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HIP1011A
数据表
二零零四年十一月一十六日
FN4631.5
PCI热插拔控制器
该HIP1011A是第二个PCI热插拔的总线电压
控制IC Intersil公司。一个简易替代广泛
使用HIP1011的HIP1011A具有相同的形式,连接T和
功能,但额外配备一个可调节的闭锁时间
的MOSFET开关和故障报告。
像HIP1011的HIP1011A创建一个小而简单
与分立功率却完整的电源控制解决方案
MOSFET和一些无源元件。四
独立的电源控制, + 5V ,+ 3.3 , + 12V和
-12V 。在+ 12V和-12V开关集成。对于
+ 5V和+ 3.3V电源,过流( OC )保护
通过检测外部电流 - 电压提供
检测电阻。对于+ 12V和-12V用品OC
保护内部设置。此外,片上
基准用于监视+ 5V , + 3.3V和+ 12V
输出欠压( UV)状况。该PWRON输入
控制所述开关的状态。在上OC条件
任何输出,或在+ 5V的紫外条件下, + 3.3V或+ 12V
输出低电平(0V)被断言在FLTN输出和所有
MOSFET是锁存关断。时间FLTN信号去
低和MOSFET闭锁是由一个单一的确定
从FLTN引脚电容到地。这一附加功能
允许系统OS完成在内务管理活动
准备一个计划外关闭受影响的卡了下来。
当PWRON输入切换的FLTN锁被清除
再低。在初始上电的主要VCC供电
( + 12V) ,该PWRON输入是从接通抑制
开关和锁存器在复位状态一直保持到
VCC输入电压大于10V 。
过流阈值,故障的用户可编程性
报告响应时间,锁断响应时间和开启
压摆率提供。连接到OCSET引脚的电阻
节目OC阈值。电容器可被添加到该
FLTN脚来调整两者的延迟时间报告故障
和业主立案法团或UV事件之后锁断了供应。
连接到栅极管脚电容设置在导通率。在
此外HIP1011A也得到了增强容忍
寄生系统的噪声。
特点
可调节延迟时间对于关和故障报告
控制所有的PCI设备: + 5V , + 3.3V , + 12V , -12V
内部MOSFET开关的+ 12V和-12V输出
P
开/关控制和故障报告界面
可调节过流保护所有耗材
提供故障隔离
可调节导通压摆率
最少元件数解决方案
无电荷泵
无铅可(符合RoHS )
应用
PCI热插拔
CompactPCI的
订购信息
产品型号
HIP1011ACB
HIP1011ACBZA
(见注)
HIP1011ACB-T
HIP1011ACBZA-T
(见注)
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
0到70
0到70
0到70
0到70
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
(无铅)
磁带和卷轴
磁带和卷轴(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M16.15
M16.15
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成,
模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求。
引脚
HIP1011A
( SOIC )
顶视图
M12VIN
FLTN
3V5VG
V
CC
12VIN
3VISEN
3VS
OCSET
1
2
3
4
5
6
7
8
16 M12VO
15 M12VG
14 12VG
13 GND
12 12VO
11 5VISEN
10 5VS
9
PWRON
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2000 , 2004.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP1011A
典型用途
3.3V,
7.6A输出
3.3V输入
ITF86130SK8T
5m, 1%
12V,
0.5A输出
-12V,
0.1A输出
5V,
5A OUT
5m, 1%
5V输入
ITF86130SK8T
-12V输入
HIP1011A
M12VIN
FLTN
3V5VG
V
CC
12VIN
3VISEN
3VS
OCSET
6.04k
1%
M12VO
M12VG
12VG
GND
12VO
5VISEN
5VS
PWRON
0.033F
0.033F
0.033F
12V输入
(可选)
电源控制输入
注:所有电容都
±10%.
