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80V , 500毫安, 3相MOSFET驱动器
HIP4086 , HIP4086A
的HIP4086和HIP4086A (简称HIP4086 / A)的
三相N沟道MOSFET驱动器。两款器件均
专门针对PWM电机控制。这些司机
用于驱动每一个可能的开关灵活的输入协议
组合。用户甚至可以覆盖直通
保护开关磁阻应用。
该HIP4086 / A有着广泛的可编程死区时间
(为0.5ms至4.5ms ) ,这使得它们非常适合于低
频率(高达100kHz )通常用于马达驱动器。
的HIP4086和HIP4086A之间唯一的区别是
该HIP4086A已经内置电荷泵禁用。这
在需要十分安静的EMI性能的应用是非常有用的
(电荷泵在10MHz运行) 。的优点
HIP4086是内置的电荷泵允许无限长
关于时间的高边驱动器。
以保证该高边驱动器的引导电容器是完全
,一个可编程的引导刷新开启之前收取
当VDD首次应用于脉冲激活。当激活时,
刷新脉冲接通所有三个低侧桥式FET的同时
持观望态度的三个高侧FET的大桥收费的
高侧引导电容器。后刷新脉冲清除,正常的
操作开始。
该HIP4086 / A的另一个有用的功能是可编程的
欠压设定点。设定点范围从6.6V变化到
8.5V.
特点
独立驱动6 N沟道MOSFET的三个阶段
桥配置
自举电源最高电压可达95VDC与偏置电源
从7V至15V
1.25A峰值关断电流
用户可编程死区时间( 0.5μs的到4.5μs )
引导和可选的电荷泵维持高边
驱动器的偏置电压。
可编程的引导程序的刷新时间
驱动1000pF的负载为20ns和秋季的典型上升时间
10ns的时间
可编程欠压设定点
应用
无刷电机( BLDC )
3相交流电机
开关磁阻电机驱动器
电池的电动车
电池供电的工具
相关文献
AN9642
“ HIP4086 3相桥式驱动程序配置和
应用程序“
“ HIP4086EVAL评估板应用说明” (即将
SOON )
VDD
200
VDD
RDEL
CHB
BHB
AHB
V
XHB
- V
XHS
= 10V
输出电流( μA )
150
AHO
HIP4086/A
BHO
CHO
CHS
BHS
AHS
速度
电池
24V...48V
AHI
ALI
调节器
刹车
BHI
BLI
CHI
CLI
100
VSS
ALO
BLO
CLO
50
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
结温( ° C)
图1.典型应用
图2电荷泵输出电流
2011年6月1日
FN4220.7
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
版权所有Intersil公司美洲2011.保留所有权利
Intersil公司(设计)是Intersil公司或其子公司所拥有的商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP4086 , HIP4086A
框图
(为清楚起见,仅一个相位示出)
如果根据电压是活性,或者如果
DIS后,可将高
低侧驱动器都被关闭。
驱动器使能
常见的有
所有阶段
可调整的
开启
延迟
10纳秒
延迟
电压
探测器
延时关闭
刷新
脉冲
常见的有
所有阶段
可调整的
开启
延迟
VDD
收费
泵*
EN
16
XHB
XHI
5
DIS
10
VDD
20
UVLO
8
RFSH
9
水平
*电荷泵
永久禁用
在HIP4086A 。
17
XhoⅠ位
18
XHS
常见的有
所有阶段
VDD
21
XLO
6
VSS
XLI
4
RDEL
7
2微秒
延迟
常见的有
所有阶段
100毫伏
如果上RDEL的电压小于100 mV,那么
接通延时定时器被禁止的高
低侧驱动器可同时导通。
真值表
输入
ALI , BLI , CLI
X
X
1
0
0
1
AHI , BHI , CHI
X
X
X
0
1
0
UV
X
1
0
0
0
0
DIS
1
X
0
0
0
0
RDEL
X
X
>100mV
X
X
<100mV
产量
ALO , BLO , CLO
0
0
1
0
0
1
AHO , BHO , CHO
0
0
0
1
0
1
注:X显西班牙文该输入可以是一个“1”或“0”。
2
FN4220.7
2011年6月1日
HIP4086 , HIP4086A
引脚配置
HIP4086 , HIP4086A
