HIP1015 ， HIP1016
TM
数据表
2000年5月
网络文件编号
4778.1
配电控制器
该HIP1015和HIP1016是热插拔电源控制器。
该HIP1015是针对一个+ 12V总线，而
HIP1016是针对+ 5V应用。每个人都有一个
欠压（UV）监测和与阈值的报告
级比标称的+ 12V和+ 5V的低17 ％ 。
该HIP1015有一个集成的电荷泵，允许
最多一个的+ 12V总线使用外部N信道的控制
MOSFET。的HIP1016也可用于控制多
在低侧控制器更高的正或负的电压
CON组fi guration 。无论是HIP1015和HIP1016功能
可编程的过流（ OC ）检测，电流限制
监管与时间延迟闭锁和软启动。
特点
热插拔单配电控制（ HIP1015
为12V ， HIP1016为5V和低边开关）
欠压监测和NotI网络阳离子
过电流故障隔离
可编程电流调节水平
可编程电流限制时间锁断
轨至轨共模输入电压范围
(HIP1015)
内部电荷泵允许使用N沟道
MOSFET （ HIP1015 ）
欠压和过流锁存指标
可调节导通斜坡
保护过程中开启
两级过电流检测提供快速
应对不同故障条件
超过1μs的响应时间不来完全短路
订购信息
产品型号
HIP1015CB
HIP1015CB-T
HIP1016CB
HIP1016CB-T
温度。
RANGE （
o
C)
0到85
0到85
0到85
0到85
包
8引脚SOIC
8引脚SOIC
磁带和卷轴
8引脚SOIC
8引脚SOIC
磁带和卷轴
PKG 。
号
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
应用
配电控制
热插拔组件和电路
高侧低电压（ < + 15V ）开关
低侧高电压（ > + 15V ，负V）开关
引脚
HIP1015 ， HIP1016 （ SOIC ）
顶视图
ISET
艾辛河
门
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
PWRON
PGOOD
CTIM
VDD
应用一 - 高端控制器
+
负载
-
应用二 - 低边控制器
+ Vbus用
负载
1
2
3
4
HIP1015
8
PWRON
7
6
OC
5
5
HIP1016
PWRON
6
7
8
PGOOD
4
3
2
1
12V REG
+12V
OC
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权
Intersil公司2000
HIP1015 ， HIP1016
简化的框图
V
DD
+
-
+
I
SET
8V
POR
QN
Q
R
R
S
PWRON
-
-
+
+
UV
V
REF
启用
-
I
SEN
12V
PGOOD
10A
CLIM
OC
+
-
7.5k
+
CTIM
+
1.86V
20A
升起
EDGE
脉冲
门
10A
落下
EDGE
延迟
18V
启用
+
WOCLIM
-
-
-
V
SS
18V
V
DD
引脚说明
针＃
1
符号
ISET
功能
当前设置
描述
通过限流设定电阻连接到电流检测电阻的低边。
此引脚用作电流限制编程引脚。
连接到检测电阻的更积极的末来测量过这个电压降
电阻器
连接到外部的N沟道MOSFET的栅极。从这个节点的电容到地
设置开启舷梯。在开启该电容将被充电到V
DD
的+ 5V （ HIP1015 ），并
V
DD
（ HIP1016 ）由10μA电流源。
2
艾辛河
电流检测
3
门
外部FET栅极驱动
针
4
5
VSS
V
DD
CTIM
芯片返回
芯片供应
12V芯片供应。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的切换
负载电压或到一个专用的V
SS
+ 12V电源。
此引脚与地之间连接一个电容。此电容器确定的时间延迟
之间的过流和芯片输出关断（电流限制超时） 。持续时间
限流超时（秒） = 93kΩ乘C
TIM
（法拉） 。
表示ISEN引脚上的电压在规定范围内。 PGOOD是一个开放的驱动
漏N沟道MOSFET和被拉低时，输出不在规定范围内。
PWRON用于控制和芯片复位。当PWRON引脚被驱动的芯片使能
高或者是开放的。后一个电流限制超时，该芯片是通过施加一个低电平信号复位
该引脚。该输入具有20μA上拉功能
6
限流时间
电容
7
PGOOD
电源良好指示器
8
PWRON
电源
2
HIP1015 ， HIP1016
