HIP5020
数据表
1997年1月
网络文件编号
4243
集成的功率降压转换器
控制器采用同步整流，阳离子
该HIP5020是高英法fi效率，降压型转换器控制器
采用同步整流，阳离子和整体功率MOSFET 。
集成的电流感应消除了外部电阻
并节省电力。控制器结合了两种方法
规定：电流模式控制出色的调节
针对大信号负载瞬变和迟滞
模式控制对高英法fi效率在低输出电流。
该HIP5020控制器提供灵活性的高度。
小部件设置开关频率，所述软起动
间隔和运行之间的负载电流边界
迟滞模式。这些调整使设计师
以最好的优化权衡成本， EF网络效率和规模。
该示例应用指南部分说明了这些
权衡与三分量和供应商的建议
电路设计。这些设计都适合使用，而不
莫迪网络阳离子。然而，框图，详细
描述和HIP5020组成部分特定网络阳离子启用
进一步的优化，以满足特定连接的信用证要求。
特点
高英法fi效率 - 95％以上
集成的N沟道同步整流器器
和上的MOSFET - 75mΩ每
宽输入电压和负载范围
- 4.5VDC至18VDC （ 5 12镍镉电池的电池）
- 最多3.5ADC
自动开关调节模式
- 对于在卓越绩效电流模式控制
高负载电流
- 滞后控制高英法fi效率在轻载
电流
灵活的，易于使用
- 即开即用应用实例
- 自定义优化小部件
- 设计与仿真软件可用
集成，低损耗电流检测
过电流保护
自适应死区时间 - 消除直通
订购信息
产品型号
HIP5020DB
温度。
RANGE （
o
C)
0到70
包
28 Ld的SOIC
PKG 。
号
M28.3
100kHz至1MHz的PWM开关频率
耐热增强型SOIC封装
应用
- 笔记本电脑
便携式通信
- 便携式仪器
引脚
HIP5020 （ SOIC ）
顶视图
VIN 1
VIN 2
VIN 3
PHASE 4
第5阶段
6
保护地
（网络）
7
8
9
GND 10
FB 11
VINF 12
HMI 13
边坡14
28相
27相
26 SD
25软
24 OVLD
23
22
21
20
CP- 19
18 CP +
17 VCC
16 BOOT
15 CT
保护地
（网络）
典型用途
HIP5020
模式
控制和
保护
效率（％）
100
95
90
85
80
0.001
V
IN
= 6V
V
O
= 5V
V
IN
= 5V
V
O
= 3.3V
V
IN
国内
供应
L1
14H
0.01
0.1
1
负载电流（A ）
10
C1
440F
规
与控制
V
OUT
2-13
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HIP5020
功能框图
VCC
VIN
CP +
CP-
电荷泵
调节器
BOOT
CT
S
振荡器
PWM
LATCH
R
PWM
上栅
DRIVE
坡
坡
发电机
PWM
+
-
当前
传感器
SD
RUN
模式
控制
逻辑
软
开始
过电流
保护
-
∑
+
相
+
-
相
软
VINF
参考
+
1.26V
-
+
错误
+ AMP
+
更低的栅极
驱动器和
逻辑
保护地
V
CC
20A
GND
-
滞回
-
12pF
FB
HMI
OVLD
引脚说明
针无
1, 2, 3
4, 5, 27, 28
6, 7, 8, 9, 20,
21, 22, 23
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
24
25
26
代号
VIN
相
保护地
GND
FB
VINF
HMI
坡
CT
BOOT
VCC
CP +
CP-
OVLD
软
SD
功能
输入电压
开关节点
电源地
信号地
电压检测
滤波的输入
滞环电流
RAMP SET
频率设定
自举偏置
偏压
电荷泵
电容
过载
软启动
关闭
描述
连接到电源（电池）。工作在4.5VDC至18VDC 。
连接到输出电感。
电源回路和热界面。焊接这些引脚为大面积覆铜接地平面。
连接至输出负载的回报。
一个分压器网络扩展输出电压1.26VDC 。
连接一个低通（ R-C ）滤波器从V
IN
.
