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HIP1013
数据表
2004年8月
FN4516.3
低成本双电源分配
调节器
该HIP1013是一款低成本热插拔的双电源供电
分配控制器。两个外部N沟道MOSFET
驱动同时提供负载故障隔离配电。在
导通时,每个外部N沟道MOSFET的栅极是
被控10μA电流源。在每个栅极电容
(见典型应用图) ,创建一个可编程
斜坡(软启动)来控制浪涌电流。内置负责
泵提供的12V电源N沟道栅极驱动
MOSFET开关。
过流保护是通过两个外部电流便利
检测电阻。当电流通过任一电阻
超过用户设定值的N沟道MOSFET
由HIP1013锁断。该控制器是由一个复位
无论是上升PWRON引脚上的优势。
选择电压选择模式的HIP1013控制器
无论是+ 12V / 5V或+ 3.3V / + 5V电源。
虽然引脚与HIP1012设备兼容,该HIP1013
业主立案法团活动期间不提供电流调节。
特点
为+ 5V的热插拔双电源分配和控制
+ 12V和+ 5V和+ 3.3V
提供故障隔离
电荷泵允许N沟道MOSFET的使用
冗余电源上的控件
电源良好和过电流闭锁指示器
可调节导通斜坡
??保护在接通期间
无铅可用
应用
配电控制
热插拔组件
典型应用图
C
R
SENSE
R
负载
HIP1013
12V
3/12VISEN
R
ILIM
GND
C
5V
订购信息
部分
HIP1013CB
HIP1013CBZA (注)
温度。
范围(° C)
-0 70
-0 70
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M14.15
M14.15
V
DD
3/12VS
C
3/12VG
V
DD
电源
输入
R
ILIM
M/PON1
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类,可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
*带&盘式包装以“ -T ”后缀..
NC
PWRON2
PGOOD
5VG
5VS
5ISEN
5V
C
R
SENSE
R
负载
引脚
HIP1013 ( SOIC )
顶视图
3/12VS
3/12VG
1
2
14 3 / 12VISEN
13 R
ILIM
12 GND
11 C
10 NC
9 PGOOD
8 5VISEN
V
DD
3
MODE / 4
PWRON1
PWRON2 5
5VG 6
5VS 7
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil公司美洲的商标。
版权所有Intersil公司美洲1998,1999 , 2004.保留所有权利
热插拔为核心的国际, Inc.的商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
R
SENSE
加载
12VIN
工作原理图
12VS
12V
100A
OC
12VG
10A
18V
18V
POR
GND
启用
QPUMP
V
DD
+
12ISEN
2
-
R
ILIM
R
ILIM
QN
R
Q
S
升起
EDGE
RESET
C
V
DD
模式/
PWRON1
HIP1013
C
到V
DD
C
PWRON2
12V
12V
10A
5VG
+
PGOOD
NC
C
PGOOD
-
OC
5VS
HIP1013
5ISEN
R
SENSE
加载
5VIN
HIP1013
引脚说明
PIN号
1
符号
12VS
功能
12V电源
描述
连接到相关的外部N沟道MOSFET的源切换到检测输出
电压。
连接到相关的N沟道MOSFET开关的栅极。从这个电容器
节点到地设置导通坡道。在开启这个电容将被充电到
17.4V
由10μA电流源在操作时的5V / 12V模式,否则电容器会
11.4V.
连接到12V电源。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨
负载电压或到一个专用的V
DD
+ 12V电源。
PWRON1和PWRON2被用来接通和芯片复位。两路输出导通
当任一引脚被拉低。后的过电流限流故障时,该芯片是通过上升重置
复位信号的边缘施加任何的PWRON管脚。每个输入已100μA拉
能力是与3V和5V漏极开路输出和标准逻辑兼容。 PWRON1
也被用于调用优先于+ 12V电源控制3.3V的控制操作。通过捆绑销
4到引脚3电荷泵被禁止, UV阈值也转移到
2.8V.
连接到外部的5V N沟道MOSFET的栅极。从这个节点电容
到地设置导通坡道。在开启这个电容将被充电到
11.4V由
10μA电流源。
连接到5V的外部N沟道MOSFET的源极侧开关来感测输出
电压。
连接到5V的感测电阻器的负载侧,以测量通过此电压降
5VS和5VISEN引脚之间的电阻。
PGOOD是由一个开漏N沟道MOSFET驱动。它被拉低时,无论是
输出电压不符合规格或和OC条件存在。
无连接。
C
GND
R
ILIM
电荷泵电容
芯片地
限流电阻设置
连接在此引脚与地之间的电阻决定了目前的水平,在这
电流限制被激活。这个电流是由R的比率来确定
ILIM
电阻
检流电阻(R
SENSE
) 。在限流发病的电流等于
10μA X (R
ILIM
/ R
SENSE
).