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
98
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 16V
门。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+8V
ISEN ， PGOOD ， PWRON ， CTIM ， ISET 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .5kV
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V +/- 15 ％
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。 （参见技术简介， ＃ TB379.1了解详细信息。 ）
2.所有电压都是相对于GND时，除非另有规定。
电气连接特定的阳离子
参数
ISET电流源
限流放大器的失调电压
V
DD
= 12V ，T
A
= T
J
= 0
o
C至85
o
C，除非另有规定编
符号
I
ISET
V
ISET
- V
艾辛河
C
TIM
± Vth的
pd_woc_amp
pd_oc_amp
I
门
OC_GATE_I_4V
WOC_GATE_I_4V
12V
UV_VTH
12V
UV_VTH_dis
12VG
5V
UV_VTH
5V
UV_VTH_dis
5VG
I
VDD
V
DD_POR_L2H
V
DD_POR_H2L
V
DD_POR_HYS
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
C
TIM
_ichg0
V
CTIM
= 0V
VDD低到高
VDD高至低
V
DD_POR_L2H -
V
DD_POR_H2L
PWRON管脚打开
栅极电压
栅极电压
CTIM电压
V
门
到10.8V
V
门
到10.8V
V
门
到= 6V
过电流
严重过流
8.4
45
0.5
9.2
测试条件
民
18.5
-6
1.3
-
典型值
20
0
1.8
100
600
10
75
0.8
9.6
1.5
10
11.6
最大单位
21.5
6
2.3
-
A
mV
V
ns
ns
A
mA
A
V
V
-
4.5
V
V
V
-
5
9
8.7
0.6
-
2.0
250
25
23
23
88
170
V
mA
V
V
V
V
V
mV
A
A
mA
A
A
电流限制超时阈值电压
门的响应时间严重
过电流
GATE响应时间过流
栅极导通电流
GATE下拉电流
GATE下拉电流
HIP1015欠压阈值
HIP1015欠压残疾人
HIP1015栅极高电压
HIP1016欠压阈值
HIP1016欠压残疾人
HIP1016栅极高电压
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
V
DD
POR阈值迟滞
PWRON上拉电压
PWRON上升阈值
PWRON滞后
PWRON上拉电流
C
TIM
充电电流
C
TIM
FAULT上拉电流
HIP1015 ISEN电流
HIP1016 ISEN电流
V
DD
+1.9V V
DD
+2.5V
V
DD
+4.5V
4.0
V
DD
-3V
V
DD
-1.5V
-
7.8
7.5
0.1
2.7
1.4
130
9
16
16
V
DD
+5V
4.35
V
DD
-2.5V
V
DD
3
8.4
8.1
0.3
3.2
1.7
170
17
20
20
72
145
ISEN_5V_I
ISEN_5V_I
41
100
3
HIP1015 ， HIP1016
HIP1015 ， HIP1016说明和操作
该HIP1015和HIP1016是单电源供电
分布控制器通用热插拔应用。该
HIP1015是针对+ 12V开关应用
而HIP1016是针对+ 5V的应用，
每个具有一个欠压（UV）阈值电平低17 ％
比标称的+ 12V和+ 5V分别。
该HIP1015和HIP1016功能还包括一个高度
准确的可编程的过流（ OC ）检测
比较器，可编程电流限制与监管
可编程时间延迟闭锁和可编程软
开始接通匝道都设置了最少的外部无源
组件。该HIP1015和HIP1016还包括严重
过流保护立即关闭
MOSFET开关应当在负载电流引起的OC
电压阈值超过设定的OC水平
为150mV 。此外，该HIP1015和HIP1016有UV