电阻到HMI引脚设置在迟滞模式下，峰值电感电流水平。
一个电容到地设置斜坡补偿的电流模式控制。
一个电容到地设定振荡器频率。
电容器，以相引脚储存能量为上层MOSFET驱动器。
输出电荷泵稳压器。使用旁路电容到地。
连接这些引脚之间的电容器的电荷泵来产生偏置功率。该
内部电荷泵变换器被同步到所述振荡器。
高水平的该引脚上的信号激活电流限制保护。
一个电容到地设定软启动时间。
低级别挂起操作的低功耗关断模式。
2-14
HIP5020
绝对最大额定值
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 20.0V
电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 20.0V
关断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至V
CC
+0.3V
电压保护地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2V至+ 2V （瞬态）
所有电压都是相对于GND ，除非另有规定ED 。
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
塑料SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
51
塑料SOIC封装（与1英寸
2
铜） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
42
塑料SOIC封装（带有3英寸
2
铜） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
39
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .125
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
电压范围，V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 18.0V
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
振荡器的频率范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100kHz至1MHz
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
V
IN
=幼滑，从图中引用1.典型值在T组件
J
= 25
o
C和MIN ， MAX限制为T
J
从0
o
C至125
o
℃;除非另有规定编
T
J
=
25
o
C
0
o
<牛逼
J
＆ LT ; 125
o
C
民
最大
单位
参数
参考
参考电压
温度稳定性
滞后幅度
模式控制逻辑
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
关断阈值
HMI电流源
功率MOSFET
漏极漏电流
导通状态电阻
第一阶段上升和下降时间
电荷泵稳压器
V
CC
规
电荷泵关闭
VCC电流 - 运行模式
VINF电流 - 迟滞模式
VCC电流 - 关闭
符号
测试条件
典型值
V
FB
全变差，我
O
＆ GT ;我
HMI
1.26
-
1.235
-
10
1.285
0.2
30
V
mV
mV
2
迟滞模式;我
O
＆ LT ;我
HMI
20
VCC
UV
-vcc
UV
V
SD
I
HMI
7.6
0.3
1.2
20
7.2
-
0.9
16
7.9
-
1.5
29
V
V
V
A
I
DSS
r
DS （ ON）
t
r
, t
f
V
DSS
= 20V, V
相
= 0
V
BOOT
- V
相
= 12.6V ;我
相
= 2A
I
O
= 2ADC
0.35
75
10
-
60
-
10
125
-
A
m
ns
V
CC
V
INCPN
I
CC
I
CC
- 闲置
I
CC
V
IN
= 8.65V ; F
S
= 100kHz的;
C4 = C5 = 1.0μF
14.8
9.8
14.0
-
-
-
-
16.0
-
-
110
17
V
V
mA
A
A
F
S
= 100kHz的
V
FB
= 5V, V
CT
= 0
V
SD
= GND ，V
IN
= 12V
4
78
2
2-15
HIP5020
VIN
VCC
D1
+
V
IN
-
BOOT
R5
C2
C12
C5
相
CP-
VINF
C10
开/关
保护地
SD
FB
CT
坡
C6
C7
C8
R4
软
GND
OVLD
HMI
R2
C9
R1
D2
R6
C1
CP +
HIP5020
C3
L1
V
O
C4
图1.示例应用电路
表1.示例应用程序性能参数
这些特征是与表2和表3中给出的部件，如图1所示的电路。
参数
输入电压
- 典型
- 范围
开关频率
输出电压的变化
线路调整
负载调整率
输出电压纹波
- 满载
- 轻载
效率
- 满载
- 山顶
- 轻载
估计电路面积
最高的部件
归一化电路成本
电路总成本的比例为电路2
初始设置
输入电压范围;我
O
= 1ADC
I
O
= 0.1 3ADC ，V
IN
典型
带宽为20MHz <
I
O
= 3ADC ，V
IN
典型
I
O
= 50mAdc ，V
IN
典型
I
O
= 3ADC ，V
IN
典型
0.5 <我
O
< 2ADC ，V
IN
典型
I
O
= 50mAdc ，V
IN
典型
条件
电路1
高效率
3锂离子电池：
11.1
8.1 16
200
±15%
3.3
±3.5%
±0.1
±0.3
18
50
86
92
88
3.5
0.45
1.1
电路2
小型
2锂离子电池：
7.4
5.4 12
625
±15%
3.3
±2.2%
±0.1
±0.3
30
80
86
89
84
2.1
0.24
1
电路3
低成本
9镍镉电池：
10.8
8.1 16
120
±20%
3.3
±3.5%
±0.1
±0.4
20
70
86
90
72
3.6
0.68
0.75
单位
VDC
千赫
V
%
%
mV
%
%
%
in
2
in
表2.组件意见为样本应用电路
部件
D1
D2
L1
C1
C2
C3
电路1
MBR0540
MBR0540
16μH ，R
DC
< 15MΩ
2X - 220μF ， 10V OS- CON
ESR
最大
（ 100kHz时） < 35mΩ
100μF ， 20V OS- CON
ESR
最大
（ 100kHz时） 30mΩ到<
0.1F
±20%
- 陶瓷
电路2
MBR0540
未使用
5μH ，R
DC
< 22MΩ
3X - 220μF ， 10V钽
ESR
最大
（ 100kHz时） < 100mΩ的
2X - 100μF ， 16V钽
ESR
最大
（ 100kHz时） < 100mΩ的
0.1F
±10%
- 陶瓷
电路3
1N4148
未使用
26μH ，R
DC
< 25MΩ
3X - 390μF ， 25V ，铝合金
ESR
最大
（ 100kHz时） < 65mΩ
2X - 390μF ， 25V铝合金
ESR
最大
（ 100kHz时） < 65mΩ
0.1F
±20%
- 陶瓷
2-17
QQ：2881677436 复制
