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HIP2101
数据表
2004年10月21日
FN9025.8
100V / 2A峰值,低成本,高频率
半桥驱动器
该HIP2101是高频, 100V半桥
N沟道功率MOSFET驱动器IC。它相当于
HIP2100有充分的TTL / CMOS的附加优势
兼容逻辑输入引脚。低边和高边栅极
驱动器可以独立控制和匹配,以13ns 。
这使用户可以完全控制死区时间的具体
电源电路拓扑结构。两个欠压保护
低侧和高侧电源强制输出低。一
片上二极管消除了与所需的分立二极管
其他驱动器IC 。一种新的电平转换器拓扑结构产生的低
脉冲操作与直流安全电源的好处
操作。不像一些竞争对手,高侧输出
一个瞬间欠压后返回到其正确的状态
高侧供给。
特点
驱动N沟道MOSFET半桥
SOIC , EPSOIC , QFN和DFN封装选项
SOIC , EPSOIC和DFN封装符合100V
IPC -2221的导线间距准则
无铅产品可用
(符合RoHS )
自举电源最大电压为114VDC
片上1Ω自举二极管
快速传播时间的多MHz的电路
驱动1000pF的负载有上升和下降时间典型值。为10ns
TTL / CMOS输入阈值增加灵活性
对于非半桥拓扑独立输入
无启动问题
订购信息
产品型号
HIP2101IB
HIP2101IBZ (注1 )
HIP2101EIB
HIP2101EIBZ
(注1 )
HIP2101IR
HIP2101IRZ (注1 )
HIP2101IR4
HIP2101IR4Z
(注1 )
注意事项:
1.
Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成,
模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD-020C标准。
2.添加“T”后缀磁带和卷轴包装的选择。
温度。
范围(° C)
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
-40至125
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
输出不受电源故障, HS振铃下方
地面,或HS回转在高dv / dt
低功耗
宽电源电压范围
电源欠压保护
3Ω输出驱动器阻抗
QFN / DFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
8 Ld的SOIC (无铅) M8.15
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC
(无铅)
16 Ld的5×5 QFN
16 Ld的5×5 QFN
(无铅)
12 Ld的4×4 DFN
12 Ld的4×4 DFN
(无铅)
M8.15C
M8.15C
L16.5x5
L16.5x5
L12.4x4A
L12.4x4A
应用
电信半桥电源
航空电子设备的DC -DC转换器
双开关正激转换器
有源钳位正向转换器
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004.保留所有权利。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP2101
引脚配置
HIP2101 ( SOIC , EPSOIC )
顶视图
V
DD
HB
HO
HS
1
2
3
4
EPAD
8
7
6
5
LO
V
SS
LI
NC
HI
HB
HO
HS
HIP2101IR4 ( DFN )
顶视图
HIP2101 ( QFN )
顶视图
V
DD
NC
NC
13
12 NC
11 V
SS
10李
9
5
NC
6
HS
7
HI
8
NC
NC
LO
14
V
DD
NC
1
2
3
4
5
6
EPAD
12
LO
11
V
SS
10
NC
9
8
7
NC
LI
HI
NC 1
HB 2
16
15
EPAD
何3
NC 4
注: EPAD =裸焊盘。
应用框图
+12V
+100V
V
DD
HB
电路
HI
控制
DRIVE
HI
HO
HS
PWM
调节器
LI
DRIVE
LO
LO
HIP2101
V
SS
参考
隔离
2
FN9025.8
HIP2101
功能框图
HB
V
DD
电压
电平转换
司机
HS
HI
HO
电压
司机
LI
V
SS
LO
EPAD ( EPSOIC , QFN和DFN封装ONLY)
* EPAD =裸焊盘。该EPAD是所有其他引脚电隔离。为
最佳的热性能EPAD连接到PCB的电源地平面。
+48V
+12V
PWM
HIP
2101
电路
隔离
图1.双开关正激转换器
+48V
+12V
电路
PWM
HIP
2101
隔离
与有源钳位图2.正向转换器
3
FN9025.8
HIP2101
绝对最大额定值
电源电压,V
DD,
V
HB
-V
HS
(注3,4) 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至18V
李和HI电压(注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7.0V
在LO电压(注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+0.3V
在何电压(注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
HS
-0.3V到V
HB
+0.3V
在HS电压(连续) (注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1V至110V
上的HB电压(注4)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 118V
在V平均电流
DD
以HB二极管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级(千伏)
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC (注5)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
EPSOIC (注6)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
3.0
QFN (注6)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
37
6.5
DFN (注6)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
3.0
最大功耗为25
o
下在自由空气( SOIC ,注5 ) 。 。 。 。 1.3W
最大功耗为25
o
下在自由空气( EPSOIC ,注6 ) 。 。 3.1W
最大功耗为25
o
下在自由空气( QFN ,注6 ) 。 。 。 。 。 3.3W