指示灯和一个OC锁存指标。
在初始上电时， HIP1015和HIP1016既可以
通过保持外部隔离电压源与负载
N沟道MOSFET关断或应用电源轨电压
直接给负载为真正的热插拔功能。在这两种情况下的
HIP1015和HIP1016开启了软启动保护模式
电源干线从突然的冲击电流。该PWRON引脚
必须拉低该设备以隔离电源
从负载通过保持外部N沟道MOSFET关断，
否则与PWRON引脚保持为高电平或浮
HIP1015和HIP1016将是真正的热插拔模式。
在导通时，外部N沟道栅极电容
MOSFET被指控10μA电流源产生
作为可编程斜坡（软启动导通） 。内部
HIP1015电荷泵提供了12V的栅极驱动
电源开关驱动的门到V
DD
+ 5V 。该HIP1016
栅极驱动器被限制在芯片的偏置电压。
负载电流通过外部电流检测
电阻器。当检测电阻两端的电压
超过用户编程的过载电流的电压
阈值（见表1的R
ISET
程序设计
电阻值与标称造成过流阈值
电压，V
OC
）控制器进入电流调节。在这
时间，超时电容，基于C
TIM
脚开始充电
一20mA的电流源和控制器进入当前
限制时间锁存关断时间。的限流长
时间来锁存关断期间由单个外部电容器设置
（见表2 CTIM电容值，并导致名义
当前有限时间来闩锁关断周期。 ）放置在离
CTIM引脚（引脚6 ）接地。编程电流水平
持有，直到业主立案法团事件传递或超时时段
过期。如果是前者的情况下，则N沟道
MOSFET完全而C
TIM
电容
出院。一旦CTIM充电至1.87V ，这表明了
超时时间已过期的内部锁存器设置，从而
FET栅极被迅速拉至0V关闭N-
沟道MOSFET开关，隔离故障负载。
表1中。
R
ISET
电阻器
10k
4.99k
2.5k
750
注：标称Vth的= R
ISET
X 20μA 。
表2中。
C
TIM
电容
0.022F
0.047F
0.1F
标称电流限制期
2ms
4.4ms
9.3ms
标称OC VTH
200mV
100mV
50mV
15mV
注：标称超时时间（秒） = C
TIM
X 93kΩ 。
的HIP1015和HIP1016响应一个严重的过电流
负载（德网络定义为检测电阻两端>150mV电压
在OC Vth的设定点） ，立即，驱动N-
沟道MOSFET的栅极至0V，在不到1μs的时间。门
然后电压缓慢上升接通N沟道
MOSFET的编程电流限制水平，这是
开始的超时时段。
在紫外条件下PGOOD信号拉低时
通过一个电阻到逻辑电源接高电平。该引脚为
UV故障指示器。对于OC闭锁指示，监控
CTIM脚6 ，该引脚将迅速从1.9V上升到12V一次
超时期满。
该HIP1015和HIP1016后OC闭锁复位
由上所述的PWRON销和低电平状态被接通
由PWRON销被驱动为高电平。
应用注意事项
在
超时延迟时间
与HIP1015和
HIP1016在电流限制模式下， V
GS
外部的N-
沟道MOSFET是降低驱动N沟道
MOSFET开关到高R
DS （ ON）
状态。因此避免
延长超时周期，外部N沟道
的MOSFET可能被损坏或由于过度毁坏
内部功耗。参照MOSFET
制造商的数据手册SOA的信息。
与高水平的浪涌电流如的，高电容
负载和电机的启动电流，
选择当前
限幅电平
是至关重要的，以提供保护，并仍
允许这种浪涌电流而不闭锁断。考虑这
除了超时延迟时，选择的MOSFET
为您的设计。
4
HIP1015 ， HIP1016
的R物理布局
SENSE
电阻器
是关键的，以避免
可能性虚假过流事件。理想的情况下跟踪
在R的路由
SENSE
电阻和HIP1015和
HIP1016是直接的，尽可能短的零电流
在感测线。 （参见图1 ）
偏置HIP1016
表3给出了用于偏置的典型元件值
HIP1016在48V的应用。的公式和计算
被导出这些值，也如下所示。
表3.典型值给一个-48V热插拔
应用
正确
不正确
符号
R
CL
DD1
1.58kΩ ， 1W
参数
12V齐纳二极管为50mA反向电流
TO ISEN和
R
ISET
当前
检测电阻器
当使用HIP1016控制-48V ，齐纳二极管可
可用于提供所述的+ 12V偏压到芯片上。如果是齐纳
用于再一个限流电阻也应使用。
选择时，几个项目必须考虑到
为限流电阻值（R
CL
）和齐纳二极管
(DD1):
在V的变化
公共汽车
（在这种情况下， -48V ）
图1.检测电阻PCB LAYOUT
该芯片的电源电流需要的所有功能条件
R的额定功率
CL
.