连接到感测电阻器的负载侧,以测量通过此电压降
电阻器。
连接该引脚和V之间的0.1μF电容
DD
(引脚3 ) 。
2
12VG
12V的栅极
3
V
DD
芯片供应
4
模式/
PWRON1
电源ON /复位调用
工作电压为3.3V时,
短到V
DD
, 3脚。
电源/复位
5
PWRON2
6
5VG
5V门
7
5VS
5V电源
8
5VISEN
5V电流检测
9
PGOOD
电源良好指示器
10
11
12
13
14
12VISEN
12V电流检测
3
HIP1013
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 17V
3 / 12VG ,C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至25V
3 / 12VISEN , 3 / 12VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V到V
DD
+ 0.3V
5VISEN , 5VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V至7.5V
PGOOD ,R
ILIM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7.5V
MODE / PWRON1 , PWRON2 , 5VG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2kV的( 2级)
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
( ° C / W)
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 10.5V至+ 16V
温度范围(T
A
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.所有电压都是相对于GND时,除非另有规定。
电气规格
参数
控制部分
电流限制门限电压
(两端的电压检测电阻)
V
DD
= 12V ,C
VG
= 0.01μF ,R
SENSE
= 0.1, C
体积
= 220μF , ESR = 0.5Ω ,T
A
= T
J
= 0℃至70℃,除非
另有规定编
符号
测试条件
典型值
最大
单位
V
IL
OC
LRT
RT
t
ON12V
t
ON5V
I
ON
12V
真空紫外
5V
真空紫外
3.3V
真空紫外
V12VG
3/5VG
R
ILIM
= 10k
电流过载,R
ILIM
= 10kΩ的,R
= 6.0
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01F
85
-
-
-
-
8
10.5
4.35
2.65
100
2
500
12
5
10
10.8
4.5
2.8
17.3
11.9
115
-
1000
-
-
12
11.0
4.65
2.95
17.9
-
mV
s
ns
ms
ms
A
V
V
V
V
V
在限流响应时间
响应时间短的死区
12V栅极导通时间
5V栅极导通时间
栅极导通电流
在12V电压阈值
在5V电压阈值
在3.3V的电压阈值
充电泵浦12VG电压
3 / 5VG高压
C
= 0.1F
16.8
11.2
电源电流和IO规格
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
PWRON上拉电压
PWRON上升阈值
PWRON滞后
PWRON上拉电流
R
ILIM
引脚电流源输出
电荷泵输出电流
电荷泵输出电压
电荷泵输出电压 - 加载
电荷泵POR阈值上升
电荷泵POR阈值下降
I
VDD
POR
rvth
POR
fvth
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
R
ILIM
_IO
Qpmp_Io
Qpmp_Vo
Qpmp_VIo
Qpmp + Vth的
Qpmp - Vth的
C
= 0.1μF ,C
= 16V
空载
负载电流= 100μA
PWRON管脚打开
4
9.5
9.3
1.8
1.1
0.1
60
90
400
17.2
16.2
15.6
15.2
8
10.0
9.8
2.4
1.5
0.2
80
100
590
17.4
16.7
16
15.7
10
10.5
10.3
3.2
2
0.3
100
110
800
-
-
16.5
16.2
mA
V
V
V
V
V
A
A
A
V
V
V
V
4
HIP1013
典型性能曲线
8.4
8.2
电源电流(mA )
105
8.0
7.8
7.6
7.4
7.2
-40
电流( μA )
104
103
-30
-20 -10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
102
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
温度(℃)
温度(℃)
图1.电源电流
图2。R
ILIM
源出电流
11.00
4.615
2.888
12V欠压阈值( V)
4.610
5V UV
2.886
10.98
4.605
3.3V UV
4.600
2.884
10.96
2.882
10.94
-40
-20
0
20
40
60
80
4.595
-40
-20
0
20
40
60
80
2.880
温度(℃)
温度(℃)
图3: 12V欠压阈值
图4: 3.3V / 5V欠压阈值
