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HIP4083

数据表

2004年7月

FN4223.2

80V ， 300毫安三相高压侧驱动器

该HIP4083是三相高压侧N沟道MOSFET

驱动程序，具体来说针对PWM电机控制。两

HIP4083可一起用于3相全桥

应用程序（见程序框图）。另外，

下部栅极可直接从缓冲控制

微处理器输出。

不同于HIP408x家族的其他成员，在HIP4083

没有内置的导通延时。每路输出（ AHO ， BHO ，并

CHO）将导通65ns后其输入被切换低。

同样，每一个输出关断为60ns后的输入

切换高。很短，很早就死时间

当两个HIP4083用于驱动全桥可能的。

这种死区时间是由输入信号的定时控制。

的HIP4083不具有内置的电荷泵。

因此，自举电容必须在充电

定期通过启动短的刷新脉冲。在大多数

桥应用，这将自动每次发生

较低的FET的导通和上部的FET关断。

然而，它仍然是可能使用的HIP4083在

需要高侧FET的应用是对

延长的时间段。这能够容易地实现

通过发送一个短的刷新脉冲到该DIS销。

的HIP4083降低驱动电流相比

HIP4086使其成为理想的低到中等功率

应用程序。该HIP4083是针对应用进行了优化

尺寸和成本是非常重要的。对于高功率

应用驱动大功率场效应管，该HIP4086是

推荐使用。

特点

独立驱动三个高侧N通道

在三相桥式CON组fi guration的MOSFET

自举电源最大电压为95VDC

偏置电源工作在7V至15V

驱动1000pF的负载与为35ns的典型上升时间和

秋季为30ns的时间

CMOS / TTL兼容输入

可编程欠压保护

无铅可用

应用

无刷电机

高边开关

交流马达驱动器

开关磁阻电机驱动器

订购信息

产品型号

HIP4083AB

HIP4083ABZ

（注）

HIP4083AP

HIP4083APZ

（注）

温度。

范围（° C）

-40至105

包

16 Ld的SOIC

PKG 。

DWG 。＃

M16.15

16 Ld的SOIC

（无铅）

M16.15

16 Ld的PDIP

E16.3

16 Ld的PDIP

（无铅）

E16.3

引脚

HIP4083

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

AHI

BHI

CHI

DIS

AHB

AHO

AHS

16 CHB

15 CHO

14 CHS

13 UVLO

12 V

11 BHB

10 BHO

9 BHS

注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料

套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡

板终止完成，这是既锡铅和兼容

无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL

分类，可达到或超过无铅峰值回流温度

IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

HIP4083

应用框图

80V

12V

AHI

BHI

HIP4083

CHI

CHO

AHO

BHO

MICRO-

调节器

（可选）

AHI

BHI

GND

12V

AHO

BHO

HIP4083

CHI

CHO

GND

功能框图

司机

水平

移

AHI

BHI

逻辑

CHI

DIS

水平

移

司机

水平

移

UVLO 13

欠压

探测器

AHO

AHS

司机

AHO

AHS

AHB

AHO

AHS

AHB

HIP4083

真值表

输入

AHI ， BHI ， CHI

注意：

X显西班牙文该输入可以是一个“1”或“0”。

DIS

产量

AHO ， BHO ， CHO

典型应用：三相桥式驱动器，具有可编程死区时间

芯片供应

绕行

1 AHI

可选

微处理器

输入

2 BHI

3 CHI

4 DIS

5 V

6 AHB

7 AHO

8 AHS

CHB 16

CHO 15

CHS 14

UVLO 13

BHB 11

BHO 10

BHS 9

OC SENSE

当前

SENSE

动力公交车

1 AHI

可选

微处理器

输入

2 BHI

3 CHI

4 DIS

5 V

6 AHB

7 AHO

8 AHS

CHB 16

CHO 15

CHS 14

UVLO 13

BHB 11

BHO 10

BHS 9

3-PHASE

负载

HIP4083

典型应用：高边开关

自举电容

80V

和二极管REQUIRED

刷新

12V

DIS

MICRO-

处理器

AHI

BHI

CHI

GND

HIP4083

AHO

BHO

CHO

光

引脚说明

针

数

符号

AHB

BHB

CHB

（ XHB ）

AHI

BHI

CHI

（ XHI ）

UVLO

描述

栅极驱动电源。一个外部自举二极管和一个电容器所需要的每一个。自举二极管

并且当HIP4083用来驱动在三相全桥的下闸电容器可以省略

应用程序。在这种情况下，将所有3 XHB销到V

领带的XHS销到下FET的源。在

全桥应用中，较低的FET必须先打开在启动时刷新自举电容。在

高侧开关应用中，负载将保持XHS低，刷新应在启动时自动发生。

逻辑电平输入。逻辑在这三个引脚控制三个输出驱动器， AHO ， BHO和CHO 。当XHI是