DD1的额定电流
使用HIP1016为-48V低端热卖
更换电源控制器
供应所需的V
DD
，有必要维持
芯片供应12V以上的-48V总线。这可能是
完成与电压之间的+ 12V电源稳压
铁路和5脚（ VDD ） 。通过使用一个调节器，设计者可以
忽略总线电压的变化。然而，低成本的
替代方案是使用一个齐纳二极管（参见图2为典型的
5A负载控制）这个选项下面详述。
请注意，在这种配置的PGOOD功能（引脚7）
不可操作。
HUF7554S3S
公式
1.选型
CL
:
R
CL
= (V
BUS ， MIN
- 12)/I
芯片
2.额定功率的R
CL
:
P
RCL
= I
C
(V
BUS ， MAX
- 12)
3. DD1额定电流：
I
DD1
= (V
BUS ， MAX
- 12)/R
CL
例如：
一个典型的-48V电源可能会有所不同，从-36至-72V 。因此，
V
BUS ， MAX
= -72V
V
BUS ， MIN
= -36V
I
芯片
= 15毫安（最大值）
负载
0.001F
0.005
1%
1.47k
1%
2k
R
CL
1.58k
1W
0.01F
大小
CL
:
R
CL
= (V
BUS ， MIN
- 12)/I
C
R
CL
= (36 - 12)/0.015
R
CL
= 1.6kΩ [典型值= 1.58kΩ ]
的R额定功率
CL
:
P
RCL
= I
C
(V
BUS ， MAX
- 12)
P
RCL
= (0.015)(72 - 12)
P
RCL
= 0.9W [典型值= 1W ]
DD1额定电流：
I
DD1
= (
VBUS ， MAX
- 12)/R
CL
I
DD1
= (72 - 12)/1.58k
I
DD1
= 38毫安[典型值= 12V额定值为50mA反向
电流]
4
5
HIP1016
3
6
NC
DD1
12V
0.047F
2
7
PWRON
1
8
V
公共汽车
-48V
图2中。
5
HIP1015 ， HIP1016
数据表
2003年3月
FN4778.5
配电控制器
该HIP1015和HIP1016是热插拔电源控制器。
该HIP1015是针对一个+ 12V总线，而
HIP1016是针对+ 5V应用。每个人都有一个
欠压（UV）监测和与阈值的报告
级比标称的+ 12V和+ 5V的低17 ％ 。
该HIP1015有一个集成的电荷泵，允许
最多一个的+ 12V总线使用外部N信道的控制
MOSFET。的HIP1016也可用于控制多
在低侧控制器更高的正或负的电压
CON组fi guration 。无论是HIP1015和HIP1016功能
可编程的过流（ OC ）检测，电流限制
监管与时间延迟闭锁和软启动。
特点
热插拔单配电控制（ HIP1015
为12V ， HIP1016为5V和低边开关）
欠压监视和通知
过电流故障隔离
可编程电流调节水平
可编程电流限制时间锁断
轨至轨共模输入电压范围
(HIP1015)
内部电荷泵允许使用N沟道
MOSFET （ HIP1015 ）
欠压和过流锁存指标
可调节导通斜坡
保护过程中开启
两级过电流检测提供快速
应对不同故障条件
超过1μs的响应时间不来完全短路
订购信息
产品型号
HIP1015CB
HIP1015CB-T
HIP1016CB
HIP1016CB-T
温度。
RANGE （
o
C)
0到85
0到85
0到85
0到85
包
8引脚SOIC
8引脚SOIC
磁带和卷轴
8引脚SOIC
8引脚SOIC
磁带和卷轴
PKG 。
号
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
应用
配电控制
热插拔组件和电路
高侧低电压（ < + 15V ）开关
低侧高电压（ > + 15V ，负V）开关
引脚
HIP1015 ， HIP1016 （ SOIC ）
顶视图
ISET
艾辛河
门
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
PWRON
PGOOD
CTIM
VDD
应用一 - 高端控制器
+
负载
-
应用二 - 低边控制器
+ Vbus用
负载
1
2
3
4
HIP1015
HIP1016
8
PWRON
7
6
OC
5
HIP1016
PWRON
5
6
7
8
PGOOD
4
3
2
1
12V REG
