HIP1012 ， HIP1012A
数据表
1999年11月
网络文件编号
4419.4
双电源分配控制器
该HIP1012是一种热插拔的双电源配电
控制器。两个外部N沟道MOSFET驱动
同时提供负载故障隔离配电。
在接通时，每一个外部N沟道MOSFET的栅极是
被控10μA电流源。每个电容器
门（见典型应用图） ，创建一个
可编程斜坡（软启动）来控制浪涌电流。
一个内置的电荷泵提供了12V的栅极驱动
供应N沟道MOSFET开关。
过流保护是通过两个外部电流便利
检测电阻。当电流通过任一电阻
超过所述控制器进入用户编程值
电流调节模式。超时电容C
TIM
，开始
充电控制器进入超时时段。一旦
C
TIM
收费为2V阈值时， N沟道MOSFET
被锁定了。在出现故障的情况下，至少3倍
电流限制水平， N沟道MOSFET栅极被拉低
低马上进入超时期限之前。该
控制器由任PWRON引脚的上升沿复位。
选择电压选择模式的HIP1012控制器
无论是+ 12V / 5V或+ 3.3V / + 5V电源。
对于这些应用中电压容限是一个问题
该HIP1012A具有最小标称过电流阈
为50mV的电压相比为100mV的HIP1012 。
特点
为+ 5V的热插拔双电源分配和控制
+ 12V和+ 5V和+ 3.3V
提供故障隔离
可编程电流调节水平
可编程超时
电荷泵允许N沟道MOSFET的使用
电源良好和过电流闭锁指示器
增强的过电流灵敏度可用
冗余电源上的控件
可调节导通斜坡
??保护在接通期间
两级限流检测提供快速
应对不同故障条件
超过1μs的响应时间不来完全短路
3μs的响应时间， 200％的电流过冲
应用
独立磁盘冗余阵列（ RAID ）系统
配电控制
热插拔 ，热插拔组件
订购信息
产品型号
HIP1012CB
HIP1012ACB
HIP1012CB-T
HIP1012ACB-T
温度。
RANGE （
o
C)
-0 70
-0 70
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
磁带和卷轴
PKG 。
号
M14.15
M14.15
引脚
HIP1012 （ SOIC ）
顶视图
典型应用图
C
泵
R
SENSE
3/12VS
3/12VG
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
14 3 / 12VISEN
13 R
ILIM
12 GND
11 C
泵
10 C
TIM
9
8
PGOOD
5VISEN
5V
C
门
可选
V
DD
R
滤波器
C
滤波器
C
门
12V
R
门
HIP1012
3/12VS3/12VISEN
R
ILIM
3/12VG
V
DD
电源
输入
R
门
M/PON1
GND
C
泵
C
TIM
5V或3.3V
R
ILIM
R
负载
模式/
PWRON1
PWRON2
5VG
5VS
PWRON2
TIM
PGOOD
5VG
5VS
5ISEN
R
SENSE
R
负载
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司1999
热插拔为核心的国际， Inc.的商标。
HIP1012 ， HIP1012A
引脚说明
针＃
1
符号
3V/12VS
功能
3.3 V / 12V电源
描述
连接到相关的外部N沟道MOSFET的源切换到检测输出
电压。
连接到相关的N沟道MOSFET开关的栅极。从这个节点电容
到地设置导通坡道。在导通时该电容器将由一个10μA充电至17.4V
电流源在操作时的5V / 12V模式，否则电容器被充电至
11.4V 。一个小电阻（ 10 - 200Ω ）应放置在一系列的门电容
接地，以防止电流振荡。
连接到12V电源。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的
负载电压或到一个专用的V
DD
+ 12V电源。如果前者被选择特别注意
V
DD
去耦必须支付。
2
3V/12VG
3.3V / 12V门
3
V
DD
芯片供应
4
模式/
PWRON1
5
PWRON2
电源ON /复位
PWRON1和PWRON2被用来接通和芯片复位。两路输出导通时
调用3.3V操作
要么被拉低。后一个电流限制超时，该芯片是由一个上升沿复位
当短路到V
DD
， 3脚复位信号，适用于无论是PWRON引脚。每路输入都有100μA拉能力是
与3V和5V漏极开路输出和标准逻辑兼容。 PWRON1也被用来调用
电源ON /复位
优先于+ 12V控制3.3V控制操作。通过把针4针3电荷泵
为残疾人和UV阈值也转移到2.8V 。
5V门
连接到外部的5V N沟道MOSFET的栅极。从这个节点到电容器
地面设置开启舷梯。在导通时该电容器将由一个10μA充电至11.4V
电流源。一个小电阻（ 10 - 200Ω ）应放置在一系列的门
电容接地，以防止电流振荡。
连接到5V的外部N沟道MOSFET的源极侧开关来感测输出
电压。
连接到5V的感测电阻器的负载侧，以测量通过此电压降
5VS和5VISEN引脚之间的电阻。
指示所有输出电压都在规定范围内。 PGOOD是由一个开漏驱动
N沟道MOSFET 。它被拉低时，任何输出不在规定范围内。
