
OCS
R
OCSET
I
PEAK
= -------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
UGATE （引脚9 ）
连接UGATE给上MOSFET的栅极。该引脚
提供了用于上部MOSFET的栅极驱动器。
BOOT （引脚10 ）
该引脚提供偏压到上部MOSFET驱动器。
自举电路可以用来创建启动电压
适合驱动一个标准的N沟道MOSFET 。
4
HIP6012
PGND （引脚11 ）
这是电源的接地连接。配合较低的MOSFET
源到该引脚。
LGATE （引脚12 ）
LGATE连接到较低MOSFET栅极。该引脚
提供了较低的MOSFET的栅极驱动器。
软启动
(1V/DIV.)
PVCC （引脚13 ）
提供一个偏置电源的低栅极驱动该引脚。
VCC （引脚14 ）
提供12V偏置电源为芯片到该引脚。
0V
0V
t1
t2
产量
电压
(1V/DIV.)
功能说明
初始化
该HIP6012在收到电力的自动初始化。
输入电源的特殊排序是没有必要的。
上电复位（ POR）功能持续监控
输入电源的电压和使能（ EN）引脚。上电复位
监视的偏置电压下的VCC端子与输入
电压（V
IN
）上OCSET销。上OCSET水平
等于V
IN
少一个固定的电压降（见过流保护
保护） 。与持有至V EN引脚
CC
，上电复位功能
两个输入电源电压后启动软启动运行
超过其POR阈值。操作与单个
+ 12V电源，V
IN
和V
CC
是等价的，并在
+ 12V电源必须超过上涨V
CC
门槛
POR前开始运作。
上电复位（ POR）功能抑制操作
禁用芯片（ EN引脚为低电平） 。与这两个输入电源
高于其POR阈值，转换的EN引脚为高电平
启动软启动间隔。
t3
时间（毫秒/ DIV ）。
图3.软启动间隔
软启动
输出电感
4V
2V
0V
15A
10A
5A
0A
时间（ 20毫秒/ DIV ）。
软启动
上电复位功能启动软启动序列。一
内部10μA电流源充电的外部电容
(C
SS
）上的SS引脚为4V 。软起动夹错误
扩增fi er输出（ COMP引脚）和参考输入（ +端
误差放大器）， SS引脚的电压。图3示出了软
发车间隔为C
SS
= 0.1μF 。最初的夹子
误差放大器ER （ COMP引脚）控制转换器的输出
电压。在t1 ，如图3所示， SS的电压达到谷
振荡器的三角波。该振荡器的三角
波形进行比较的倾斜误差放大器
电压。这会产生越来越多的宽度相脉冲
该充电输出电容（S ） 。这个区间
增加脉冲宽度持续到t2 。只要有足够的
输出电压，所述参考输入控制夹紧
输出电压。这是在t2和t3之间的时间间隔
图3.在t3 SS电压超过基准
电压和输出电压处于调节状态。该方法
提供了一种快速和受控的输出电压的上升。
图4.过流运行
过电流保护
过电流保护功能，从转换器
短路输出通过使用上的MOSFET的导通电阻，
r
DS （ ON）
监测电流。这种方法提高了
转换器的EF网络效率并消除了降低成本
电流传感电阻器。
过流功能的周期在软启动功能
打嗝模式，以提供故障保护。电阻（R
OCSET
)
节目的过电流跳闸水平。内部200μA
（典型值）电流吸收器开发R两端的电压
OCSET
那
是参考V
IN
。当横跨上的电压
MOSFET（也参考V
IN
）超过电压
R两端
OCSET
，过流功能启动软启动
序列。软启动功能放电
SS
与一位
10μA电流吸收并抑制PWM操作。软启动
功能充电
SS
和PWM操作与恢复
误差放大器ER钳制SS电压。如果一个
而充电发生过载
SS
，软启动功能
抑制PWM操作，而完全充电
SS
为4V至
5
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