故障输出(低电平有效)
简化的原理图
SET ( LOW = FAULT)
5VREF
故障锁存器
LOW = FAULT
COMP
-
+ 4.6V
FLTN
抑制
RESET
COMP
-
+ 2.9V
V
CC
V
CC
V
CC
5V稳压
参考
5VREF
抑制
COMP
-
+ 10.8V
V
OCSET
/17
COMP
+
-
+
-
抑制
5VS
V
CC
3V5VG
V
CC
12VIN
POWER- ON
RESET
低当V
CC
< 10V
COMP
+
-
V
CC
100A
OCSET
V
CC
PWRON
V
OCSET
HIGH = FAULT
HIGH =接通
COMP
-
+
V
OCSET
/3.3
+
0.7
12VO
M12VIN
COMP
V
OCSET
/0.8
+
V
CC
12VG
0.3
V
OCSET
/13.3
+
-
5VISEN
3VS
3VISEN
12VIN
-
+
GND
-
2
-
M12VIN
M12VG
M12VO
FN4631.5
二零零四年十一月一十六日
HIP1011A
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
代号
M12VIN
FLTN
3V5VG
VCC
12VIN
3VISEN
3VS
OCSET
功能
-12V输入
故障输出
3.3V / 5V输出门
12V V
CC
输入
12V输入
3.3V电流检测
3.3V电源
过电流集
描述
-12V电源输入。还提供了电源-12V过流保护电路。
5V CMOS故障输出; LOW =故障。电容器可放置从这个引脚到地
提供延时故障的NotI网络阳离子和电源闭锁。
驱动3.3V和5V MOSFET的栅极。连接一个电容器接地来设定起动
加速过程。期间导通,该电容器被充电以25μA电流源。
连接到无开关的12V电源。
切换12V电源输入。
连接至电流检测电阻的负载侧串联外部3.3V的源
MOSFET。
连接到3.3V MOSFET的源代码。这与引脚6 ( 3VISEN )连接感应
检测电阻两端的电压降。
连接一个电阻从这个引脚到地设置所有四个开关的过电流跳变点。
所有四个过电流跳闸可以通过改变这个电阻值进行编程。该
默认( 6.04kΩ ,1%)与所允许的最大电流兼容如在概述
PCI特定连接的阳离子。
控制所有四个开关。高打开开关ON ,低关掉它们。
连接到5V MOSFET开关的源代码。这与引脚11( 5VISEN )
感官检测电阻两端的电压降。
连接至电流检测电阻的负载侧串联外部5V的源
MOSFET。
切换12V输出。
连接到普通电源。
9
10
11
12
13
14
PWRON
5VS
5VISEN
12VO
GND
12VG
开机控制
5V电源
5V电流检测
切换12V输出
内部PMOS连接的门12VG和12VO之间的电容来设置启动时斜坡的+ 12V电源。
该电容器被充电以在启动过程中一个25μA的电流源。紫外线是电路
在12VG电压后,使小于400mV的。因此,如果在销上的电容器
3 ( 3V5VG )比上销14的电容较大的25%以上( 12VG )假紫外可
在启动时检测到。
内部NMOS连接的门M12VG和M12VO之间的电容来设置启动坡道M12V
供应量。启动过程中,该电容进行充电25μA 。
切换-12V
产量
切换12V输出。
15
16
M12VG
M12VO
3
FN4631.5
二零零四年十一月一十六日
HIP1011A
绝对最大额定值
V
CC
, 12VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 14.0V
12VO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
12VIN
+0.5V
12VO , 12VG , 3V5VG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+0.5V
M12VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -15.0V到+ 0.5V
M12VO , M12VG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
M12VIN
-0.5V至+ 0.5V
3VISEN , 5VISEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V的小
CC
或+ 7.0V
电压,任何其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .3A
M12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8A
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4KeV ( HBM )
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
105
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .125
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
模具特点
晶体管的数量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 290
工作条件
VCC电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 10.8V至13.2V +
±12V,
5V和3.3V的输入电压容差
. . . . . . . . . . . . . . . . ±10%
12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0至0.5A +
M12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0至0.1A +
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
C至70
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介379的详细信息。
2.所有电压都是相对于GND时,除非另有规定。
电气规格
参数
5V / 3.3V电源控制
5V过流阈值
5V过流阈值电压
5V过流阈值电压
5V欠压脱扣阈值