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至150℃
引线温度(焊接10秒 - SOIC无铅仅提示) 。 。 300℃
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
最大推荐工作条件
电源电压,V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 9V至14.0VDC
电压HS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1V至100V
电压HS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (重复瞬态) -5V至105V
电压HB 。 。 V
HS
+ 8V至V
HS
+ 14.0V和V
DD
-1V到V
DD
+100V
HS压摆率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <50V / NS
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的推荐工作条件所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
3. HIP2101能够在电源电压超过14V降额运行。图16示出了用于此的高侧电压衰减曲线
操作模式。
4.所有电压参考V
SS
除非另有规定ED 。
5.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
6.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC ,
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ,在LO和HO空载,除非另有规定编
T
J
= 25°C
T
J
= -40 ° C至
125°C
最大
最大
单位
参数
电源电流
V
DD
静态电流
V
DD
工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到V
SS
目前,静态
HB到V
SS
目前,工作
输入引脚
低电平输入电压阈值
高电平输入电压阈值
输入下拉电阻
欠压保护
V
DD
阈值上升
V
DD
阈值迟滞
HB上升阈值
HB阈值迟滞
符号
测试条件
典型值
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
李= HI = 0V
F = 500kHz的
李= HI = 0V
F = 500kHz的
V
HS
= V
HB
= 114V
F = 500kHz的
-
-
-
-
-
-
0.3
1.7
0.1
1.5
0.05
0.7
0.45
3.0
0.15
2.5
1.5
-
-
-
-
-
-
-
0.6
3.4
0.2
3
10
-
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
IL
V
IH
R
I
0.8
-
-
1.65
1.65
200
-
2.2
-
0.8
-
100
-
2.2
500
V
V
k
V
DDR
V
DDH
V
HBR
V
HBH
7
-
6.5
-
7.3
0.5
6.9
0.4
7.8
-
7.5
-
6.5
-
6
-
8
-
8
-
V
V
V
V
4
FN9025.8
HIP2101
电气规格
V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ,在LO和HO空载,除非另有规定编
(续)
T
J
= 25°C
参数
自举二极管
低电流正向电压
大电流正向电压
动态电阻
LO栅极驱动器
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
何栅极驱动器
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
V
OLH
V
OHH
I
OHH
I
OLH
I
HO
= 100毫安
I
HO
= -100mA ,V
OHH
= V
HB
-V
HO
V
HO
= 0V
V
HO
= 12V
-
-
-
-
0.25
0.25
2
2
0.3
0.3
-
-
-
-
-
-
0.4
0.4
-
-
V
V
A
A
V
OLL
V
OHL
I
OHL
I
OLL
I
LO
= 100毫安
I
LO
= -100mA ,V
OHL
= V
DD
-V
LO
V
LO
= 0V
V
LO
= 12V
-
-
-
-
0.25
0.25
2
2
0.3
0.3
-
-
-
-
-
-
0.4
0.4
-
-
V
V
A
A
V
DL
V
DH
R
D
I
VDD -HB
= 100A
I
VDD -HB
= 100毫安
I
VDD -HB
= 100毫安
-
-
-
0.45
0.7
0.8
0.70
0.92
1
-
-
-
0.7
1
1.5
V
V
符号
测试条件
典型值
最大
T
J
= -40 ° C至
125°C
最大
单位
交换特定网络阳离子
V
DD
= V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ,在LO和HO空载,除非另有规定编
TEST
条件
T
J
= 25°C
-
-
-
-
-
-
C
L
= 1000pF的
C
L
= 0.1F
C
L
= IRFR120
C
L
= IRFR120
-
-
-
-
-
-
典型值
25
25
25
25
2
2
10
0.5
20
10
-
10
最大
43
43
43
43
13
13
-
0.6
-
-
-
-
T
J
= -40°C
至125℃
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
56
56
56
56
16
16
-
0.8
-
-
50
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
us
ns
ns
ns
ns
参数
低关断传播延迟(LI下降到LO下降)
上关断传播延迟( HI下降到HO下降)
低导通传播延迟(李瑞星LO瑞星)
上部导通传播延迟( HI瑞星何晟)
延迟匹配:低导通和上关断
延迟匹配:低导通和关上开启
无论是输出上升/下降时间
无论是输出上升/下降时间( 3V至9V )
无论是输出上升时间驱动DMOS
无论是输出下降时间驱动DMOS
最小输入脉冲宽度改变输出
自举二极管导通或关断时间
符号
t
LPHL
t
HPHL
t
LPLH
t
HPLH
t
MON
t
MOFF
t
RC ,
t
FC
t
R,
t
F
t
RD
t
FD
t
PW
t
BS
5
FN9025.8
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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