此引脚与地之间连接一个电容。该电容控制之间的时间
发病电流限制和芯片关断（电流限制超时） 。限流时间
超时（秒） = 200kΩ的乘C
TIM
（法拉） 。
连接该引脚和V之间的0.1μF电容
DD
（ 3脚） 。直接将该引脚连接到V
DD
在3.3V控制模式时。
6
5VG
7
5VS
5V电源
8
5VISEN
5V电流检测
9
PGOOD
电源良好指示器
10
C
TIM
限流时间
电容
11
C
泵
GND
R
ILIM
电荷泵
电容
芯片地
电流限制设置
电阻器
12
13
连接在此引脚与地之间的电阻决定了目前的水平，在这
电流限制被激活。这个电流是由R的比率来确定
ILIM
电阻器的
检测电阻（R
SENSE
） 。在限流发病的电流等于10μA X （R
ILIM
/
R
SENSE
） 。该HIP1012被限制在一个10kΩ的最小值（ Vth的OC = 100mV的） ，而电阻
在HIP1012A可以容纳一个5kΩ电阻较低的OC Vth的（为50mV ） 。
连接到检测电阻的负载端测量电阻两端的电压降。
14
3V/12VISEN
3.3V / 12V电流检测
3
HIP1012 ， HIP1012A
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 13.2V
3 / 12VG ，C
泵
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至18.5V
3 / 12VISEN ， 3 / 12VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V到V
DD
+ 0.3V
5VISEN ， 5VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V至7.5V
PGOOD ，R
ILIM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7.5V
MODE / PWRON1 ， PWRON2 ，C
TIM
， 5VG 。 。 。 。 。 - 0.3V至V
DD
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2kV的（ 2级）
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 10.5V至13.2
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
C至70
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.所有电压都是相对于GND时，除非另有规定。
电气连接特定的阳离子
参数
12V控制部，
电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
V
DD
= 12V ，C
VG
= 0.01μF ，C
TIM
= 0.1μF ，R
SENSE
= 0.1, C
体积
= 220μF ， ESR = 0.5Ω ，T
A
= T
J
= 0
o
C至70
o
C,
除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
IL12V
V
IL12V
3XV
iL12V
3XV
IL12V
20%iLrt
10%iLrt
1%iLrt
RT
短
t
ON12V
I
ON12V
3XdisI
12V
真空紫外
V12VG
R
ILIM
=10k
R
ILIM
只= 5kΩ的HIP1012A
R
ILIM
=10k
R
ILIM
只= 5kΩ的HIP1012A
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 6.0
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 6.0
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 6.0
C
12VG
= 0.01F
C
12VG
= 0.01F
C
12VG
= 0.01F
12VG = 18V
92
47
250
100
-
-
-
-
-
8
0.5
10.5
100
53
300
165
2
4
10
500
12
10
0.75
10.8
17.3
108
59
350
210
-
-
-
1000
-
12
-
11.0
17.9
mV
mV
mV
mV
s
s
s
ns
ms
A
A
V
V
3倍电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
±20%
限流响应时间
（在规定值的20 ％的电流）
±10%
限流响应时间
（在规定值的10 ％的电流）
±1%
限流响应时间
（在规定值的1 ％电流）
响应时间短的死区
栅极导通时间
栅极导通电流
3倍栅极放电电流
在12V电压阈值
Qpumped 12VG电压
3.3V / 5V控制部，
电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
