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HIP4083
1996年7月
80V , 300毫安
三相高压侧驱动器
描述
该HIP4083是三相高压侧N沟道MOSFET
驱动程序,具体来说针对PWM电机控制。两
HIP4083可一起用于3相全桥应用程序
阳离子(见应用框图) 。可选地,所述
低栅极可直接从缓冲微控制
处理器输出。
不同于HIP408x家族的其他成员,在HIP4083
没有内置的导通延时。每路输出( AHO , BHO ,并
CHO)将导通65ns后其输入被切换低。 Like-
明智的,每个输出关断为60ns的输入切换后
高。很短,很长的死区时间是可能的,当
2 HIP4083用于驱动全桥。此死区时间
通过对输入信号的定时控制。
的HIP4083不具有内置的电荷泵。 There-
脱颖而出,自举电容必须在近郊充电
通过启动一个短的刷新脉冲ODIC基础。在大多数的桥梁
应用程序,这将自动每次发生的
较低的FET的导通和上部的FET关断。然而,它
仍然是可以使用的HIP4083中应用
需要高侧FET的是对的长时间
时间。这可以通过发送一个短很容易地完成
刷新脉冲到该DIS销。
的HIP4083降低驱动电流相比
HIP4086使其成为理想的低到中等功率应用
系统蒸发散。该HIP4083针对应用优化的尺寸
和成本是非常重要的。对于高功率应用驱动
大功率场效应管,该HIP4086建议。
特点
独立驱动三个高侧N通道
在三相桥式CON组fi guration的MOSFET
自举电源最大电压为95VDC
偏置电源工作在7V至15V
驱动1000pF的负载与为35ns的典型上升时间
和下降为30ns的时间
CMOS / TTL兼容输入
可编程欠压保护
应用
无刷电机
高边开关
交流马达驱动器
开关磁阻电机驱动器
订购信息
产品型号
HIP4083AB
HIP4083AP
温度。
RANGE (
o
C)
-40至105
-40至105
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
PKG 。
M16.15
E16.3
引脚
HIP4083
PDIP , SOIC
顶视图
应用框图
80V
12V
AHI
AHO
BHO
HIP4083
CHI
CHO
16 CHB
15 CHO
14 CHS
13 UVLO
12 V
DD
11 BHB
10 BHO
9 BHS
MICRO-
调节器
(可选)
AHI
BHI
HIP4083
CHI
CHO
GND
12V
AHO
BHO
GND
BHI
AHI 1
BHI 2
CHI 3
DIS 4
V
SS
5
AHB 6
AHO 7
AHS 8
GND
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
4223
12
HIP4083
功能框图
6
司机
水平
AHI
1
UV
7
8
6
BHI
2
逻辑
CHI
DIS
3
4
水平
UV
EN
司机
水平
UVLO 13
V
DD
12
欠压
探测器
UV
UV
7
8
AHO
AHS
司机
7
8
6
AHO
AHS
AHB
AHO
AHS
AHB
AHB
真值表
输入
AHI , BHI , CHI
X
X
1
0
UV
1
X
0
0
DIS
X
1
0
0
产量
AHO , BHO , CHO
0
0
0
1
注:X显西班牙文该输入可以是一个“1”或“0”。
13
HIP4083
典型应用:三相桥式驱动器,具有可编程死区时间
芯片供应
C
绕行
1 AHI
可选
微处理器
输入
2 BHI
3 CHI
4 DIS
5 V
SS
6 AHB
7 AHO
C
BS
8 AHS
CHB 16
CHO 15
CHS 14
UVLO 13
V
DD
12
BHB 11
BHO 10
BHS 9
OC SENSE
R
当前
SENSE
动力公交车
C
BS
C
BS
1 AHI
可选
微处理器
输入
2 BHI
3 CHI
4 DIS
5 V
SS
6 AHB
7 AHO
8 AHS
CHB 16
CHO 15
CHS 14
UVLO 13
V
DD
12
BHB 11
BHO 10
BHS 9
3-PHASE
负载
典型应用:高边开关
自举电容
80V
和二极管REQUIRED
刷新
12V
DIS
MICRO-
处理器
AHI
BHI
CHI
GND
HIP4083
AHO
BHO
CHO
14
HIP4083
引脚说明
6
11
16
符号
AHB
BHB
CHB
( XHB )
描述
栅极驱动电源。一个外部自举二极管和一个电容器所需要的每一个。引导
当HIP4083用于驱动所述下门在三相全二极管和电容器可以省略
桥的应用。在这种情况下,将所有3 XHB销到V
DD
领带的XHS引脚的来源
较低的FET 。在全桥应用中,较低的场效应管,必须在网络首先打开在启动时刷新自举
带电容。在高侧开关应用中,负载将保持XHS低,刷新应该发生
自动启动时。
逻辑电平输入。逻辑在这三个引脚控制三个输出驱动器, AHO , BHO和CHO 。当
XHI低, XhoI位是高的。当XHI高, XhoI位低。 DIS (禁用)将覆盖所有的输入信号。 XHI可
由0V的信号电平驱动到15V (不超过V更大
DD
) 。如果这些引脚不被驱动时,内部100μA
电流源拉他们高。
芯片地面。
欠压设定。电阻可以连接该引脚和V之间
SS
编程电压下
设置点 - 见图7.该引脚未连接的低压设定值通常为7V 。当此
引脚连接到V
DD
,欠压设定值通常为6.2V 。
禁止输入。逻辑电平输入,当采取高集中的所有三个输出低电平。 DIS高覆盖所有其他
输入。当DIS为低电平输出由其他输入控制。 DIS可以通过信号来驱动