+12V
OC
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP1015,HIP1016
简化的框图
V
DD
+
-
+
I
SET
8V
POR
QN
Q
R
R
S
PWRON
-
-
+
+
UV
V
REF
启用
-
I
SEN
12V
PGOOD
10A
CLIM
OC
+
-
7.5k
+
CTIM
+
1.86V
20A
升起
EDGE
脉冲
门
10A
落下
EDGE
延迟
18V
启用
+
WOCLIM
-
-
-
V
SS
18V
V
DD
引脚说明
针＃
1
符号
ISET
功能
当前设置
描述
通过限流设定电阻连接到电流检测电阻的低边。
此引脚用作电流限制编程引脚。
连接到检测电阻的更积极的末来测量过这个电压降
电阻器
连接到外部的N沟道MOSFET的栅极。从这个节点的电容到地
设置开启舷梯。在开启该电容将被充电到V
DD
的+ 5V （ HIP1015 ），并
V
DD
（ HIP1016 ）由10μA电流源。
2
艾辛河
电流检测
3
门
外部FET栅极驱动
针
4
5
VSS
V
DD
CTIM
芯片返回
芯片供应
12V芯片供应。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的切换
负载电压或到一个专用的V
SS
+ 12V电源。
此引脚与地之间连接一个电容。此电容器确定的时间延迟
之间的过流和芯片输出关断（电流限制超时） 。持续时间
限流超时（秒） = 93kΩ乘C
TIM
（法拉） 。
表示ISEN引脚上的电压在规定范围内。 PGOOD是一个开放的驱动
漏N沟道MOSFET和被拉低时，输出不在规定范围内。
PWRON用于控制和芯片复位。当PWRON引脚被驱动的芯片使能
高或者是开放的。后一个电流限制超时，该芯片是通过施加一个低电平信号复位
该引脚。该输入具有20μA上拉功能
6
限流时间
电容
7
PGOOD
电源良好指示器
8
PWRON
电源
2
HIP1015,HIP1016
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 16V
门。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+8V
ISEN ， PGOOD ， PWRON ， CTIM ， ISET 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .5kV
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
98
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V +/- 15 ％
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。 （参见技术简介， ＃ TB379.1的
详细信息。 ）
2.所有电压都是相对于GND时，除非另有规定。
电气规格
参数
ISET电流源
限流放大器的失调电压
V
DD
= 12V ，T
A
= T
J
= 0
o
C至85
o
C，除非另有规定编
符号
I
ISET
V
ISET
- V
艾辛河
C
TIM
± Vth的
pd_woc_amp
pd_oc_amp
I
门
OC_GATE_I_4V
WOC_GATE_I_4V
12V
UV_VTH
12V
UV_VTH_dis
12VG
5V
UV_VTH
5V
UV_VTH_dis
5VG
I
VDD
V
DD_POR_L2H
V
DD_POR_H2L
V
DD_POR_HYS
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
C
TIM
_ichg0
V
CTIM
= 0V
VDD低到高
VDD高至低
V
DD_POR_L2H -
V
DD_POR_H2L
PWRON管脚打开
栅极电压
栅极电压
CTIM电压
V
门
到10.8V
V
门
到10.8V
V
门
到= 6V
过电流
严重过流
8.4
45
0.5
9.2
测试条件
民
18.5
-6
1.3
-
典型值
20
0
1.8
100
600
10
75
0.8
9.6
1.5
10
11.6
最大单位