17.36
11.935
11.930
3.3V , 5V栅极驱动( V)
17.6
17.34
12V栅极驱动( V)
12V VG
17.32
11.925
11.920
11.915
5V VG
17.28
11.905
17.26
-40
11.900
80
11.910
17.4
电荷泵电压
空载
电压(V)的
17.2
17.30
17.0
电荷泵电压
100μA LOAD
16.8
-20
0
20
40
60
16.6
-40
-20
温度(℃)
0
20
40
温度(℃)
60
80
图5: 12V , 5V栅极驱动
图6.电荷泵电压
5
3.3V欠压阈值( V)
5V欠压阈值( V)
HIP1013
数据表
1999年5月
网络文件编号
4516.2
低成本双电源分配
调节器
该HIP1013是一款低成本热插拔的双电源供电
分配控制器。两个外部N沟道MOSFET
被驱动,同时提供负载故障分配电能
隔离。在导通时,每个外部N沟道的栅极
MOSFET被指控10μA电流源。电容器
每门(见典型应用图) ,创建一个
可编程斜坡(软启动)来控制浪涌电流。
一个内置的电荷泵提供了12V的栅极驱动
供应N沟道MOSFET开关。
过流保护是通过两个外部电流便利
检测电阻。当电流通过任一电阻
超过用户编程的值的N沟道
MOSFET是由HIP1013锁断。该控制器是
通过任一PWRON引脚的上升沿复位。
选择电压选择模式的HIP1013控制器
无论是+ 12V / 5V或+ 3.3V / + 5V电源。
虽然引脚与HIP1012设备兼容的
在一个HIP1013不提供电流调节
OC事件。
特点
为+ 5V的热插拔双电源分配和控制
+ 12V和+ 5V和+ 3.3V
提供故障隔离
电荷泵允许N沟道MOSFET的使用
冗余电源上的控件
电源良好和过电流闭锁指示器
可调节导通斜坡
??保护在接通期间
应用
配电控制
热插拔组件
引脚
HIP1013 ( SOIC )
顶视图
3/12VS
3/12VG
1
2
14 3 / 12VISEN
13 R
ILIM
12 GND
11 C
10 NC
9 PGOOD
8 5VISEN
V
DD
3
MODE / 4
PWRON1
PWRON2 5
订购信息
部分
HIP1013CB
HIP1013CB-T
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-0 70
-0 70
14 Ld的SOIC
PKG 。号
M14.15
5VG 6
5VS 7
14 Ld的SOIC
M14.15
磁带和卷轴
典型应用图
C
R
SENSE
R
负载
HIP1013
12V
3/12VS
V
DD
C
3/12VG
V
DD
电源
输入
M/PON1
3/12VISEN
R
ILIM
GND
C
5V
R
ILIM
NC
PWRON2
PGOOD
5VG
5VS
5ISEN
5V
C
R
SENSE
R
负载
2-406
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
热插拔为核心的国际, Inc.的商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
R
SENSE
加载
12VIN
工作原理图
2-407
12VS
12V
100A
OC
12VG
10A
+
18V
18V
POR
GND
启用
QPUMP
V
DD
12ISEN
-
R
ILIM
R
ILIM
C
V
DD
模式/
PWRON1
升起
EDGE
RESET
QN
R
Q
S
HIP1013
C
到V
DD
C
PWRON2
12V
12V
10A
5VG
+
PGOOD
NC
C
PGOOD
-
OC
5VS
HIP1013
5ISEN
R
SENSE
加载
5VIN
HIP1013
引脚说明
PIN号
1
符号
12VS
功能
12V电源
描述
连接到相关的外部N沟道MOSFET的源切换到检测输出
电压。
连接到相关的N沟道MOSFET开关的栅极。从这个电容器
节点到地设置导通坡道。在开启这个电容将被充电到
17.4V
由10μA电流源在操作时的5V / 12V模式,否则电容器会
11.4V.
连接到12V电源。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨
负载电压或到一个专用的V
DD
+ 12V电源。
PWRON1和PWRON2被用来接通和芯片复位。两路输出导通
当任一引脚被拉低。后的过电流限流故障时,该芯片是通过上升重置
复位信号的边缘施加任何的PWRON管脚。每个输入已100μA拉
能力是与3V和5V漏极开路输出和标准逻辑兼容。 PWRON1
也被用于调用优先于+ 12V电源控制3.3V的控制操作。通过捆绑销
4到引脚3电荷泵被禁止, UV阈值也转移到
2.8V.
连接到外部的5V N沟道MOSFET的栅极。从这个节点电容
到地设置导通坡道。在开启这个电容将被充电到
11.4V由
10μA电流源。
连接到5V的外部N沟道MOSFET的源极侧开关来感测输出
电压。
连接到5V的感测电阻器的负载侧,以测量通过此电压降
5VS和5VISEN引脚之间的电阻。
PGOOD是由一个开漏N沟道MOSFET驱动。它被拉低时,无论是
输出电压不符合规格或和OC条件存在。
无连接。
C
GND
R
ILIM
电荷泵电容
芯片地
限流电阻设置
连接在此引脚与地之间的电阻决定了目前的水平,在这
电流限制被激活。这个电流是由R的比率来确定
ILIM
电阻
检流电阻(R
SENSE
) 。在限流发病的电流等于
10μA X (R
ILIM
/ R
SENSE
).