( PDIP , SOIC )
顶视图
BHB
1
BHI
2
BLI
3
ALI
4
AHI
5
VSS
6
RDEL
7
UVLO
8
RFSH
9
DIS
10
CLI
11
CHI
12
24
BHO
23
BHS
22
BLO
21
ALO
20
VDD
19
CLO
18
AHS
17
AHC
16
AHB
15
CHS
14
CHO
13
CHB
引脚说明
引脚数
16
1
13
15
23
15
5
2
12
符号
AHB
BHB
CHB
( XHB )
AHS
BHS
CHS
( XHS )
AHI
BHI
CHI
( XHI )
描述
高端偏置连接。一个外部自举二极管和一个电容器所需要的
每一个。连接自举二极管的阴极和自举电容的正端给每个XHB
引脚。
高边源连接。连接高侧功率MOSFET ,这些来源
销。的自举电容的负端也被连接到这些引脚。
高端逻辑电平输入。逻辑,这三个引脚控制三高侧输出
司机, AHO (引脚17 ) , BHO (引脚24 )和CHO (引脚14 ) 。当XHI低, XhoI位是高的。当XHI
高, XhoI位低。除非死区时间由连接RDEL (引脚7 )接地,残疾人
每个阶段的低侧输入将覆盖在该阶段对应的高侧输入 -
参见“真值表”第2页。如果RDEL连接至地,死区时间被禁用,并且输出
按照输入无击穿直通保护。 DIS (引脚10 )也覆盖了高端的投入。
XHI可以通过0V的信号电平被驱动到15V (不大于Vout
DD
).
低端逻辑电平输入。逻辑,这三个引脚控制的三个低侧输出
司机ALO (引脚21 ) , BLO (引脚22)和CLO (引脚19 ) 。如果上输入接地则
低输入控制两个XLO和Xho驱动程序,与由电阻器在RDEL设置死区时间
(引脚7 ) 。 DIS (引脚10 )输入高电平覆盖XLI ,迫使低所有输出。 XLI可以通过驱动
0V的信号电平到15V (不大于Vout
DD
).
地面上。连接低端功率MOSFET的源到该引脚。
延迟时间设定点。此引脚与V之间连接一个电阻
DD
设置当前时间定义
驱动器之间的死区时间 - 参见图17.所有的驱动关断延迟最小, RDEL
电阻防止直通推迟所有驱动程序的开启。当RDEL被连接到V
SS
,
上部和降低可同时命令上。虽然在多数没有必要
应用程序, 0.1μF的去耦电容或更小的可以连接RDEL之间
V
SS
.
在电压设置点。电阻可以连接该引脚和V之间
SS
编程
在电压设置点,见图18。此引脚没有连接,欠压关闭
一般是6.6V 。当此引脚连接到V
DD
,欠压禁用通常是6.2V 。
刷新脉冲设置。一个外部电容,可以从这个引脚到V连接
SS
增加
在启动刷新脉冲的长度 - 参见图16。如果此引脚没有连接,刷新
脉冲通常为1.5μs 。
禁止输入。逻辑电平输入,当采取高套全部六个输出低电平。 DIS高
覆盖所有其他投入。用DIS为低电平时,输出由所述其他输入控制。 DIS可以
由0V的信号电平驱动到15V (不大于Vout
DD
).
4
3
11
ALI
BLI
CLI
( XLI )
V
SS
RDEL
6
7
8
UVLO
9
RFSH
10
DIS
3
FN4220.7
2011年6月1日
HIP4086 , HIP4086A
引脚说明
引脚数
17
24
14
20
21
22
19
注:X = A, B或C.
符号
AHO
BHO
CHO
( XhoI位)
V
DD
ALO
BLO
CLO
( XLO )
描述
高边输出。连接到高边功率MOSFET在每个阶段的大门。
正电源。去耦该引脚到V
SS
(引脚6 ) 。
低端输出。低侧功率MOSFET的栅极连接到这些引脚。
订购信息
产品型号
(注1,3)
HIP4086AB
HIP4086ABZ (注2)
HIP4086APZ (注2)
HIP4086AABZ (注2)
HIP4086EVAL
注意事项:
1.添加“ -T *” ,后缀磁带和卷轴。请参阅
TB347
对卷筒规格的详细信息。
2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾
锡板加退火( E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容) 。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
3.潮湿敏感度等级(MSL ) ,请参阅设备信息页
HIP4086 , HIP4086A 。
有关MSL的更多信息,请参见技术
简述
TB363.
