HIP6004
数据表
2000年3月
网络文件编号
4275.2
降压和同步整流器器（ PWM ）
控制器和输出电压监视器
该HIP6004提供完整的控制和保护的
的DC-DC转换器用于高性能优化
微处理器应用。它被设计用来驱动两个
N沟道MOSFET的同步整流，降压版
拓扑结构。该HIP6004集成了所有的控制，输出
调整，监控和保护功能集成到一个单一的
封装。
转换器的输出电压被容易地调整并
精确调节。该HIP6004包括一个5输入
数位类比转换器（ DAC）调节输出
在2.1V电压
DC
到3.5V
DC
在0.1V的增量，并从
1.3V
DC
到2.1V
DC
在0.05V步骤。精密基准
与电压模式调节器保持在选定的输出电压
内
±1%
在温度和线电压变化。
该HIP6004提供简单的，单一的反馈回路，
电压模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括
一个200kHz的自由运行的三角波振荡器，
可调从下面50kHz至1MHz的多。错误
扩增fi er设有一个15MHz的增益带宽积和
6V / μs压摆率使转换器的高带宽
快速的瞬态性能。由此产生的PWM占空比
范围从0 ％到100％ 。
的HIP6004监视输出电压与一个窗
比较跟踪DAC输出并发出电力
当输出电压为好信号
±10%.
该HIP6004
通过抑制PWM防止过流条件
操作。内置的过电压保护触发
外部可控硅撬棍输入电源。该HIP6004
监视当前通过使用R
DS （ ON）
上部的
MOSFET其中省去了一个电流检测
电阻器。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
从+ 5V或+ 12V输入进行操作
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 ％至100％占空比
出色的输出电压调节
-
±1%
在线路电压和温度
5位数字到模拟输出电压选择
- 范围广。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到3.5V
DC
- 0.1V二进制的步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.1V
DC
到3.5V
DC
- 0.05V二进制步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到2.1V
DC
电源良好输出电压监视器
过电压和过电流故障监视
- 不需要额外的电流传感元件，
采用的MOSFET
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 从200kHz的自由运行的可编程振荡器
50kHz至1MHz的多
应用
电源的奔腾，高能奔腾和PowerPC 和
阿尔法微处理器
高功率5V至3.xV DC- DC稳压器
低电压分布式电源
引脚
HIP6004
（ SOIC ）
顶视图
VSEN
OCSET
SS
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
COMP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 RT
19 OVP
18 VCC
17 LGATE
16 PGND
15 BOOT
14 UGATE
13相
12 PGOOD
11 GND
订购信息
产品型号
HIP6004CB
温度。
RANGE （
o
C)
0到70
包
20 Ld的SOIC
PKG 。
号
M20.3
本数据手册描述了一个预发布的产品
.
阿尔法科技是数码电脑设备公司的商标。
奔腾是Intel Corporation的注册商标。
的PowerPC 是IBM公司的注册商标。
FB 10
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
HIP6004
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15V
启动电压，V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
118
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介379的详细信息。
电气连接特定的阳离子
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
瑞星V
OCSET
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
参考和DAC
DACOUT电压精度
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源
上栅漏
更低的栅极源
更低的栅极漏
保护
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
UGATE和LGATE开放
-
5
-
mA
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
-
8.2
-
-
-
1.26
10.4
-
-
V
V
V
RT = OPEN
6kΩ < RT与GND之间< 200kΩ的
V
OSC
RT = OPEN
185
-15
-
200
-
1.9
215
+15
-
千赫
%
V
P-P
-1.0
-
+1.0
%
-
GBW
SR
COMP = 10pF的
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
V
BOOT
- V
相
= 12V, V
UGATE
= 6V
I
LGATE
= 0.3A
VCC = 12V ，V
LGATE
= 6V
I
LGATE
= 0.3A
350
-
300
-
500
5.5
450
3.5
-
10
-
6.5
mA
mA
过电压跳闸（V
SEN
/ DACOUT ）
OCSET电流源
OVP拉电流
软启动电流
电源良好
上限阈值（V
SEN
/ DACOUT ）
较低的阈值（V
SEN
/ DACOUT ）
迟滞（ VSEN / DACOUT ）
PGOOD电压低
V
PGOOD
VSEN上升
VSEN下降
上限和下限阈
I
PGOOD
= -5mA
I
OCSET
I
OVP
I
SS
V
OCSET
= 4.5V
DC
V
SEN
= 5.5V, V
OVP
= 0V
-
170
60
-
115
200
-
10
120
230
-
-
%
A
mA
A
106
89
-
-
-
-
2
0.5
111
94
-
-
%
%
%
V
3
HIP6004