3倍电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
±20%
限流响应时间
（在规定值的20 ％的电流）
±10%
限流响应时间
（在规定值的10 ％的电流）
±1%
限流响应时间
（在规定值的1 ％电流）
响应时间短的死区
C
泵
= 0.1F
16.8
V
IL5V
3XV
IL5V
R
ILIM
=10k
R
ILIM
只= 5kΩ的HIP1012A
R
ILIM
=10k
R
ILIM
只= 5kΩ的HIP1012A
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 2.5
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 2.5
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 2.5
92
47
250
100
-
-
-
-
100
53
300
155
2
4
10
500
108
59
350
210
-
mV
mV
mV
mV
s
-
s
-
s
800
ns
RT
短
C
VG
= 0.01F
4
HIP1012 ， HIP1012A
电气连接特定的阳离子
参数
栅极导通时间
栅极导通电流
3倍栅极放电电流
在5V电压阈值
在3.3V的电压阈值
3.3 / 5VG高压
V
DD
= 12V ，C
VG
= 0.01μF ，C
TIM
= 0.1μF ，R
SENSE
= 0.1, C
体积
= 220μF ， ESR = 0.5Ω ，T
A
= T
J
= 0
o
C至70
o
C,
除非另有规定编
（续）
符号
t
ON5V
I
ON5V
3XdisI
5V
真空紫外
3.3V
真空紫外
3/5VG
测试条件
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01μF ， PWRON =低
民
-
8
0.5
4.35
2.65
11.2
典型值
5
10
0.75
4.5
2.8
11.9
最大
-
12
-
4.65
2.95
-
单位
ms
A
A
V
V
V
电源电流和IO规格
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
限流超时
PWRON上拉电压
PWRON上升阈值
PWRON滞后
PWRON上拉电流
电流限制超时阈值（C
TIM
)
C
TIM
充电电流
C
TIM
放电电流
C
TIM
上拉电流
R
ILIM
引脚电流源输出
电荷泵输出电流
电荷泵输出电压
电荷泵输出电压 - 加载
电荷泵POR阈值上升
电荷泵POR阈值下降
T
ILIM
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
C
TIM
± Vth的
C
TIM
_I
C
TIM
_disI
C
TIM
_disI
R
ILIM
_IO
Qpmp_Io
Qpmp_Vo
Qpmp_VIo
Qpmp + Vth的
Qpmp - Vth的
C
泵
= 0.1μF ，C
泵
= 16V
空载
负载电流= 100μA
V
CTIM
= 8V
C
TIM
= 0.1F
PWRON管脚打开
I
VDD
4
9.5
9.3
16
1.8
1.1
0.1
60
1.8
8
1.7
3.5
90
320
17.2
16.2
15.6
15.2
8
10.0
9.8
20
2.4
1.5
0.2
80
2
10
2.6
5
100
560
17.4
16.7
16
15.7
10
10.7
10.3
24
3.2
2
0.3
100
2.2
12
3.5
6.5
110
800
-
-
16.5
16.2
mA
V
V
ms
V
V
V
A
V
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
HIP1012说明和操作
该HIP1012是一个多功能的双电源供电
分配控制器，包括可编程的电流
法规限制和时间闭锁。此外，该
HIP1012既作为一个+ 3.3V和5V或+ 5V和
+ 12V与具有每种模式电源控制器
适当的低电压（ UV）故障的NotI网络阳离子水平。
在初始上电HIP1012可以隔离
电压源与负载通过保持外部
N沟道MOSFET关断或施加电源轨
直接电压给负载真正热插拔功能。在
这两种情况下的HIP1012接通的软起动模式
保护突发电流负载的电源轨。如果
无论是PWRON引脚被拉低的HIP1012将是真正的
热插拔模式。这两个PWRON引脚要高关闭
的HIP1012从而切断对负载的电力供应
通过外部FET 。
在导通时，每一个外部N沟道栅极电容
MOSFET被指控10μA电流源。这些
电容创建一个可编程的斜坡（软导通） 。一
电荷泵提供的12V电源栅极驱动
开关驱动是门至17V 。
负载电流通过两个外部电流检测
电阻器。当跨越任一电阻器上的电压超过
可编程过流（ OC）电压阈值的用户
值（见表1） ，控制器进入电流调节。
此时所用的超时电容C
TIM
，开始充电
一个10μA电流源和控制器进入超时
期。的时间长度进行周期由单个集