最热
HIP4086AB
HIP4086ABZ
HIP4086APZ
HIP4086AABZ
评估板
温度范围
(°C)
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
电荷泵
是的
是的
是的
No
24 Ld的SOIC
24 Ld的SOIC (无铅)
24 Ld的PDIP (无铅)
24 Ld的SOIC (无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M24.3
M24.3
E24.3
M24.3
4
FN4220.7
2011年6月1日
HIP4086 , HIP4086A
绝对最大额定值
(注7 )
电源电压,V
DD
相对于GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至16V
逻辑输入( XLI , XHI ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至V
DD
+ 0.3V
电压XHS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -6V (瞬态)到85V ( -40
°
C至+150
°
C)
电压XHB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
XHS
- 0.3V至V
XHS
+V
DD
电压XLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
- 0.3V至V
DD
+0.3V
电压XhoⅠ位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
XHS
- 0.3V至V
XHB
+0.3V
第一阶段的压摆率(上XHS ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V / ns的
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注6 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
22
SOIC封装HIP4086AABZ (注5,6)
51
22
PDIP封装* (注6 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
29
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作结点温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见下面的链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊仅处理。
他们不打算在回流焊接工艺应用。
最大推荐工作
条件
电源电压,V
DD
相对于GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7V至15V
逻辑输入( XLI , XHI ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至VDD
电压XHB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VxHS + VDD
电压XHS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至80V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 150°C
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露在这样的条件下可能会产生不利影响的产品
在出现故障的可靠性和结果的不在保修范围内。
注意事项:
4.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介
TB379
了解详细信息。
5.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介
TB379
了解详细信息。
6.对于
θ
JC
,在“临时情况”位置采取包顶部中心。
7.更换X与A, B或C.
DC电气规格
除非另有规定ED 。
黑体字限额适用于整个工作结温范围为-40 ° C至+ 150°C 。
T
J
= +25°C
参数
测试条件
XHI = 5V , XLI = 5V ( HIP4086 )
XHI = 5V , XLI = 5V ( HIP4086A )
F = 20kHz的, 50 %占空比( HIP4086 )
F = 20kHz的, 50 %占空比( HIP4086A )
XHI = 0V ( HIP4086 )
XHI = 0V ( HIP4086A )
XHI = V
DD
(HIP4086)
XHI = V
DD
(HIP4086A)
F = 20kHz的, 50 %占空比( HIP4086 )
F = 20kHz的, 50 %占空比( HIP4086A )
V
XHS
= 80V, V
XHB
= 93V
空载
V
XHS
= 12V, V
XHB
= 22V
R
UV
开放
R
UV
开放
R
UV
= V
DD
0.6
0.8
0.7
0.8
7
11.5
50
6.2
5.75
5
(注9 )
2.7
2.3
6.3
3.1
-
典型值
3.4
2.4
8.25
3.6
40
80
0.8
0.9
0.9
0.9
24
12.5
100
7.1
6.6
6.2
最大
(注9 )
4.2
2.6
10.5
4.1
80
100
1.3
1
1.3
1
45
14
130
8.0
7.5
6.8
0.5
0.7
-
-
-
V
DD
= V
XHB
= 12V, V
SS
= V
XHS
= 0V ,R
DEL
= 20K ,R
UV
=
,
栅极电容(C
) = 1000pF的,
T
J
= -40 ° C至+ 150°C
(注9 )
2.1
2.1
5
2.8
-
最大
(注9 )
4.3
2.7
11
4.4
100
200
1.4
1.2
2.0
1.2
50
14.5
140
8.1
7.6
6.9
单位
mA
mA
mA
mA
A
A
mA
mA
mA
mA
A
V
A
V
V
V
电源电流
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
XHB在静态电流
XHB关静态电流
XHB工作电流
XHB , XHS漏电流
Q
输出电压
Q
输出电流
电荷泵, HIP4086只, (注8)
10.5
-
6.1
5.6
4.9
欠压保护
V
DD
瑞星欠压阈值
V
DD
落欠压阈值
最小欠压阈值
5
FN4220.7
2011年6月1日
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