连接到感测电阻器的负载侧,以测量通过此电压降
电阻器。
连接该引脚和V之间的0.1μF电容
DD
(引脚3 ) 。
2
12VG
12V的栅极
3
V
DD
芯片供应
4
模式/
PWRON1
电源ON /复位调用
工作电压为3.3V时,
短到V
DD
, 3脚。
电源/复位
5
PWRON2
6
5VG
5V门
7
5VS
5V电源
8
5VISEN
5V电流检测
9
PGOOD
电源良好指示器
10
11
12
13
14
12VISEN
12V电流检测
2-408
HIP1013
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 13.2V
3 / 12VG ,C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至18.5V
3 / 12VISEN , 3 / 12VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V到V
DD
+ 0.3V
5VISEN , 5VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V至7.5V
PGOOD ,R
ILIM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7.5V
MODE / PWRON1 , PWRON2 , 5VG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至V
DD
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2kV的( 2级)
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 10.5V到13.2V +
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
C至70
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.所有电压都是相对于GND时,除非另有规定。
电气连接特定的阳离子
参数
控制部分
电流限制门限电压
(两端的电压检测电阻)
V
DD
= 12V ,C
VG
= 0.01μF ,R
SENSE
= 0.1, C
体积
= 220μF , ESR = 0.5Ω ,T
A
= T
J
= 0
o
C至70
o
C,除非
另有规定编
符号
测试条件
典型值
最大
单位
V
IL
OC
LRT
RT
t
ON12V
t
ON5V
I
ON
12V
真空紫外
5V
真空紫外
3.3V
真空紫外
V12VG
3/5VG
R
ILIM
= 10k
电流过载,R
ILIM
= 10kΩ的,R
= 6.0
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01F
85
-
-
-
-
8
10.5
4.35
2.65
100
2
500
12
5
10
10.8
4.5
2.8
17.3
11.9
115
-
1000
-
-
12
11.0
4.65
2.95
17.9
-
mV
s
ns
ms
ms
A
V
V
V
V
V
在限流响应时间
响应时间短的死区
12V栅极导通时间
5V栅极导通时间
栅极导通电流
在12V电压阈值
在5V电压阈值
在3.3V的电压阈值
充电泵浦12VG电压
3 / 5VG高压
C
= 0.1F
16.8
11.2
电源电流和IO规格
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
PWRON上拉电压
PWRON上升阈值
PWRON滞后
PWRON上拉电流
R
ILIM
引脚电流源输出
电荷泵输出电流
电荷泵输出电压
电荷泵输出电压 - 加载
电荷泵POR阈值上升
电荷泵POR阈值下降
I
VDD
POR
rvth
POR
fvth
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
R
ILIM
_IO
Qpmp_Io
Qpmp_Vo
Qpmp_VIo
Qpmp + Vth的
Qpmp - Vth的
C
= 0.1μF ,C
= 16V
空载
负载电流= 100μA
PWRON管脚打开
4
9.5
9.3
1.8
1.1
0.1
60
90
400
17.2
16.2
15.6
15.2
8
10.0
9.8
2.4
1.5
0.2
80
100
590
17.4
16.7
16
15.7
10
10.5
10.3
3.2
2
0.3
100
110
800
-
-
16.5
16.2
mA
V
V
V
V
V
A
A
A
V
V
V
V
2-409
HIP1013
典型性能曲线
8.4
8.2
电源电流(mA )
105
8.0
7.8
7.6
7.4
7.2
-40
电流( μA )
104
103
-30
-20 -10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
102
-40
-30 -20 -10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
温度(
o
C)
温度(
o
C)
图1.电源电流
图2。R
ILIM
源出电流
11.00
4.615
2.888
12V欠压阈值( V)
4.610
5V UV
2.886
10.98
4.605
3.3V UV
4.600
2.884
10.96
2.882
10.94
-40
-20
0
20
40
60
80
4.595
-40
-20
0
20
40
60
80
2.880
温度(
o
C)
温度(
o
C)
图3: 12V欠压阈值
图4: 3.3V / 5V欠压阈值
17.36
11.935
11.930
3.3V , 5V栅极驱动( V)
17.6
17.34
12V栅极驱动( V)
12V VG
17.32
11.925
11.920
11.915
5V VG
17.28
11.905
17.26
-40
11.900
80
11.910
17.4
电荷泵电压
空载
电压(V)的
17.2
17.30
17.0
电荷泵电压
100μA LOAD
16.8
-20
0
20
40
60
16.6
-40
-20
温度(
o
C)
0
20
40
温度(
o
C)
60
80
图5: 12V , 5V栅极驱动
图6.电荷泵电压
2-410
3.3V欠压阈值( V)
5V欠压阈值( V)
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