外部电容器（见表2）置于从C
TIM
针
（引脚10）到地，其特征在于降低的栅极
驱动电压施加到相应的外部N沟道
MOSFET。一旦启用C
TIM
收费为2V ，内部比较器
跳闸导致两个N沟道MOSFET是
锁断。
5
HIP1012A
数据表
2004年3月
FN4419.6
双电源分配控制器
该HIP1012A是热插拔的双电源配电
控制器。两个外部N沟道MOSFET驱动
同时提供负载故障隔离配电。
在接通时，每一个外部N沟道MOSFET的栅极是
被控10μA电流源。每个电容器
门（见典型应用图） ，创建一个
可编程斜坡（软启动）来控制浪涌电流。
一个内置的电荷泵提供了12V的栅极驱动
供应N沟道MOSFET开关。
过流保护是通过两个外部电流便利
检测电阻。当电流通过任一电阻
超过所述控制器进入用户编程值
电流调节模式。超时电容C
TIM
，开始
充电控制器进入超时时段。一旦
C
TIM
收费为2V的阈值时，N沟道MOSFET
锁断。在出现故障的情况下，至少3倍
电流限制水平， N沟道MOSFET栅极被拉低
低马上进入超时期限之前。该
控制器由任PWRON引脚的上升沿复位。
选择电压选择模式的HIP1012控制器
无论是+ 12V / 5V或+ 3.3V / + 5V电源。
特点
为+ 5V的热插拔双电源分配和控制
+ 12V和+ 5V和+ 3.3V
提供故障隔离
可编程电流调节水平
可编程超时
电荷泵允许N沟道MOSFET的使用
电源良好和过电流闭锁指示器
增强的过电流灵敏度可用
冗余电源上的控件
可调节导通斜坡
??保护在接通期间
两级限流检测提供快速
应对不同故障条件
超过1μs的响应时间不来完全短路
3μs的响应时间， 200％的电流过冲
无铅封装选项
磁带&卷轴包装用' -T'型号后缀
订购信息
产品型号
HIP1012ACB
HIP1012ACBZA （注）
温度。
范围（° C）
-0 70
-0 70
包
14 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
应用
独立磁盘冗余阵列（ RAID ）系统
配电控制
热插拔，热插拔组件
14 Ld的SOIC （无铅） M14.15
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
引脚
HIP1012A （ SOIC ）
顶视图
3/12VS
3/12VG
V
DD
模式/
PWRON1
PWRON2
5VG
5VS
1
2
3
4
5
6
7
14 3 / 12VISEN
13 R
ILIM
12 GND
11 C
泵
10 C
TIM
9
8
PGOOD
5VISEN
典型应用图
C
泵
R
SENSE
12V
可选
V
DD
R
滤波器
C
滤波器
C
门
R
门
HIP1012A
3/12VS
3/12VG
V
DD
M/PON1
PWRON2
5VG
5VS
3/12VISEN
R
ILIM
GND
C
泵
C
TIM
PGOOD
5ISEN
R
负载
R
ILIM
电源
输入
5V
C
门
R
门
C
TIM
5V或3.3V
R
SENSE
R
负载
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP1012A
引脚说明
针＃
1
2
符号
3V/12VS
3V/12VG
功能
3.3 V / 12V电源
3.3V / 12V门
描述
连接到相关的外部N沟道MOSFET的源切换到检测输出
电压。
连接到相关的N沟道MOSFET开关的栅极。从这个节点电容
到地设置导通坡道。在导通时该电容器将由一个10μA充电至17.4V
电流源在操作时的5V / 12V模式，否则电容器被充电至
11.4V 。一个小电阻（ 10 - 200Ω ）应放置在一系列的门电容
接地，以防止电流振荡。
连接到12V电源。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的
负载电压或到一个专用的V
DD
+ 12V电源。如果前者被选择特别注意
V
DD
去耦必须支付。
3
V
DD
芯片供应
4
模式/
PWRON1
PWRON2
5
PWRON1和PWRON2被用来接通和芯片复位。两路输出导通时
电源ON /复位
调用3.3V操作
要么被拉低。后一个电流限制超时，该芯片是由一个上升沿复位
当短路到V
DD
， 3脚复位信号，适用于无论是PWRON引脚。每路输入都有100μA拉能力是
与3V和5V漏极开路输出和标准逻辑兼容。 PWRON1也被用来调用
电源ON /复位
优先于+ 12V控制3.3V控制操作。通过把针4针3电荷泵
为残疾人和UV阈值也转移到2.8V 。
5V门
连接到外部的5V N沟道MOSFET的栅极。从这个节点到电容器
地面设置开启舷梯。在导通时该电容器将由一个10μA充电至11.4V
电流源。一个小电阻（ 10 - 200Ω ）应放置在一系列的门
电容接地，以防止电流振荡。
连接到5V的外部N沟道MOSFET的源极侧开关来感测输出
电压。
连接到5V的感测电阻器的负载侧，以测量通过此电压降
5VS和5VISEN引脚之间的电阻。
指示所有输出电压都在规定范围内。 PGOOD是由一个开漏驱动