21.5
6
2.3
-
A
mV
V
ns
ns
A
mA
A
V
V
-
4.5
V
V
V
-
5
9
8.7
0.6
-
2.0
250
25
23
23
88
170
V
mA
V
V
V
V
V
mV
A
A
mA
A
A
电流限制超时阈值电压
门的响应时间严重
过电流
GATE响应时间过流
栅极导通电流
GATE下拉电流
GATE下拉电流
HIP1015欠压阈值
HIP1015欠压残疾人
HIP1015栅极高电压
HIP1016欠压阈值
HIP1016欠压残疾人
HIP1016栅极高电压
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
V
DD
POR阈值迟滞
PWRON上拉电压
PWRON上升阈值
PWRON滞后
PWRON上拉电流
C
TIM
充电电流
C
TIM
FAULT上拉电流
HIP1015 ISEN电流
HIP1016 ISEN电流
V
DD
+1.9V V
DD
+2.5V
V
DD
+4.5V
4.0
V
DD
-3V
V
DD
-1.5V
-
7.8
7.5
0.1
2.7
1.4
130
9
16
16
V
DD
+5V
4.35
V
DD
-2.5V
V
DD
3
8.4
8.1
0.3
3.2
1.7
170
17
20
20
72
145
ISEN_5V_I
ISEN_5V_I
41
100
3
HIP1015,HIP1016
HIP1015 ， HIP1016说明和操作
该HIP1015和HIP1016是单电源供电
分布控制器通用热插拔应用。该
HIP1015是针对+ 12V开关应用
而HIP1016是针对+ 5V的应用，
每个具有一个欠压（UV）阈值电平低17 ％
比标称的+ 12V和+ 5V分别。
该HIP1015和HIP1016功能还包括一个高度
准确的可编程的过流（ OC ）检测
比较器，可编程电流限制与监管
可编程时间延迟闭锁和可编程软
开始接通匝道都设置了最少的外部无源
组件。该HIP1015和HIP1016还包括严重
过流保护立即关闭
MOSFET开关应当在负载电流引起的OC
电压阈值超过设定的OC水平
为150mV 。此外，该HIP1015和HIP1016有UV
指示灯和一个OC锁存指标。
在初始上电时， HIP1015和HIP1016既可以
通过保持外部隔离电压源与负载
N沟道MOSFET关断或应用电源轨电压
直接给负载为真正的热插拔功能。在任一情况下
该HIP1015和HIP1016开启了软启动模式
保护从突然的冲击电流的供电线。该
PWRON管脚必须拉低设备隔离
从负载握住外部N沟道电源
MOSFET关断，否则与PWRON引脚保持为高电平或
浮动HIP1015和HIP1016将在真正的热插拔
模式。
在导通时，外部N沟道栅极电容
MOSFET被指控10μA电流源产生
作为可编程斜坡（软启动导通） 。内部
HIP1015电荷泵提供了12V的栅极驱动
电源开关驱动的门到V
DD
+ 5V 。该HIP1016
栅极驱动器被限制在芯片的偏置电压。
负载电流通过外部电流检测
电阻器。当检测电阻两端的电压
超过用户编程的过载电流的电压
阈值（见表1的R
ISET
程序设计
电阻值与标称造成过流阈值
电压，V
OC
）控制器进入电流调节。在这
时间，超时电容，基于C
TIM
脚开始充电
一20mA的电流源和控制器进入当前
限制时间锁存关断时间。的限流长
时间来锁存关断期间由单个外部电容器设置
（见表2 CTIM电容值，并导致名义
当前有限时间来闩锁关断周期。 ）放置在离
CTIM引脚（引脚6 ）接地。编程电流水平
持有，直到业主立案法团事件传递或超时时段
过期。如果是前者的情况下，则N沟道
MOSFET完全而C
TIM
电容
出院。一旦CTIM充电至1.87V ，这表明了
超时时间已过期的内部锁存器设置，从而
FET栅极被迅速拉至0V关闭N-
沟道MOSFET开关，隔离故障负载。
表1中。
R
ISET
电阻器
10k
4.99k
2.5k
750
注：标称Vth的= R
ISET
X 20μA 。
表2中。
C
TIM
电容
0.022F
0.047F
0.1F
标称电流限制期
2ms
4.4ms
9.3ms
标称OC VTH
200mV
100mV
50mV
15mV
注：标称超时时间（秒） = C
TIM
X 93kΩ 。
的HIP1015和HIP1016响应一个严重的过电流