低， XhoⅠ位高。当XHI高， XhoI位低。 DIS （禁用）将覆盖所有的输入信号。 XHI可以通过驱动

0V的信号电平到15V （不大于Vout

芯片地面。

欠压设定。电阻可以连接该引脚和V之间

编程下的电压设定

点 - 见图7.该引脚未连接的低压设定值通常为7V 。当此引脚连接到

，欠压设定值通常为6.2V 。

禁止输入。逻辑电平输入，当采取高集中的所有三个输出低电平。 DIS高覆盖所有其他投入。

当DIS为低电平输出由其他输入控制。 DIS可以通过0V的信号电平来驱动

15V （不超过V更大

门连接。连接到功率MOSFET中的每个阶段的栅极。

DIS

AHO

BHO

CHO

（ XhoI位）

AHS

BHS

CHS

（ XHS ）

MOSFET的源极连接。连接功率MOSFET的源和自举的负侧

电容到这些引脚。在高侧开关的应用，目前的2毫安就会流出来的这些引脚到负载

当上部场效应晶体管截止。该电流是必要的，以保证在上的FET保持关闭。该电流

往往拉XHS高。为了正确刷新，负载必须拉电压XHS降到最少7V低于V

例如，当V

= 12V ， XHS必须被拉低到5V 。因此，最小负载所需的

适当的刷新，给出由下式：v

民

= 5V / 2毫安= 2.5kΩ 。所以在这种情况下，如果负载具有

阻抗小于5kΩ上，刷新会自动发生时启动。

正电源轨。绕过这个引脚到V

与电容器

>1F.

在应用中，母线电压和芯片

处于相同的电位，它是运行从供应到每个单独的线是个好主意。这大大

简化了滤波要求。

HIP4083

绝对最大额定值

= 25°C

电源电压，V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V至16V

逻辑I / O电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到V

+0.3V

电压XHS 。。。。。。。。。 -6V （瞬态）到85V （ -40 ° C至150 ° C）

电压XHB 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

XHS

-0.3V到V

XHS

电压XLO 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

-0.3V到V

+0.3V

电压XhoⅠ位。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

XHS

-0.3V到V

XHB

+0.3V

相压摆率。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 20V / ns的

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

（ ° C / W）

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

100

DIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。 300℃

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

电源电压，V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 7.0V至+ 15V

电压XHS 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至80V

电压XHB 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

XHS

工作环境温度范围。。。。。。。。。。 - 40 ° C至125°C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

2.所有电压都是相对于V

除非另有规定ED 。

3， X = A， B和C.例如， XHS指AHS ， BHS和CHS 。

电气规格

= V

XHB

= 12V, V

= V

XHS

= 0V ，栅极电容（C

门

） = 1000pF的，R

∞

= 25°C

= -40 ° C至

150°C

最大

民

最大

单位

参数

测试条件

民

典型值

电源电流和欠电压保护

静态电流

工作电流

XHB在静态电流

XHB关静态电流

XHB工作电流

瑞星欠压阈值

落欠压阈值

最小欠压阈值

输入引脚： AHI ， BHI ，太极和DIS

低电平输入电压

高电平输入电压

输入电压滞后

低电平输入电流

高电平输入电流

= 0V

= 5V

2.5

-145

-1

-100

1.0

-60

2.7

-150

-10

0.8

-50

+10

XHI = 5V

F = 20kHz的，占空比为50％

XHI = 0V

XHI = 5V

F = 20kHz的，占空比为50％

开放

= V

0.5

1.0

0.6

6.2

5.75

5.0

1.5

2.0

100

0.85

7.0

6.5

6.2

2.25

2.5

240

1.3

1.2

8.0

7.5

6.9

0.25

0.75

0.5

6.1

5.25

4.5

2.3

3.0

250

1.4

1.3

8.1

7.6

7.0

栅极驱动器输出引脚： AHO ， BHO ，和CHO

平均导通电流

平均关断电流

OUT

0V至5V

OUT

为4V

100

150

240

300

400

450

100

500

550