N沟道MOSFET 。它被拉低时，任何输出不在规定范围内。
此引脚与地之间连接一个电容。该电容控制之间的时间
发病电流限制和芯片关断（电流限制超时） 。限流时间
超时（秒） = 200kΩ的乘C
TIM
（法拉） 。
连接该引脚和V之间的0.1μF电容
DD
（ 3脚） 。直接将该引脚连接到V
DD
在3.3V控制模式时。
6
5VG
7
8
9
10
5VS
5VISEN
PGOOD
C
TIM
5V电源
5V电流检测
电源良好指示器
限流时间
电容
电荷泵
电容
芯片地
电流限制设置
电阻器
11
12
13
C
泵
GND
R
ILIM
连接在此引脚与地之间的电阻决定了目前的水平，在这
电流限制被激活。这个电流是由R的比率来确定
ILIM
电阻器的
检测电阻（R
SENSE
） 。在限流发病的电流等于10μA X （R
ILIM
/
R
SENSE
).
连接到检测电阻的负载端测量电阻两端的电压降。
14
3V/12VISEN
3.3V / 12V电流检测
3
HIP1012A
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 13.2V
3 / 12VG ，C
泵
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至18.5V
3 / 12VISEN ， 3 / 12VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V到V
DD
+ 0.3V
5VISEN ， 5VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V至7.5V
PGOOD ，R
ILIM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7.5V
MODE / PWRON1 ， PWRON2 ，C
TIM
， 5VG 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2kV的（ 2级）
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 10.5V至13.2
温度范围（T
A
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.所有电压都是相对于GND时，除非另有规定。
电气规格
参数
12V控制部，
电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
V
DD
= 12V ，C
VG
= 0.01μF ，C
TIM
= 0.1μF ，R
SENSE
= 0.1, C
体积
= 220μF ， ESR = 0.5Ω ，
T
A
= T
J
= 0 ° C至70 ° C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
IL12V
V
IL12V
3XV
iL12V
3XV
IL12V
20%iLrt
10%iLrt
1%iLrt
RT
短
t
ON12V
I
ON12V
3XdisI
12V
真空紫外
V12VG
R
ILIM
=10k
R
ILIM
= 5k
R
ILIM
=10k
R
ILIM
= 5k
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 6.0
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 6.0
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 6.0
C
12VG
= 0.01F
C
12VG
= 0.01F
C
12VG
= 0.01F
12VG = 18V
92
47
250
100
-
-
-
-
-
8
0.5
10.5
100
53
300
165
2
4
10
500
12
10
0.75
10.8
17.3
108
59
350
210
-
-
-
1000
-
12
-
11.0
17.9
mV
mV
mV
mV
s
s
s
ns
ms
A
A
V
V
3倍电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
±20%
限流响应时间
（在规定值的20 ％的电流）
±10%
限流响应时间
（在规定值的10 ％的电流）
±1%
限流响应时间
（在规定值的1 ％电流）
响应时间短的死区
栅极导通时间
栅极导通电流
3倍栅极放电电流
12V欠压阈值
Qpumped 12VG电压
3.3V / 5V控制部，
电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
3倍电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
±20%
限流响应时间
（在规定值的20 ％的电流）
±10%
限流响应时间
（在规定值的10 ％的电流）
±1%
限流响应时间
（在规定值的1 ％电流）
响应时间短的死区
栅极导通时间
C
泵
= 0.1F