典型性能曲线
80
70
1000
电阻值（kΩ ）
R
T
上拉
TO + 12V
I
CC
（MA ）
60
C
上
= C
低
= C
门
50
40
C
门
= 1000pF的
30
10
R
T
下拉到V
SS
10
10
100
开关频率（kHz ）
1000
0
100
200
20
C
门
= 10pF的
C
门
= 3300pF
100
300
400
500
600
700
800
开关频率（kHz ）
900
1000
图1。R
T
电阻与频率
图2.偏置电源电流与频率
功能引脚说明
VSEN
OCSET
SS
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
COMP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 RT
19 OVP
18 VCC
17 LGATE
16 PGND
15 BOOT
14 UGATE
13相
12 PGOOD
11 GND
VID0-4 （引脚4-8）
VID0-4是输入引脚到5位的DAC 。的状态
这些网络已经引脚编程的内部基准电压源
（ DACOUT ） 。 DACOUT水平设定转换器的输出
电压。它还设置了PGOOD和OVP阈值。表
1特定网络连接ES DACOUT为DAC输入的32个组合。
COMP （引脚9 ）和FB （引脚10 ）
COMP和FB是错误的可用的外部引脚
扩增fi er 。 FB管脚是错误的反相输入端
扩增fi er和COMP引脚扩增fi er输出错误。
这些引脚用来补偿电压控制
该转换器的反馈环路。
FB 10
GND （引脚11 ）
VSEN （引脚1 ）
该引脚被连接到转换器的输出电压。该
PGOOD和OVP比较器电路使用该信号
报表输出电压的状态和过电压保护。
信号地为IC 。所有电压电平被测量以
对于这个引脚。
PGOOD （引脚12 ）
PGOOD为用于指示一个集电极开路的输出
该转换器的输出电压的状态。该引脚被拉低
当变换器输出不是内
±10%
的
DACOUT参考电压。
OCSET （引脚2 ）
连接一个电阻（R
OCSET
）从这个引脚的漏
上MOSFET 。
OCSET
，内部200μA电流源
(I
OCS
），以及上部MOSFET的导通电阻（R
DS （ ON）
）集
根据变频器过流（ OC ）跳变点
下面的等式：
I
OCS
R
OCSET
I
PEAK
= -------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
PHASE （引脚13 ）
连接PHASE引脚的上MOSFET的源极。这
销是用来监视MOSFET两端的电压降
对于过电流保护。该引脚还提供回报
路径上的栅极驱动器。
UGATE （引脚14 ）
连接UGATE给上MOSFET的栅极。该引脚
提供了用于上部MOSFET的栅极驱动器。
过电流脱扣循环软启动功能。
SS （引脚3 ）
此引脚与地之间连接一个电容。该电容，
随着内部10μA电流源，设置软
启动转换器的间隔。
BOOT （引脚15 ）
该引脚提供偏压到上部MOSFET驱动器。
自举电路可以用来创建启动电压
适合驱动一个标准的N沟道MOSFET 。
4
HIP6004
PGND （引脚16 ）
这是电源的接地连接。配合较低的MOSFET
源到该引脚。
增加宽度对输出电容充电（多个） 。这
增加脉冲宽度的间隔继续吨
2
。只要有足够的
输出电压，所述参考输入钳位控制
输出电压。这是叔之间的间隔
2
和T
3
在网络连接gure 3 。
在T
3
SS的电压超过DACOUT电压和
输出电压处于调节状态。此方法提供了一种快速
和受控的输出电压的上升。该PGOOD信号切换
“高”时，输出电压（ VSEN针）是内
±5%
of
DACOUT 。内置的电源良好的2 ％迟滞
比较防止PGOOD振荡，由于名义
输出电压纹波。
LGATE （引脚17 ）
LGATE连接到较低MOSFET栅极。该引脚
提供了较低的MOSFET的栅极驱动器。
VCC （引脚18 ）
提供12V偏置电源为芯片到该引脚。
OVP （引脚19 ）
OVP引脚可用于驱动外部SCR的
事件的过压状态。
RT（引脚20 ）
该引脚提供振荡器开关频率的调整。
通过将电阻器（R
T
）从这个引脚GND ，标称
在200kHz的开关频率是根据增加
下面的等式：
5
10
Fs
≈
200kHz
+ --------------------
-
R
T
(
k
)
6
0V
PGOOD
(2V/DIV.)
软启动
(1V/DIV.)
产量
电压
(1V/DIV.)
0V
0V
t
1
t
2
时间（毫秒/ DIV ）。
t
3
(R
T
到GND）
相反，连接一个上拉电阻器（R
T
）从这个引脚
到VCC根据降低开关频率
下面的等式：
4
10
Fs
≈
200kHz
– --------------------
-
R
T
(
k
)
7
(R
T
至12V ）
图3.软启动间隔
功能说明
初始化
该HIP6004在收到电力的自动初始化。
输入电源的特殊排序是没有必要的。
上电复位（ POR）功能持续监控
输入电源电压。 POR监视偏置
电压VCC引脚和输入电压（V
IN
）上的
OCSET引脚。上OCSET水平等于V
IN
少一个固定
电压降（见过流保护） 。上电复位功能
两个输入电源电压后启动软启动运行
超过其POR阈值。操作与单个
+ 12V电源，V
IN
和V
CC
是等价的，并在
+ 12V电源必须超过上涨V
CC
门槛
POR前开始运作。
过电流保护
过电流保护功能，从一个所述转换器
短路输出通过使用上的MOSFET的导通电阻，
r
DS （ ON）
监测电流。这种方法提高了
转换器的EF网络效率并消除了降低成本
电流传感电阻器。
软启动
输出电感
4V
2V
0V
15A
10A
5A
0A
软启动
上电复位功能启动软启动序列。内部
10μA电流源充电的外部电容（C
SS
）上
SS引脚为4V 。软起动钳位误差放大器的输出
（ COMP引脚）和参考输入（ +误差放大器的终端）的
SS引脚电压。图3示出了具有软起动的时间间隔
C
SS
= 0.1μF 。最初在误差放大器的钳位器（COMP
引脚）控制转换器的输出电压。在t
1
在图3中，该
SS电压达到振荡器的三角波的山谷。
振荡器的三角波进行比较的斜坡
误差放大器的电压。这产生了相脉冲
时间（ 20毫秒/ DIV ）。
图4.过电流运行
在过电流函数的周期的软起动功能
打嗝模式，以提供故障保护。电阻（R
OCSET
)
计划过电流跳闸水平。内部200μA电流
片开发R两端的电压
OCSET
这是参照
V
IN
。当跨越上部MOSFET的电压（也
5
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