标称5.0V和3.3V的输入电源电压,
V
CC
= 12VIN = 12V , M12VIN = -12V ,T
A
= T
J
= 0至70
o
C,除非另有规定编
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
OC5V
V
OC5V_1
V
OC5V_2
V
5VUV
t
5VUV
t
ON5V
IB
5VS
IB
5VISEN
I
OC3V
V
OC3V_1
V
OC3V_2
V
3VUV
t
3VUV
t
ON3V
IB
3VS
IB
3VISEN
Vout_lo_35VG
Vout_hi_35VG
IC
3V5VG
见典型应用图
V
OCSET
= 0.6V
V
OCSET
= 1.2V
-
30
66
4.42
-
7.1
36
72
4.65
150
6.5
-26
-140
9.0
49
95
2.86
150
6.5
-26
-140
0.1
11.1
25.0
-
42
79
4.75
350
-
-20
-110
-
56
102
2.97
350
-
-20
-110
0.4
-
27.5
A
mV
mV
V
ns
ms
A
A
A
mV
mV
V
ns
ms
A
A
V
V
A
5V欠压故障响应时间
5V的开启时间
( PWRON高到5VOUT = 4.75V )
5VS输入偏置电流
5VISEN输入偏置电流
3V过流阈值
3V过流阈值电压
3V过流阈值电压
3V欠压脱扣阈值
3V欠压故障响应时间
3V开启时间
( PWRON高到3VOUT = 3.00V )
3VS输入偏置电流
3VISEN输入偏置电流
3V5VG Vout的低
3V5VG Vout的高
门输出充电电流
C
3V5VG
= 0.022μF ,C
5VOUT
= 2000F,
R
L
= 1
PWRON =高
PWRON =高
见典型应用图
V
OCSET
= 0.6V
V
OCSET
= 1.2V
-
-40
-160
-
42
88
2.74
-
C
3V5VG
= 0.022μF ,C
3VOUT
= 2000F,
R
L
= 0.43
PWRON =高
PWRON =高
PWRON =低, FLTN =低
PWRON =高, FLTN =高
PWRON =高,V
3V5VG
= 2V
-
-40
-160
-
10.5
22.5
4
FN4631.5
二零零四年十一月一十六日
HIP1011A
电气规格
参数
栅极导通时间
( PWRON高到3V5VG = 11V )
栅极关断时间
栅极关断时间
+ 12V电源控制
在内部PMOS的电阻
过流阈值
过流阈值
12V欠压脱扣阈值
欠压故障响应时间
栅极充电电流
开启时间
( PWRON高到12VG = 1V )
打开-O FF时间
打开-O FF时间
-12V电源控制
对内部NMOS的电阻
过流阈值
过流阈值
门输出充电电流
开启时间
( PWRON高到M12VG = -1V )
开启时间
( PWRON高到M12VO = -10.8V )
打开-O FF时间
打开-O FF时间
M12VIN输入偏置电流
控制I / O引脚
电源电流
OCSET电流
过电流故障响应时间
过电流故障响应时间
过电流故障响应时间
PWRON阈值电压
FLTN输出低电压
FLTN输出高电压
FLTN输出锁存阈值
12V上电复位门限
V
THPWRON
V
FLTN , OL
V
FLTN , OH
V
FLTN , TH
V
POR , TH
V
CC
电压降
I
FLTN
= 2毫安
I
FLTN
= 0至-4mA
I
VCC
I
OCSET
t
OC
FLTN帽= 100pF的
FLTN帽= 1000pF的
FLTN帽= 10μF
4
95
-
-
-
0.8
-
3.9
1.45
9.4
5
100
500
2200
30
1.6
0.6
4.3
1.8
10
5.8
105
960
-
-
2.1
0.9
4.9
2.25
10.6
mA
A
ns
ns
s
V
V
V
V
V
IB
M12VIN
r
DS(ON)M12
I
OC12V_1
I
OC12V_2
IC
M12VG
t
ONM12V
t
ONM12V
t
OFFM12V
PWRON =高,我
D
= 0.1A,
T
A
= T
J
= 25
o
C
V
OCSET
= 0.6V
V
OCSET
= 1.2V
PWRON =高,V
3VG
= -4V
C
M12VG
= 0.022F
C
M12VG
= 0.022μF ,C
M12VO
= 50F,
R
L
= 120
C
M12VG
= 0.1μF , M12VG
C
M12VG
= 0.022μF , M12VG降90 %
至10%
PWRON =高
0.5
0.15
0.30
22.5
-
-
-
-
-
0.7
0.18
0.37
25
160
16
18
3
2
0.9
0.25
0.50
27.5
300
-
23
-
2.6
A
A
A
s
ms
s
s
mA
r
DS(ON)12
I
OC12V_1
I
OC12V_2
V
12VUV
t
12VUV
IC
12VG
t
ON12V
t
OFF12V
PWRON =高,V
12VG
= 3V
C
12VG
= 0.022F
C
12VG
= 0.1μF , 12VG
C
12VG
= 0.022μF , 12VG上升
10% - 90%
PWRON =高,我
D
= 0.5A,
T
A
= T
J
= 25
o
C
V
OCSET
= 0.6V
V
OCSET
= 1.2V
0.18
0.6
1.25
10.5
-
23.5
-
-
-
0.3
0.75
1.50
10.8
150
25.0
16
9
3
0.35
0.9
1.8
11.15
-
28.5
20
12
-
A
A
V
ns
A
ms
s
s
标称5.0V和3.3V的输入电源电压,
V
CC
= 12VIN = 12V , M12VIN = -12V ,T
A
= T
J
= 0至70
o
C,除非另有规定编
(续)
符号
t
ON3V5V
t
OFF3V5V
测试条件
C
3V5VG
= 0.1F
C
3V5VG
= 0.1μF , 3V5VG从9.5V到1V
C
3V5VG
= 0.022μF , 3V5VG下降90 %,至
10%
-
-
-
典型值
280
13
2
最大
500
17
-
单位
s
s
s
5
FN4631.5
二零零四年十一月一十六日
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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