16.8
V
IL5V
3XV
IL5V
R
ILIM
=10k
R
ILIM
= 5k
R
ILIM
=10k
R
ILIM
= 5k
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 2.5
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 2.5
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 2.5
92
47
250
100
-
-
-
-
-
100
53
300
155
2
4
10
500
5
108
59
350
210
-
mV
mV
mV
mV
s
-
s
-
s
800
-
ns
ms
RT
短
t
ON5V
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01F
4
HIP1012A
电气规格
参数
栅极导通电流
3倍栅极放电电流
5V欠压阈值
3.3V欠压门限
3.3 / 5VG高压
V
DD
= 12V ，C
VG
= 0.01μF ，C
TIM
= 0.1μF ，R
SENSE
= 0.1, C
体积
= 220μF ， ESR = 0.5Ω ，
T
A
= T
J
= 0 ° C至70 ° C，除非另有规定编
（续）
符号
I
ON5V
3XdisI
5V
真空紫外
3.3V
真空紫外
3/5VG
测试条件
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01μF ， PWRON =低
民
8
0.5
4.35
2.65
11.2
典型值
10
0.75
4.5
2.8
11.9
最大
12
-
4.65
2.95
-
单位
A
A
V
V
V
电源电流和IO规格
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
限流超时
PWRON上拉电压
PWRON上升阈值
PWRON滞后
PWRON上拉电流
电流限制超时阈值（C
TIM
)
C
TIM
充电电流
C
TIM
放电电流
C
TIM
上拉电流
R
ILIM
引脚电流源输出
电荷泵输出电流
电荷泵输出电压
电荷泵输出电压 - 加载
电荷泵POR阈值上升
电荷泵POR阈值下降
T
ILIM
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
C
TIM
± Vth的
C
TIM
_I
C
TIM
_disI
C
TIM
_disI
R
ILIM
_IO
Qpmp_Io
Qpmp_Vo
Qpmp_VIo
Qpmp + Vth的
Qpmp - Vth的
C
泵
= 0.1μF ，C
泵
= 16V
空载
负载电流= 100μA
V
CTIM
= 8V
C
TIM
= 0.1F
PWRON管脚打开
I
VDD
4
9.5
9.3
16
1.8
1.1
0.1
60
1.8
8
1.7
3.5
90
320
17.2
16.2
15.6
15.2
8
10.0
9.8
20
2.4
1.5
0.2
80
2
10
2.6
5
100
560
17.4
16.7
16
15.7
10
10.7
10.3
24
3.2
2
0.3
100
2.2
12
3.5
6.5
110
800
-
-
16.5
16.2
mA
V
V
ms
V
V
V
A
V
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
HIP1012A说明和操作
该HIP1012A是multifeatured双电源供电
分配控制器，包括可编程的电流
法规限制和时间闭锁。此外，该
HIP1012A既作为一个+ 3.3V和5V或+ 5V和
+ 12V与具有每种模式电源控制器
适当的欠电压（UV）的故障通知的水平。
在初始上电HIP1012A可以隔离
电压源与负载通过保持外部
N沟道MOSFET关断或施加电源轨
直接电压给负载真正热插拔功能。在
无论哪种情况， HIP1012A接通的软起动模式
保护突发电流负载的电源轨。如果
无论是PWRON引脚被拉低的HIP1012A将在
真正的热插拔模式。这两个PWRON管脚必须是高
关掉HIP1012A从而隔离从电源
通过外部FET的负载。
在导通时，每一个外部N沟道栅极电容
MOSFET被指控10μA电流源。这些
电容创建一个可编程的斜坡（软导通） 。一
电荷泵提供的12V电源栅极驱动
开关驱动是门至17V 。
负载电流通过两个外部电流检测
电阻器。当跨越任一电阻器上的电压超过
用户可编程过流（ OC ）电压阈值
值（见表1） ，控制器进入电流调节。
此时所用的超时电容C
TIM
，开始充电
一个10μA电流源和控制器进入超时
期。的时间长度进行周期由单个集
外部电容器（见表2）置于从C
TIM
针
（引脚10）到地，其特征在于降低的栅极
驱动电压施加到相应的外部N沟道
MOSFET。一旦启用C
TIM
收费为2V ，内部比较器
跳闸导致两个N沟道MOSFET是
锁断。
5
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