负载（德网络定义为检测电阻两端>150mV电压
在OC Vth的设定点） ，立即，驱动N-
沟道MOSFET的栅极至0V，在不到1μs的时间。门
然后电压缓慢上升接通N沟道
MOSFET的编程电流限制水平，这是
开始的超时时段。
在紫外条件下PGOOD信号拉低时
通过一个电阻到逻辑电源接高电平。该引脚为
UV故障指示器。对于OC闭锁指示，监控
CTIM脚6 ，该引脚将迅速从1.9V上升到12V一次
超时期满。
该HIP1015和HIP1016后OC闭锁复位
由上所述的PWRON销和低电平状态被接通
由PWRON销被驱动为高电平。
应用注意事项
在
超时延迟时间
与HIP1015和
HIP1016在电流限制模式下， V
GS
外部的N-
沟道MOSFET是降低驱动N沟道
MOSFET开关到高R
DS （ ON）
状态。因此避免
延长超时周期，外部N沟道
的MOSFET可能被损坏或由于过度毁坏
内部功耗。参照MOSFET
制造商的数据手册SOA的信息。
与高水平的浪涌电流如的，高电容
负载和电机的启动电流，
选择当前
限幅电平
是至关重要的，以提供保护，并仍
允许这种浪涌电流而不闭锁断。考虑这
除了超时延迟时，选择的MOSFET
为您的设计。
4
HIP1015,HIP1016
的R物理布局
SENSE
电阻器
是关键的，以避免
可能性虚假过流事件。理想的情况下跟踪
在R的路由
SENSE
电阻和HIP1015和
HIP1016是直接的，尽可能短的零电流
在感测线。 （参见图1 ）
偏置HIP1016
表3给出了用于偏置的典型元件值
HIP1016在48V的应用。的公式和计算
被导出这些值，也如下所示。
表3.典型值给一个-48V热插拔
应用
正确
不正确
符号
R
CL
DD1
1.58kΩ ， 1W
参数
12V齐纳二极管为50mA反向电流
TO ISEN和
R
ISET
当前
检测电阻器
当使用HIP1016控制-48V ，齐纳二极管可
可用于提供所述的+ 12V偏压到芯片上。如果是齐纳
用于再一个限流电阻也应使用。
选择时，几个项目必须考虑到
为限流电阻值（R
CL
）和齐纳二极管
(DD1):
在V的变化
公共汽车
（在这种情况下， -48V ）
图1.检测电阻PCB LAYOUT
该芯片的电源电流需要的所有功能条件
R的额定功率
CL
.
DD1的额定电流
使用HIP1016为-48V低端热卖
更换电源控制器
供应所需的V
DD
，有必要维持
芯片供应12V以上的-48V总线。这可能是
完成与电压之间的+ 12V电源稳压
铁路和5脚（ VDD ） 。通过使用一个调节器，设计者可以
忽略总线电压的变化。然而，低成本的
替代方案是使用一个齐纳二极管（参见图2为典型的
5A负载控制）这个选项下面详述。
注意，在这种配置中，PGOOD特征（引脚7）是
不可操作。
HUF7554S3S
负载
公式
1.选型
CL
:
R
CL
= (V
BUS ， MIN
- 12)/I
芯片
2.额定功率的R
CL
:
P
RCL
= I
C
(V
BUS ， MAX
- 12)
3. DD1额定电流：
I
DD1
= (V
BUS ， MAX
- 12)/R
CL
例如：
一个典型的-48V电源可能会有所不同，从-36至-72V 。因此，
V
BUS ， MAX
= -72V
V
BUS ， MIN
= -36V
I
芯片
= 15毫安（最大值）
大小
CL
:
R
CL
= (V
BUS ， MIN
- 12)/I
C
R
CL
= (36 - 12)/0.015
R
CL
= 1.6kΩ [典型值= 1.58kΩ ]
的R额定功率
CL
:
P
RCL
= I
C
(V
BUS ， MAX
- 12)
P
RCL
= (0.015)(72 - 12)
P
RCL
= 0.9W [典型值= 1W ]
DD1额定电流：
I
DD1
= (
VBUS ， MAX
- 12)/R
CL
I
DD1
= (72 - 12)/1.58k
I
DD1
= 38毫安[典型值= 12V额定值为50mA反向
电流]
0.005
1%
1.47k
1%
0.001F
2k
R
CL
1.58k
1W
0.01F
4
5
HIP1016
3
6
NC
2
7
1
8
DD1
12V
0.047F
PWRON
V
公共汽车
-
48V
图2中。
5
QQ：2880707522 复制