0V至15V (水平并不比V更大
DD
) 。内部100μA拉拥有DIS高时,该引脚不
驱动。
门连接。连接到功率MOSFET中的每个阶段的栅极。
1
2
3
AHI
BHI
CHI
( XHI )
V
SS
UVLO
5
13
4
DIS
7
10
15
AHO
BHO
CHO
( XhoI位)
AHS
BHS
CHS
( XHS )
8
9
14
MOSFET的源极连接。连接功率MOSFET的源极和所述负侧
自举电容这些引脚。在高侧开关的应用,目前的2毫安会溢流出来的这些
当上部的FET关断引脚到负载。该电流是必要的,以保证在上FET的
留过。该电流趋于拉XHS高。为了正确刷新,负载必须拉XHS的电压下降
至少7V低于V
DD
。例如,当V
DD
= 12V , XHS必须被拉低到5V 。因此,该
进行适当的刷新所需的最低负荷,给出由下式:v
= 5V / 2毫安= 2.5kΩ 。所以
在这种情况下,如果负载的阻抗小于5kΩ的少,刷新会自动发生在启动。
正电源轨。绕过这个引脚到V
SS
与电容器
>1F.
在应用中,母线电压和
芯片V
DD
处于相同的电位,它是运行从供应到每个单独的线是个好主意。这
大大简化网络上课的网络滤波要求。
12
V
DD
15
HIP4083
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
o
C至150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
电源电压,V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至16V
逻辑I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+0.3V
电压XHS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -6V (瞬态)到85V ( -40
o
C至150
o
C)
电压XHB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
XHS
-0.3V到V
XHS
+V
DD
电压XLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
-0.3V到V
DD
+0.3V
电压XhoⅠ位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
XHS
-0.3V到V
XHB
+0.3V
相压摆率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V / ns的
工作条件
电源电压,V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V至+ 15V
电压XHS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至80V
电压XHB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
XHS
+V
DD
工作环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至125
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.所有电压都是相对于V
SS
除非另有规定ED 。
3, X = A, B和C.例如, XHS指AHS , BHS和CHS 。
电气连接特定的阳离子
V
DD
= V
XHB
= 12V, V
SS
= V
XHS
= 0V ,栅极电容(C
) = 1000pF的,R
UV
=
T
J
= 25
o
C
T
J
= -40
o
C到
150
o
C
最大
最大
单位
参数
测试条件
典型值
电源电流和欠电压保护
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
XHB在静态电流
XHB关静态电流
XHB工作电流
V
DD
瑞星欠压阈值
V
DD
落欠压阈值
最小欠压阈值
输入引脚: AHI , BHI ,太极和DIS
低电平输入电压
高电平输入电压
输入电压滞后
低电平输入电流
高电平输入电流
V
IN
= 0V
V
IN
= 5V
-
2.5
-
-145
-1
-
-
35
-100
-
1.0
-
-
-60
+1
-
2.7
-
-150
-10
0.8
-
-
-50
+10
V
V
mV
A
A
XHI = 5V
F = 20kHz的,占空比为50%
XHI = 0V
XHI = 5V
F = 20kHz的,占空比为50%
R
UV
开放
R
UV
开放
R
UV
= V
DD
0.5
1.0
65
0.6
0.6
6.2
5.75
5.0
1.5
2.0
100
0.85
0.85
7.0
6.5
6.2
2.25
2.5
240
1.3
1.2
8.0
7.5
6.9
0.25
0.75
45
0.5
0.5
6.1
5.25
4.5
2.3
3.0
250
1.4
1.3
8.1
7.6
7.0
mA
mA
A
mA
mA
V
V
V
栅极驱动器输出引脚: AHO , BHO ,和CHO
平均导通电流
平均关断电流
V
OUT
0V至5V
V
OUT
V
DD
为4V
100
150
240
300
400
450
50
100
500
550
mA
mA
16
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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